DDR3 硬件Layout设计

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前言

DDR3按照引脚功能可以分为：数据线、地址线、控制线、电源/参考引脚。
下面以2片镁光的DDR3（MT41K256M16HA-125IT） 为例：

一、DDR3管脚功能介绍

分组	信号名	功能描述
数据线	DQ0~DQ15	数据位
	DQSP_0、DQSN_0、DQSP_1、DQSN_1	数据选通
	DM0、DM1	数据屏蔽
地址线	A0~A15	地址位
	BA0~BA2	Bank选通
控制线	CKE	时钟使能
	CK、CK#	时钟信号
	CS#	片选信号
	RAS#	行地址选通
	CAS#	列地址选通
	WE#	写使能
	RESET#	复位信号
	ODT	片上终端电阻使能
	ZQ	阻抗校准、驱动强度调整
电源/参考引脚	VDD	电源电压,1.5V±0,075V
	VED0	DQ电源,1.5V±0.075V
	VREFCA	控制、地址的参考电压
	VREFDQ	数据的参考电压
	VSS	地
	VSSQ	DQ地

二、DDR3 Layout分组

分组	信号	Layout设计要求
数据分组1	DQ0~DQ7、DQSP_0、DQSN_0、DM0	组内等长±10mil
数据分组2	DQ8~DQ15、DQSP_1、DQSN_1、DM1	组内等长±10mil
数据分组3	DQ16~DQ23、DQSP_2、DQSN_2、DM2	组内等长±10mil
数据分组4	DQ24~DQ31、DQSP_3、DQSN_3、DM3	组内等长±10mil
地址/命令分组	A0~A15、BA0-BA2、RAS#、CAS#、WE#	组内等长±10mil
控制分组	CS#、ODT、CKE
时钟分组	CK、CK#	差分等长±5mil，最大走线长度2500mil

三、Layout拓扑结构设计

在设计2片DDR3的PCB布局时，常用的拓扑结构包括T型拓扑和Fly-by拓扑（菊花链拓扑）。选择适合的拓扑结构需要根据主控芯片的支持情况、信号完整性要求以及同步噪声的处理能力来决定。

1.T型拓扑

T型拓扑的特点是地址、命令和时钟信号到达每个DDR3芯片的距离相等，信号同步性较好，但同步切换噪声会叠加。此拓扑无需进行Write Leveling（写均衡），适合不支持Write Leveling的主控芯片。

2.Fly-by拓扑

Fly-by拓扑通过信号依次传递到每个DDR3芯片，有效降低同步切换噪声，信号完整性更好，但需要主控支持Write Leveling功能。
菊花链拓扑结构侧重于确保各驱动端至信号主干道的长度最短。它虽在同步性上有所妥协，却能有效缩短各负载分支的走线长度，从而减少分支信号对主干信号的反射干扰。

建议：对于对同步性要求不高的硬件设计建议优先选择Fly-by（菊花链）拓扑（个人项目经历：菊花链用的较多一些）

四、Layout布线设计

阻抗要求：单端50Ω±10%，差分100Ω±10%；
走线设计同组尽量要走同层设计；
信号蛇形走线中心间距要满足3倍线宽原则；

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