一张图了解SRAM\DRAM\NORFlash\NANDFlash\EEPROM\EPROM\PROM

存储器类型	速率（相对比较）	应用场景	成本（相对比较）	补充说明
SRAM	极快（纳秒级访问，比DRAM快2~3倍）	CPU高速缓存（L1/L2/L3）、FPGA、高性能嵌入式系统	极高（单位容量成本约为DRAM的4~8倍）	静态存储，无需刷新；易失性；体积大、功耗低（待机时）
DRAM	快（几十纳秒，但需刷新和行列延迟）	系统主内存（PC/服务器/手机RAM）、显卡显存（GDDR）	低（单位容量成本约为SRAM的1/4~1/8）	动态存储，需定期刷新；易失性；容量大、功耗较高
Nor Flash	读快（随机访问，类似RAM）；写/擦慢（毫秒级）	存储启动代码（BIOS/UEFI）、嵌入式系统固件、IoT设备程序存储	较高（单位容量成本约为NAND的2~5倍）	支持XIP（就地执行）；擦写次数约10万次；容量较小（MB~GB级）
NAND Flash	读较快（顺序访问）；写/擦慢（页/块操作）	大容量数据存储（SSD、U盘、手机存储卡）、固态硬盘（SLC/MLC/TLC/QLC）	极低（单位容量成本最低）	不支持XIP；需磨损均衡；擦写次数千至数万次；容量大（GB~TB级）
PROM	写一次（编程后永久固定）；读速度中等	早期固件存储、一次性配置设备（如加密狗）、特定工业控制	低（但已被淘汰，现多用Flash替代）	只写一次，不可擦除；非易失性；已逐步被Flash取代
EEPROM	读快（纳秒级）；写慢（字节擦写，毫秒级）	小数据存储（设备配置参数、序列号、IoT密钥）、MCU非易失存储	中高（单位字节成本高于NAND）	可按字节擦写；擦写次数约10万~100万次；容量小（KB级）
EPROM	读快；擦除需紫外线照射（分钟级）	历史产品（80-90年代固件开发）、教育实验、老旧设备维护	中（已基本淘汰）	窗口式封装可紫外线擦除；需专用编程器；现已被EEPROM/Flash替代