《炬丰科技-半导体工艺》超薄硅片键合

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超薄硅片键合

编号：JFKJ-21-517

作者：炬丰科技

摘要

超薄硅晶片是指弗吉尼亚半导体公司制造的材料，其厚度小于 200微米，超出了普通晶片抛光技术的限制。超薄硅晶片为获得薄铤合结构提供了新的选择。超薄晶片可以直接键合到衬底上。粘合方法是将一对镜面抛光的硅表面在清 洁的气氛中相互接触，在表面之间形成“接触波”形式的 弱粘合。结合通过随后的退火完成，增强了界面结合能。 粘合程序和试验结果

电探测器机构

光电探测器是一种吸收光能并将其转化为电能的电子设 备。主要机制取决于半导体带隙的概念，依靠该间隙工作的半导体探测器称为本征探测器。

 

晶圆制备和焊接

用于制造光电探测器的晶圆有: 表5』光电探测器用晶片规格。

 

 

 

 

结论和总结

绝缘体上硅、硅上硅和微机电领域的硅直接键合技术的快速发展表明，这是一个非常有前途的领域。室温下的吸引力是由吸附在 两个晶片表面上的羟基和水分子之间的氢键引起的。实验表明，结合力取决于表面粗 糙度、化学特性等因素。灰尘颗粒的数量、表面的粗糙度和化学特性、退火的时间和温度都会影响空隙的形成。通过氧 化预清洗、适当的退火温度和提高表面光洁度，可以消除大部分空隙。测量表明，用不同厚度的键合超薄晶片对制作光电探测器是可行的。