8、自对准SEG SiGe基HBT技术及其应用

自对准SEG SiGe基HBT技术及其应用

在当今高速发展的通信领域，对于高速、高可靠性且成本效益高的技术需求愈发迫切。自对准选择性外延生长（SEG）硅锗（SiGe）基异质结双极晶体管（HBT）技术因其具有的诸多优势，有望在未来的通信系统中发挥重要作用。

1. SiGe HBT在40 Gb/s光纤链路系统中的潜力

在全球通信应用中，以40 Gb/s数据速率运行的未来光纤链路系统对技术的要求极高。自对准SEG SiGe基HBT技术凭借其高可靠性和成本效益，被认为将在其中扮演重要角色。

以下是使用SiGe HBT制造的40 Gb/s光纤链路系统测试IC芯片组的性能：
| 电路 | 最大速度/带宽 | 备注 |
| — | — | — |
| 复用器 | 40 Gb/s | 2:1, 40 GHz DFF |
| 前置放大器 | 35.1 GHz | ZT = 48 - 7 dBii |
| AGC放大器 | 31.6 - 32.7 GHz | 动态范围 = 19 dB |
| 判决电路 | 40 Gb/s | - |
| 解复用器 | 40 Gb/s | 1:2, 40 GHZ DFF |
| 静态分频器 | 50 GHz | - |

从这些数据可以看出，SiGe HBT在各个关键电路中都展现出了良好的性能，能够满足40 Gb/s光纤链路系统的基本要求。

2. SiGe HBT与CMOS的结合

对于未来的光数据通信系统和微波/毫米波系统，高速运行和更复杂的功能是必不可少的。因此，与CMOS工艺完全兼容的超高速晶体管至关重要。SiGe HBT具