3、半导体元件：SCR与DIAC的特性、应用及注意事项

半导体元件：SCR与DIAC的特性、应用及注意事项

1. SCR常用缩写及参数

SCR（Silicon-Controlled Rectifier，可控硅整流器）有许多常用的缩写参数，这些参数对于理解和使用SCR至关重要。以下是一些常见参数的介绍：
| 缩写 | 含义 |
| ---- | ---- |
| VDRM | 最大重复正向电压，在门极无电压时（即SCR处于非导通模式）可施加到阳极的电压 |
| VRRM | 最大重复反向电压，在门极无电压时可施加到阳极的电压 |
| VTM | SCR导通模式下的最大导通电压，T表示该值随温度变化 |
| VGM | 正向最大门极电压 |
| VGT | 触发所需的最小门极电压 |
| VGD | 不会触发的最大门极电压 |
| IDRM | 峰值重复正向阻断电流（即最大泄漏电流） |
| IRRM | 峰值重复反向阻断电流（即关断状态下的泄漏电流） |
| IGM | 最大正向门极电流 |
| IT(RMS) | SCR导通模式下阳极与阴极之间的最大均方根电流，T表示该值随温度变化 |
| IT(AV) | SCR导通模式下阳极与阴极之间的最大平均电流，T表示该值随温度变化 |
| IGT | 触发所需的最大门极电流 |
| IH | 典型维持电流 |
| IL | 最大锁定电流 |
| TC | 外壳温度，通常表示为一个可接受的范围 |
| TJ | 工作结温，通常表示为一个可接受的范围 |

不同封装形式的SCR，其参数范围也有所不同：
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