32、桥臂串扰抑制电路与隧道节能潜力评估研究

桥臂串扰抑制电路与隧道节能潜力评估研究

桥臂串扰抑制电路研究

抑制桥臂电路中的串扰通常分为被动抑制和主动抑制两大类。

被动抑制电路

被动串扰抑制电路主要有以下两种方法：
- 增加驱动电阻 ：增加驱动电阻会降低电压和电流的转换速率。不过，如果驱动电阻过大，降低 $dv/dt$ 会限制 SiC MOSFET 的开关速度，无法发挥 SiC 器件的优势，还会增加开关损耗。因此，在确保开关速度满足系统要求的前提下，可以适当增加驱动电阻。
- 栅源间并联电容 ：在 SiC MOSFET 的栅源间并联电容，相当于增加了栅源电极间的等效电容。随着并联电容的增加，抑制效果会越来越明显。但这种方法和增加驱动电阻一样，会显著降低器件的开关速度，无法实现高速开关。

被动抑制方法	原理	缺点
增加驱动电阻	降低电压和电流转换速率	限制开关速度，增加开关损耗
栅源间并联电容	增加栅源等效电容	降低开关速度

主动抑制电路

主动串扰抑制电路主要包括三极管或小辅助 MOSFET，主要有以下四种类型：
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