TVS二极管电压6V,有哪些型号?

本文介绍了6V瞬态抑制二极管的不同型号,包括SOD-123、SMA/DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMC/DO-214AB和R-6/P600封装的各类单向和双向二极管,详细列出了每个型号的功率。还提到了双向TVS的漏电流较大,测试电流和时间的选择需要注意,以避免损坏二极管。最后指出,击穿电压的偏差通常为±5%,并鼓励读者咨询更多相关信息。

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瞬态抑制TVS二极管工作电压范围从3.3V-600V,之前科普过200V、300V、400V等高压TVS二极管有关型号、参数、应用等方面的知识,今天要讲解的是6V瞬态抑制二极管,被咨询最多问题之一。不同的客户,对于TVS二极管的咨询侧重点不同,大部分客户都是奔着封装、功率、电容、电压、型号、丝印印字等关键词前来咨询的。关于工作电压,算是咨询频率比较高的因素之一。那么,工作电压6V的瞬态抑制二极管型号,具体有哪些呢?
TVS二极管工作原理

根据东沃电子TVS二极管产品手册查询可知,6V瞬态抑制二极管型号有:
1)SOD-123封装:SMF6.0A(单向、功率200W)、SMF6.0CA(双向、功率200W)、SMF4L6.0A(单向、功率400W)、SMF4L6.0CA(双向、功率400W);
2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ6.0A(单向、功率400W)、SMAJ6.0CA(双向、功率400W)、SMA6J6.0A(单向、功率600W)、SMA6J6.0CA(双向、功率600W);
3)SMB/DO-214AA封装:SMBJ6.0A(单向、功率600W)、SMBJ6.0CA(双向、功率600W)、SMB10J6.0A(单向、功率1000W)、SMB10J6.0CA(双向、功率1000W);
4)SMC/DO-214AB封装:SMCJ6.0A(单向、功率1500W)、SMCJ6.0CA(双向、功率1500W)、SMDJ6.0A(单向、功率3000W)、SMDJ6.0CA(双向、功率3000W);
5)R-6/P600封装:3KP6.0A(单向、功率3000W)、3KP6.0CA(双向、功率3000W)、5KP6.0A(单向、功率5000W)、5KP6.0CA(双向、功率5000W);
双向TVS二极管SMDJ6.0CA

具体参数,详见对应型号的产品规格书。6V瞬态抑制二极管,属于电压TVS,对于同功率和同电压的TVS来说,在VRWM≤10V 时,双向TVS 漏电流是单向TVS 漏电流的2 倍,也就是说双向漏电流比较大。同时,还需要注意的是,由于低压TVS漏电流较大,为此,测试电流选取的测试电流也较大,比如SMAJ6.0A,测试电流选取10mA,电流施加时间应不能超过400ms,否则容易导致瞬态抑制TVS二极管受热损坏。最小击穿电压和最大击穿电压是瞬态抑制二极管击穿电压的一个偏差,一般为±5%的偏差。瞬态抑制TVS二极管测试时,击穿电压落在最小击穿电压和最大击穿电压之间,则视为合格品!想了解更多有关6V低压瞬态抑制二极管的信息,可随时咨询东沃电子!
TVS二极管型号

<think>嗯,用户问有没有钳位电压0.3V的TVS二极管。我需要先确认TVS二极管的一般参数范围。通常TVS的钳位电压比工作电压高,比如常见的5V、12V等。0.3V似乎非常低,可能不太常见。 用户之前的问题是关于保护AMC1100的差分输入,之前的回答中提到了使用钳位电压±300mV的TVS,可能用户在这里想确认是否存在这样的器件。或者用户可能误解了TVS的钳位电压和击穿电压的区别,比如将击穿电压当成了钳位电压。 需要查阅一些TVS二极管的规格书,看看是否有这么低电压型号。同时,考虑到AMC1100的最大差分输入是±250mV,所以钳位在0.3V的话,可能刚好接近其极限,但实际应用中是否可行? 另外,用户可能的需求是寻找一种能够在低电压下进行保护的方案,如果TVS无法满足,可能需要替代方案,比如使用二极管钳位或其他电路。 需要明确TVS的参数,通常钳位电压会比击穿电压高,例如SMAJ5.0A的击穿电压6.4V到7.9V,钳位电压在10V左右。所以0.3V的钳位电压可能不存在于标准TVS产品中。 这时候可能需要建议用户使用其他方法,比如肖特基二极管或者稳压二极管,或者调整电路设计,比如增加限流电阻来降低电压,或者使用差分放大器前端的保护电路。 另外,考虑到用户之前的保护电路设计,限流电阻已经将过压限制到0.3V,可能用户想进一步确认是否有TVS可以在这个电压下工作,或者是否需要额外的钳位措施。 需要解释TVS二极管的标准参数范围,并给出替代方案,确保用户理解如何在低电压下实现保护,同时保持信号完整性。</think>目前市场上 **标准TVS二极管的最小钳位电压通常在5V以上**(如SMAJ5.0CA钳位电压约9V),**直接支持0.3V钳位的TVS二极管并不存在**。但针对AMC1100等低差分电压(±250mV)场景,可通过以下方案实现等效保护: --- ### **1. 为什么没有0.3V的TVS?** - **物理限制**:TVS二极管基于雪崩击穿原理,击穿电压(V<sub>BR</sub>)和钳位电压(V<sub>C</sub>)受半导体材料特性限制,难以做到毫伏级。 - **典型参数范围**: - 最小击穿电压:约5V(如SMAJ5.0CA的V<sub>BR</sub>=6.4~7.9V)。 - 钳位电压:通常为击穿电压的1.5~3倍(如5V击穿电压对应9~15V钳位电压)。 --- ### **2. 替代方案:低压差钳位电路** #### **(1) 肖特基二极管钳位** - **原理**:利用肖特基二极管低正向压降(0.2~0.4V)特性,直接跨接在VINP和VINN之间。 - **电路设计**: - 选择双肖特基二极管(如BAT54S),反向并联形成双向钳位: ``` VINP ──┬───[限流电阻]───→ AMC1100 │ [BAT54S] │ VINN ──┴───[限流电阻]───→ AMC1100 ``` - **优势**:响应速度快(ns级),压降低(约0.3V),成本低。 - **注意**:需串联限流电阻(如470Ω~1kΩ),防止过流烧毁二极管。 #### **(2) 稳压二极管(Zener) + 电阻网络** - **原理**:通过电阻分压降低钳位电压,需精细计算: ``` VINP ──┬───[R1]───┬───→ AMC1100 │ [Zener](如3.3V) │ │ VINN ──┴───[R2]───┴───→ AMC1100 ``` - 若R1=R2=1kΩ,3.3V Zener等效钳位电压为1.65V,需进一步调整电阻比。 #### **(3) 集成保护芯片** - **专用低电压保护IC**: - 例如:Littelfuse的SP3022(±15kV ESD保护,钳位电压约±8V),虽不直接支持0.3V,但配合限流电阻可间接实现低压保护。 - 低钳位TVS阵列:如ON Semiconductor的ESD9B3.3ST5G(钳位电压9V),需结合前端衰减电路。 --- ### **3. 关键设计要点** 1. **限流电阻必选**: - 串联电阻(如470Ω~1kΩ)限制电流至1mA以下,避免钳位元件过载。 - 功率计算:$$P = I^2 R$$,例如1mA通过1kΩ时功耗仅1mW(安全)。 2. **带宽与信号衰减**: - RC滤波截止频率需高于信号频率(如$$f_c = \frac{1}{2\pi R C}$$,R=470Ω、C=1nF时,f_c≈338kHz)。 3. **布局优化**: - 钳位元件靠近AMC1100输入端,减少引线电感影响。 --- ### **4. 推荐方案(基于AMC1100)** - **最优选择**:肖特基二极管(如BAT54S) + 限流电阻(470Ω)。 - **验证结果**: - 输入±5V瞬态时,钳位后差分电压≈0.3V,电流≈(5V-0.3V)/470Ω≈10mA(需确保二极管峰值电流耐受)。 - **替代方案**:若无肖特基二极管,可用普通开关二极管(如1N4148,压降≈0.7V),但需降低限流电阻阻值。 --- ### **5. 总结** - **无0.3V TVS**,但可通过肖特基二极管+限流电阻实现等效功能。 - **核心目标**:将差分电压限制在AMC1100最大耐受值(±250mV)内,同时避免输入电流超过10mA。
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