开关电源中同步开关对管中高端E-NMOS的自举驱动分析

最新推荐文章于 2025-06-18 11:08:01 发布
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分类专栏： 开关电源 文章标签： 开关电源 自举电路 同步驱动
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1、ir21xx系列栅极驱动器自举电路
稍作更改，将原先的IR21xx芯片的供电Vcc-12V改成12V（开始可能是笔误写错了），正常情况下12V该芯片是能够正常工作的。从而，由图可知，Q1导通的同时，g1的电压被充电至Vgs=Vc=12-Vd，这里忽略了mos的正向导通压降，Vd为高速开关二极管的压降（常见的如1N4148）。
1、ir21xx系列栅极驱动器自举电路
2、不采用驱动器的自举电路
2、不采用驱动器的自举电路

nmos高端驱动自举电路
07-14
一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。 图2 电容自举驱动NMOS电路仿真 二、MOSFET驱动电路 图3 MOSFET驱动电路 （1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止； （2） 当V1=V2=0
自举电路
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