《炬丰科技-半导体工艺》第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展

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《炬丰科技-半导体工艺》中介绍了第三代宽带隙半导体氮化镓器件的最新研究，因其出色的电学和光学特性备受瞩目。GaN在照明领域的应用日益增长，从1993年高亮度蓝色LED的诞生至今，已实现商业化。原位生长法和离子注入法是GaN材料制备的主要技术，其中GaN∶Eu的电荷转移态增强其发光效果。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展

编号：JFKJ-21-300

作者：炬丰科技

摘要

  第三代宽带隙半导体氮化镓引起了广泛的关注因其优异的电学和光学性能而受到工业界和研究界的关注。离子掺杂GaN材料不仅具有稀土元素的优良光学性能，而且具有优良的光学性能可以

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一：《新型氮化镓功率晶体管特性分析》 二：《氮化镓晶体管的DC_DC电源模块》 三：《适用于GaN器件的谐振驱动电路》 四：《高性能GaN纳米线阵列》 五：《GaN单晶片的表面加工工艺研究》 六：《超薄氮化镓制备及其光学性质》 七：《SiO2蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响》 八：《大规模GaN纳米线阵列的制备及表征》 九：《应用于LLC谐振变换器的GaN器件电路设计》 十：《GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究》 十一：《具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管》 十二：《
《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓材料研究
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：氮化镓材料研究 编号：JFKJ-21-273 作者：炬丰科技 摘要: 氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些独特特性。氮化镓具有与硅相当的电子迁移率，但具有一个三倍大的带隙，使之成为极好的高功率应用和高温的候选人操作。能够形成薄型algan /GaN异质结构图，其表现出二维电子气体现象导致高电子迁移.
《炬丰科技-半导体工艺》制造氮化镓微电子层的方法
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：制造氮化镓微电子层的方法 编号：JFKJ-21-554 作者：炬丰科技 摘要 通过将硅层的表面转化为3c-碳化硅，制备了氮化镓微电子层。然后在硅层的转化表面上外延生长一层3c-碳化硅。然后在3c-碳化硅的外延生长层上生长一层2h-氮化镓。然后将2h-氮化镓层横向生长，产生氮化镓微电子层。在一个实施例中，硅层是硅基板，其表面被转化为3c-碳化硅。在另一实施例中，）硅层是植入OXygen(SIMOX)硅衬板分离的一部分，其中包括定义硅基底上的层的植入氧
《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓金属氧化物的表面制备和栅极氧化物沉积
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：氮化镓金属氧化物的表面制备和栅极氧化物沉积 编号：JFKJ-21-286 作者：炬丰科技 摘要 本文综述了极性氮化镓(GaN)表面、表面处理和表面处理的相关文献综述了与金属氧化物半导体器件相关的栅介质。研究了氮化镓生长技术和生长参数对氮化镓性能的重要意义 利用原位和非原位工艺修改氮化镓表面性质的能力以及氮化镓金属氧化物半导体的认识和性能研究进展(MOS)器件的介绍和讨论。分析缺陷集中的挑战和GaN MOS栅极堆的能量进行了讨论。 介绍 氮化镓...
《炬丰科技-半导体工艺》 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓
jfkj2021的博客
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《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓的制备与表征
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：氮化镓的制备与表征 编号：JFKJ-21-303 作者：炬丰科技 摘要 为提升硅衬底氮化镓基 LED（发光二极管）器件的光电性能和出光效率，本文提出了一种利用背后工艺实现的悬空薄膜蓝光 LED 器件。结合光刻工艺、深反应离子刻蚀和电感耦合等离子体反应离子刻蚀的背后工艺。 引言 氮化镓 (GaN) 作为Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材 料中的重要组成部分， 具有直接带隙易发光、热导率高、耐高温、耐酸碱、硬度高等优良的光电和机械性能[。通过改变氮化物中 In,..
《炬丰科技-半导体工艺》MEMS的外延氮化镓机械性能研究
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究 编号：JFKJ-21-826 作者：炬丰科技 摘要 氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注。以往的大部分报道都强调单个氮化镓薄膜的电感耦合等离子体刻蚀特性。本研究采用电感耦合等离子体刻蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀，刻蚀气体为氯气，添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：氮化镓的光伏效应 编号：JFKJ-21-301 作者：炬丰科技 摘要 采用宽带隙半导体材料或减小 p-n 结漏电流密度是增加开路电压以提高太阳能电池光电转换效率的重要途径。氮化镓( GaN) 是一种具有直接带隙的宽带隙化合物半导体材料，并已在光电器件领域得到广泛应用。以通过水热腐蚀制备的、具有优异宽波段光吸收性能的硅纳米孔柱阵列( Si-NPA) 为功能性衬底。 关键词: 光伏效应; 高开路电压; 异质结; 氮化镓/硅纳米孔柱阵列 引言 太阳光..
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你的错误逻辑正确逻辑找到 target 时返回 mid-1找到 target 时，继续向右查找（因为需要「大于」target 的最小字符）target <letters [mid] 时，mid 是候选，需保留，right=mid（左闭右开）或不立即排除 mid循环结束直接返回 letters [0]循环结束后，先判断 left 是否越界：越界则返回 letters [0]，否则返回 letters [left]初始right的取值与「越界判断」不匹配；
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[优选算法专题十.哈希表 ——NO.55~57 两数之和、判定是否互为字符重排、存在重复元素]
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【区块链技术（05）】区块链核心技术：哈希算法再区块链中的应用；区块哈希与默克尔树；公开密钥算法、编码和解码算法（BASE58、BASE64）
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