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在采用高密度 3D NAND 闪存的当代 SSD 中，频繁调用读重试过程对充分利用闪存通道的最大 I/O 带宽构成了重大挑战。在本文中，提出了一种新颖的读重试优化方案，Retry-in-Flash (RiF)，它主动最大限度地减少传统读重试过程中浪费的时间。与专注于识别感测页的最佳读取参考电压的现有读取重试解决方案不同，RiF方案专注于及早确定感测数据是否需要读取重试。为了尽早了解是否需要读取重试，我们提出了一种支持 RiF 的闪存芯片，ODEAR)引擎。

论文基于闪存的固态硬盘 (SSD) 设计和实现容量可变存储系统 (CVSS) 。 CVSS 旨在通过允许存储容量随着时间的推移适度减少，从而防止出现故障缓慢症状（fail-slow symptoms），从而在 SSD 的整个生命周期内保持高性能。 CVSS 由三个关键组件组成：(1) CV-SSD，一种可以最大限度地减少写入放大并随着时间的推移适度减少其输出容量的 SSD； (2) CV-FS，弹性逻辑分区的日志结构文件系统； (3)CV-manager，一个用户级程序，根据存储系统的状态编排系统组件。

本文提出了无效数据辅助策略（invalid-data assisted strategies）以提高基于 3D QLC NAND闪存系统中有效数据的性能和可靠性。这一策略主要包括三个部分：重新编程（re-programming，RP）方案、不编程（not-programming，NP）方案和自适应数据分配器（adaptive data allocation，ADA）。

3D NAND 闪存通过垂直堆叠字线 (WL) 来实现闪存容量的持续增长。然而，随着闪存块中WL数量的增加，3D NAND闪存在不同WL之间表现出很强的工艺差异性，这使得SSD难以充分利用闪存块的最大耐用性，从而缩短SSD的寿命。论文提出了一种新的系统级块擦除方案，称为 GuardedErase，用于延长 3D 闪存块的寿命。