nand flash oob区与坏快标记

基于3.10.90内核代码

对于nand flash, 坏块标记一般位于每个block的第一个page页spare区的第一个字节。如一个page为2k+64Byte, 则 64为spare区，用来存放oob和ecc，以及block的坏块标记（只有某些页如第一页）。对于一些文件系统如 yaffs2和jffs2会使用到 oob区来存放一些数据 。由于坏块标记位于 spare区的第一个字节，则 oob数据需要跳过该位置。

 

在  atmel_nand.c (drivers\mtd\nand) 里：

static struct nand_ecclayout atmel_oobinfo_large = {

.eccbytes = 4,

.eccpos = {60, 61, 62, 63},

.oobfree = {

{2, 58}  // 2表示oob偏移两个字节，从而与坏块标记位错开。

},

};

 

通过 atmel_hw_nand_init_params 里：

nand_chip->ecc.layout = &atmel_oobinfo_large;

 

在 mtd 设备操作时：

mtd->_write_oob = nand_write_oob

nand_write_oob  // nand_base.c (drivers\mtd\nand)

nand_do_write_oob   

nand_fill_oob 

case MTD_OPS_AUTO_OOB  时会使用下面的  中的 offset, 对oob区中的数据进行偏移

 struct nand_oobfree *free = chip->ecc.layout->oobfree;

 boffs = free->offset + woffs;  // 对应的上面的 offset 进行偏移 2个字节，不是从spare区顶头写

 memcpy(chip->oob_poi + boffs, oob, bytes);