简单可读写ram(但地址线,双数据线:输入数据线+输出数据线)

该博客介绍了如何使用VHDL语言设计一个8位地址、16位数据线的可读写RAM模块。模块包含读写控制、地址线和数据输入输出。同时,给出了测试激励,详细展示了如何向RAM写入数据并在不同地址读取,验证了RAM的功能正确性。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

模块程序:

实例化一个8*16的可读写ram,单地址线,双数据线,写入数据马上体现在输出数据线上。 

`timescale 1ns / 1ps

module ram1(
    input r_w,//读写选控1为读,0为写。
    input [2:0] addr,//地址线
    input [15:0] data_i,//输入数据
    output [15:0] data_o//输出数据
    );
    
reg [15:0] ram [7:0];  //例化8个16位的存储空间
assign data_o=ram[addr];//读操作。
always @(r_w or addr)//当地址和控制线变化时运行,写操作。
    if(~r_w)
        ram[addr]<=data_i;

endmodule

激励:

`timescale 1ns / 1ps


module test_ram();
    reg r_w;
    reg [2:0] addr;
    reg [15:0] data;
    wire [15:0] data1;
    ram1 test_rom1(
    .r_w(r_w),
    .addr(addr),
    .data_i(data),
    .data_o(data1)
    );
    
    
    
    initial 
    begin
    r_w=0;
    addr=3'b000;
    data=16'b0000_0000_0000_0111;
   
    #20
    r_w=0;
    addr=3'b001;
    data=16'b0000_0000_0000_0110;
    
    #20;
    r_w=0;
    addr=3'b010;
    data=16'b0000_0000_0000_0101;
   
    #20
    r_w=0;
    addr=3'b011;
    data=16'b0000_0000_0000_0100;
   
    #20;
    r_w=0;
    addr=3'b100;
    data=16'b0000_0000_0000_0011;
   
    #20
    r_w=0;
    addr=3'b101;
    data=16'b0000_0000_0000_0010;
  
    #20;
    r_w=0;
    addr=3'b110;
    data=16'b0000_0000_0000_0001;
  
    #20
    r_w=0;
    addr=3'b111;
    data=16'b0000_0000_0110_0000;
  
    #200;
    r_w=1;
    addr=3'b110;
    #100;
    
    addr=3'b100;
    #100; 
    end
endmodule
 

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