Nand Flash坏块管理, OOB, ECC, BBT

本文介绍了NAND Flash的工作原理,特别是坏块的产生、分类、管理和纠正方法。包括坏块表(BBT)的作用和ECC校验机制,以及如何通过特定的标记位识别和处理坏块。
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0.NAND的操作管理方式

NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例(不同型号的Flash, 其block, page, obb的size是不同的),

一片Nand flash为一个设备(device)

1 (Device) = xxxx (Blocks)

1 (Block) = xxxx (Pages)

1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小

OOB大小16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。



关于OOB区,是每个Page都有的。Page大小是512字节的NAND每页分配16字节的OOB;如果NAND物理上是2K的Page,则每个Page分配64字节的OOB。如下图:

不同型号的flash一个page的大小也不同, pagesize或者为512+16字节, 或者为2048+64字节; 

以pagesize=2048+64的为例:2048字节是数据区,也被称为main area; 后面的64字节是OOB(out of band), 也可以被成为spare area;

OBB区域用于存储ECC, 每个block第一个page的obb区的第6个字节是坏块标志(非0xff表示坏块);

1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages = (128K + 4K) Bytes




1.为什么会出现坏块 ?
    由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位


2.坏块的分类 
   总体上,坏块可以分为两大类:(1)固有坏块:这是生产过程中产生的坏块,一般芯片原厂都会在出厂时都会将每个坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的 值。(2)使用坏块:这是在NAND Flash使用过程中,如果Block Erase或者Page Program错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的 spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。


3.坏块管理 
    根据上面的这些叙述,可以了解NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息,因此, 如果在擦除一个块之前,一定要先check一下第一页的spare area的第6个byte是否是0xff,如果是就证明这是一个好块,可以擦除;如果是非0xff,那么就不能擦除,以免将坏块标记擦掉。 当然,这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”,因为在芯片操作过程中可能由于 电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是,为了数据的可靠性及软件设计的简单化,还是需要遵照这个标准。


可以用BBT:bad block table (坏块表),即坏块表来进行管理。各家对nand的坏块管理方法都有差异。

比如专门用nand做存储的,会把bbt放到block0,因为第0块一定是好的块。

但是如果nand本身被用来boot,那么第0块就要存放程序,不能放bbt了。 有的把bbt放到最后一块,当然,这一块坚决不能为坏块。 bbt的大小跟nand大小有关,nand越大,需要的bbt也就越大。


OOB是每个页(512~2048字节不等)都有的数据,里面存的有ECC(当然不仅仅ECC,还有坏块标记);

针对每个BLOCK的坏块识别则是该块第一页spare area的第六个字节。 

BBT(坏块表)是一个FLASH才有一个;




4.坏块纠正

     ECC: NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错。一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测。 
      ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据,这三字节共24比特分成两部分:6比特的列校验和16比特的行校验,多余的两个比特置1。(512生成两组ECC,共6字节)  
      当往NAND Flash的page中写入数据的时候,每256字节我们生成一个ECC校验和,称之为原ECC校验和,保存到PAGE的OOB (out- of-band)数据区中。其位置就是eccpos[]。校验的时候,根据上述ECC生成原理不难推断:将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验和按位异或,若结果为0,则表示不存在错(或是出现了ECC无法检测的错误);若3个字节异或结果中存在11个比特位为1,表示存在一个比特错误,且可纠正;若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1,表示OOB区出错;其他情况均表示出现了无法纠正的错误。 


5.补充 
(1)需要对前面由于Page Program错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块,首先就要把块里其他好的面的内容备份到另外一个空的好块里面,然后,把这个块标记为坏块。当然,这可能会犯“错杀”之误,一个补救的办法,就是在进行完块备份之后,再将这个坏块擦除一遍,如果Block Erase发生错误,那就证明这个块是个真正的坏块,那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧! 
(2)可能有人会问,为什么要使用每个块第一页的spare area的第六个byte作为坏块标记。这是NAND Flash生产商的默认约定,你可以看到Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。

     (3)为什么好块用0xff来标记?因为Nand Flash的擦除即是将相应块的位全部变为1,写操作时只能把芯片每一位(bit)只能从1变为0,而不能从0变为1。0XFF这个值就是标识擦除成功是好块。



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<think>嗯,用户这次明确询问NAND Flash坏块的读取方法,看来是在做嵌入式存储相关的开发或维护工作。从用户引用的三篇资料看,ta应该已经掌握了坏块的基本概念和管理机制,现在需要具体的技术实现细节。 用户可能正在调试NAND Flash驱动,或者遇到了坏块导致的数据读取问题。考虑到ta引用的资料都偏向技术文档,应该是工程师而非学生,需要的是可直接落地的解决方案而非理论说明。尤其要注意的是,用户特别强调“不是需求参考”,说明ta需要的是精准的操作指南。 根据技术资料和行业经验,读取坏块的关键在于处理OOB区域: 1. 工厂原始坏块通过第1spare区的特定字节标识,量产时就要检测 2. 使用中产生的坏块要在每次擦除后校验状态,这个最容易遗漏 3. 运行时读取遇到ECC错误需立即中止,避免数据污染 需要特别提醒用户注意规避的坑: - 有些主控芯片会自动重映射坏块,但软件层仍需检测原始位置 - MLC/TLC的坏块率比SLC高得多,读取策略要更保守 - 温度变化可能导致临时性读取错误,要区分软错误和硬错误 考虑到用户可能用不同型号的Flash,补充了ONFi标准结构图示很有必要——镁光、三星、东芝的坏块标记位置各有差异。最后提出的三个延伸问题都直指工程实践核心: 1. 数据恢复是用户最可能的紧急需求 2. 文件系统兼容性决定方案普适性 3. 检测频率直接影响产品寿命 下次如果用户继续追问,可以展开讲BBT表的具体实现方式,比如Linux MTD层用的slftest_bbt.c机制。 </think>以下是NAND Flash坏块的读取方法及关键技术要点: ### 一、核心读取原理 NAND Flash通过**OOB区域(Spare Area)** 存储坏块标记,该区域位于每个Page末尾(通常占16-64字节)。读取时需额外访问OOB数据以识别坏块状态[^1][^3]。 ### 二、具体读取方法 #### 1. **工厂原始坏块识别** - **位置**:每Block的第一个Page的OOB区域(特定字节位置) - **标记值**: - `0xFF`(正常块) - **非`0xFF`**(如`0x00`或其他值)表示坏块[^1][^3] - **操作伪代码**: ```c read_oob(block0_page0, oob_data); // 读取Block0第一个Page的OOB if (oob_data[bad_block_marker] != 0xFF) mark_as_bad_block(block0); // 标记为坏块 ``` #### 2. **使用中产生的坏块检测** - **擦除失败检测**: ```c erase_block(blockX); if (erase_status == FAIL) mark_as_bad_block(blockX); // 擦除失败即标记坏块[^3] ``` - **ECC校验失败**: - 读取数据时若ECC校验持续失败超过阈值(如单>4bit错误),触发坏块标记[^2] #### 3. **运行时读取流程 ```mermaid graph LR A[发起读取请求] --> B{检查坏块表} B -->|坏块| C[重映射到备用块] B -->|正常块| D[读取数据+OOB] D --> E{ECC校验} E -->|成功| F[返回数据] E -->|失败| G[重试/标记坏块] ``` ### 三、关键实现技术 1. **坏块表(BBT管理**: - 在RAM中维护**动态坏块映射表** - 开机时扫描全盘构建初始BBT[^1] 2. **重映射机制**: - 用预留的**备用块池**替换坏块(通常预留2-5%容量) - 逻辑地址到物理地址的转换通过FTL层实现[^2] 3. **特殊接口操作**: - 使用`Read OOB`命令直接读取标记区 - ONFi标准设备可通过`Get Features`命令查询坏块状态 > **重要提示**:读取过程中严禁直接访问坏块数据,否则可能导致: > - 数据错误扩散(如TLC/QLC闪存) > - 控制器死锁 > - 物理损坏加剧[^1][^3] ### 四、不同NAND类型的差异 | 类型 | 坏块标记位置 | 典型错误阈值 | |--------|----------------------|--------------| | SLC | Page0 OOB字节1 | 1 bit/512B | | MLC | Page0 OOB字节1-2 | 4 bit/2KB | | TLC/QLC| 特定元数据区(需查DS)| 40 bit/4KB |
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