电子元器件与电路设计要点

索引

A

异常情况，324
输入瞬态，345e347
输出过载，343e344
过压保护，348e349
瞬态抑制器，347e348，347f
开启和关闭，349e350，350f
吸收损耗，屏蔽效能决定因素，385，386f
交流电路，151
交流参数
比较器，245e247
低电平有效优点，246，247f
负载阻抗，246，246f
过驱动，245e246，245f
脉冲定时误差，246e247，247f
运算放大器，222，222f
加速器，热应力，85
IGBT的致命弱点，205e206
丙烯酸类材料，87e88
有源器件
双极型晶体管，181e189
二极管，161e175
绝缘栅双极型晶体管，203e206
结型场效应晶体管，189e194
MOSFET，194e203
晶闸管和双向可控硅，175e181
宽禁带器件，206e208
模数转换器。参见模数转换器（ADCs）
高级电路保护，364，364f
Ah。参见安时（Ah）
空气冷却，散热器，82
混叠，295，296f
碱性二氧化锰，357
交流发电机，汽车瞬态，369e370，371f
海拔，空气冷却，433
氧化铝，95e97
铝
导电性，5e6
铝的电气连接，6f
金属的，7t
其他材料，6
电解的，128
外壳，98
氧化铝（Al2O3），5e6，125
调幅发射机。参见调幅发射机（AM transmitters）

美国市电电缆，27
美国供电电压，326
美国线规（AWG），25te26t，32e33
安时（Ah），354
放大器噪声，235e237
运算放大器噪声模型，235f
标准运算放大器反相放大器，235f
放大器，11e14，13f，111，182，190
高输入阻抗，86，193
输入信号地，11e14，13f
调幅发射机（AM transmitters），368，372
模拟电路，383
模拟集成电路，239
模拟集成电路
电路建模，256e257
比较器，244e252
理想运算放大器，211e212
实际运算放大器，212e244
电压基准，252e256
模拟开关，192，192f
模数转换，311e317
数字化，313e317，314f
示例，315e317
量化噪声，316f
模数转换器（ADCs），272，272t
转换方法，291
计数型，318，318f
双斜率型，319，319f
闪存，317，318f
模数/数模转换限制，294e295
信噪比、阶数与过采样率的关系，320f
西格玛‐德尔塔调制器，319e320，320f
逐次逼近型，318e319，319f
类型，317e320
模拟开关应用，结型场效应晶体管（JFET），191e193，216
孔洞，屏蔽效能决定因素，385e388，387f
专用集成电路（ASICs），261e262
阿伦尼乌斯方程，422
布线图，88e90
使用外包服务，89
外包服务的缺点，89e90
专用集成电路（ASICs）。参见 专用集成电路（ASICs）
汇编语言，297

非稳态看门狗，300，300f
AT切型晶体，151e152
频率/温度曲线，155，156f
ATE。参见自动测试设备（ATE）
衰减，31
音频电缆，同轴电缆，31e32
奥氏体不锈钢，355
澳大拉西亚，电磁兼容性法规和标准，373
自动限流器，330
自动测试设备（ATE），409，413e414
汽车瞬态，369e370，371f
可用性，55，240e242
双封装，242
行业标准，241e242
四封装，242
“平均”公差，104
平均技术，输入数据验证与平均保护技术，306e307
AWG。参见美国线规（AWG）

B

背对背齐纳对，174
“贝克钳位”，188e189
带隙参考源，253e255，253f
成本和互换性，253e255
带宽计算，噪声，229e230
阻挡层，124
基极‐发射极电阻器，双极型晶体管，182f，183
基本绝缘，405
基本统计行为，公差，100e102
电阻测量的随机分布，101f
电池，353e364
电池备份电源，305e306，305f
充电，362e364
初步考虑，353e357
机械设计，355，356t
串联和并联连接，354e355
存储、保质期和处置，355e357
电压和容量等级，354，354f
功率，353
一次电池，357e358
二次电池，358e361
电池和蓄电池指令，356
电池供电的RAM，305，305f
BC84系列，185e187，189
针床测试夹具，原理，412f
贝尔热龙图，40
“BeH”曲线，135，136f
偏置电流，216e217
电平，216
由于⋯⋯引起的输出偏移，216e217，217f

二进制数据，数据流，261
双极型输入运算放大器，212e244
双极型晶体管，181e189。另见 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
相比 MOSFET和双极型晶体管的优势，204e205
达林顿，184，184f
增益，185e187，186fe187f
分级，189
漏电流，181e183
饱和，183e184，184f
安全工作区（SOA），185
开关和高频性能，187e189，188f
加快关断，188e189，188f
“黑箱”设备，256
泄放电阻，添加，131
用于欧洲市电的“阻断”滤波器，392
BNC型连接器，12
电路板组装：表面贴装和通孔，74e85
印制板类型，51e59。另见 印制电路板（PCB）
尺寸选择，56e57
类型选择，54e56
结构类型，53e54
材料，51，52t
多层板，57e59
波特图，226
“标准模板”规范，91
玻尔兹曼常数，422
键合工艺，板件构造阶段，57e59，58f
自举，80
边界扫描，414e417
优势，417
描述，414e416
设备，416
原理，415f
10K门，417
测试，414e417
20K门，417
边界扫描单元（BSCs），415e416
边界扫描寄存器（BSR），416
黄铜，7t
击穿，165
栅极，196
第二次，185
分断能力，328
断开接地连接，19e20
“砖墙式”伏安特性，161

英国标准协会（BSI），375
英国电信，HRD4手册，425e426
欠压威胁，304，304f，345
BSCECC00015：第1部分：1991年标准，411
BS3939/IEC60617二极管符号，163f
BS4808标准，25，26t
BS5783标准，411，411f
BS613标准，393
BS6221第3部分设计标准，60，62
BS6500标准，27，27t
BS9000标准，423e424
边界扫描单元（BSCs）。参见 边界扫描单元（BSCs）
BSI。参见英国标准协会（BSI）
BSR。参见边界扫描寄存器（BSR）
金属膜片电阻器，105，108
布罗艺术图 使用，89
缺点，89e90
老化测试，424

C

C编程语言，297
“C‐tick”系统，373
电缆，24e36，399
同轴电缆，30f
串扰，33e36
数据和多芯电缆，28e30
电磁兼容性，397e399
电缆屏蔽端接，398f
屏蔽后壳，399
电缆屏蔽层端接，397e398
电源电缆，27
射频电缆，30e32
屏蔽层，21e22
导体与屏蔽层耦合电容，22f
连接选项，22f
终端，397e398
双绞线，32e33，32fe33f
类型，26
CAD自动布线软件包，65
布局软件，12
系统，64，89
镀镉钢，6
校准清单，通用产品设计，409
控制器局域网标准（CAN标准）。参见控制器局域网标准（CAN标准）
加拿大市电电缆，27
电容，267
容量
电池，359，360f
额定值，354，354f

热行为，83
电容耦合，串扰，34，380
电容性负载，227
电容器，117e134，118te119t
应用，129e130
容值变化，129e130
介电吸收，132e133
电解电容器，125e128
等效电路，131
阻抗，126
集成电路封装内部，270
金属化薄膜和纸介，117e122
多层陶瓷，122e124
选型，338e339
整流器，338e339
储能电容器，338
自谐振，133e134
串联电容器与直流漏电流，130e131
单层陶瓷，124e125
固体钽，128
类型和容值，269
碳膜电阻器，98，112e114
油墨，70
微调电阻器，112e113
载波侦听多路访问/冲突检测协议（CSMA/CD协议），288
盒式保险丝，328
共源共栅场效应管，194
外壳尺寸与结构，机械要求，350e352
带外壳的电源，351
盒式组件，351e352
CCITT V.24/V.28 标准，281
CECC认证体系，可靠性问题，423e424
CEE‐22 电源输入接口，27，406
电池单元，354e355
欧洲电工标准化委员会（CENELEC）。另见 欧洲电工标准化委员会（CENELEC）
陶瓷电容器，120，124
陶瓷谐振器，155e157。另见 无源器件
金属陶瓷电位器，113e114
氯氟烃，87
立方英尺每分钟（cfm）。另见 立方英尺每分钟（cfm）
特性阻抗，28，31
充电，362e364
铅酸电池，362e1363，362f
锂离子电池，364
镍镉和镍氢电池，363

机壳接地，5
检查表，408e409
校验和检查诊断，307
中国，电磁兼容性法规和标准，373
片式金属膜电阻器，98
片式电阻器，105
板型选择，54e55
逻辑类型选择，381e383
时钟频率，382e383
噪声容限，382e383
电源噪声，382e383
电路
高级电路保护，364,364f
电路板布局，155
断路器，407
设计，86e87,257,418e419
额外测试电阻，418f
使用数据多路复用器的测试时钟选型，419f
图示，238
法规，148
建模，256e257
消除漂移效应的技术，215e216
原理，36
电路设计与布局，电磁兼容性，381e384
模拟电路，383
逻辑类型选择，381e383
时钟频率，382e383
噪声容限，382e383
电源噪声，382e383
软件，383e384
CISPR标准，375,376t
16e1 准峰值测量接收机，377t
夹紧条，439,439f
钳位应用，齐纳二极管，173e175,173f
经典数据接口标准，280e284。另见 高性能数据接口标准
EIA‐232F，281e283,282t
EIA‐422，283e284
接口设计，284
典型的EIA‐232F和EIA‐422接口电路，285f
“经典”以太网，287e288
经典反馈方程，228
复杂逻辑块（CLB）。参见 复杂逻辑块（CLB）
清洁与测试，78e79
电气间隙距离，安全性问题，405e407
时钟，287,297e298,372,382e383,419f
CMOS，153
4000B CMOS，263
栅极门限区域，304
输入，271

共模抑制比（CMRR）。参见 共模抑制比（CMRR）
涂层，87，在进行之前需采取的步骤，87e88
同轴电缆，30f，38，42e44，43t，45t，288，289f，397e399，音频电缆，31e32
钴，137t
矫顽力，138
COG电介质，122e123
集电极‐发射极饱和电压，183
商用模拟集成电路，240，发射标准，372
公共阻抗滤波，396，397f，输出信号地，13fe14f，14e15，60e73，226，226f，378e379，378fe379f，396
共模效应，217e219，218f，CMRR，218，PSRR，218e219
共模抑制比（CMRR），217e218
比较器，244e252，291，交流参数，245e247，迟滞与振荡，248e251，输入电压限制，251e252，比较器参数与输入电压的关系，251e252，运算放大器作为，247e248，输出参数，244e245，244f，参数，251e252，源电流，252
复杂逻辑块（CLB），310
复杂可编程逻辑器件（CPLD），310，312f
元器件识别，79e80，防护，80，81f，极性标识，80
复合箔和编织层，30
凝露问题，温度等级，239e240
传导发射限值，376f
传导干扰耦合，电磁兼容性（EMC），378e379
导通，81e82，176，177f，178
导电层，51，塑料电位器，114
铝的导电性，5e6，金属导电性，7t，铝的电气连接，6f，其他材料，6

金属的，5e6，6f，7t
调制，204
导体阻抗，11
材料，31
电阻，61e62
趋肤深度与频率，146，146f
保形涂覆，87e88
应用，88
涂覆与封装，87
涂覆前的步骤，87e88
测试与返工，88
锥形压缩垫圈，438e439
连接，印制电路板设计规则，72e73，72f，348e349，351
连接器
EMC，397e399
屏蔽后壳，399
电缆屏蔽层端接，397e398
模塑件，73
恒流限流技术，输出过载，343e344，344f
恒定阻抗，走线宽度和间距，63
结构板类型，51e59，57fe58f，125e126，125f
外壳尺寸与结构，350e352
触点反弹，275e276，276f
控制器局域网络标准（CAN 标准），286
对流，82
冷却，82
传统螺旋切割薄膜电阻，107
功率器件，206
整流器，168
铜，31
编织层，29
覆层，51
电镀与表面处理，70
成本，54e55，240e242，325，326f
印制板类型，51e59
电压基准，253e255，254t
计数型模数转换器，318，318f
耦合电容，隔离数字信号，280
CPLD。参见 复杂可编程逻辑器件（CPLD）
爬电距离和电气间隙，安全性问题，405e406，406f
峰值因子，331，331fe332f，394
关键脉冲长度，传输线，37
串扰，33e36，62e63
数字串扰，34e36，35f
等效电路，34f

短路保护电路要求，348e349，349f
晶体，151e157
切割角度，151e152
陶瓷谐振器，155e157
等效电路，152，152f
振荡电路，153e155，154f
谐振，152e153
温度，155
原理，151
CSMA/CD过程。参见 载波侦听多路访问/冲突检测过程（CSMA/CD过程）
CTR。参见 电流传输比（CTR）
立方英尺每分钟（cfm），82，435
电流传输比（CTR），279
电流反馈运算放大器，242e244，243f
限流恒压充电，铅酸电池，362e364，362f
电流调节器应用，结型场效应晶体管（JFET），191e193，193f
电流，327，394。另见 电池
恒流限制，343e344，344f
折返式电流限制，344，345f
增益，186e187
电流抢夺，202e203
抗扰度，263
限流，330
峰值电流叠加，333
稳压器，193，193f
“孔径的截止频率”，387
循环，热行为，84

D

DeA。参见数模转换器（DAC）
数模转换系统，241，252，317e320
达林顿晶体管，184，184f
数据电缆，28e30
数据传输电缆特性，28t
数据通信电缆，28
屏蔽与微音效应，29e30
结构化数据电缆，29
电缆，28
通信，307e308
记录应用，306
和内存保护，307e308
数据通信，307e308
未使用的程序内存，308，308f
表格，187
数据电路终接设备。参见数据通信设备（DCE）

数据通信设备（DCE），281
数据终端设备（DTE），281
DB9S连接器，283f
直流漏电流，130e131，131fe132f
添加泄放电阻，131
DCE。见数据通信设备（DCE）
降额因子，可靠性问题，422e423
开关输入去抖动，275e276，277f
DEC‐Intel‐Xerox标准（DIX标准），287e288
去耦，268e271，269f
电容类型和容值，269
集成电路封装下的电容，270
距离，268e269
指导原则，271
低频去耦，270
由于纹波导致的慢变沿上的误触发，270f
防御性编程，306
失配程度，42
耗尽模式，191
压陷Zin，194，195f
设计考虑因素。另见通用产品设计安全问题，402e403
设计缺陷，426e427
面向生产的设，407e411。另见通用产品设计
检查表，408e409
静电放电的危害，409e411
设计评审，可靠性问题，426e427
PCB设计规则，60e73
铜镀层和表面处理，70
接地和电源分配，66e70
孔和焊盘尺寸，63e64
通孔焊盘，64，65f
过孔，64
表面贴装焊盘，64
阻焊层，70e71
端接和连接，72e73
边缘连接器系统，73
两部分连接器，72e73
走线布线，65e66
走线宽度和间距，60e63
导体电阻，61e62
恒定阻抗，63
电压击穿和串扰，62e63
设计技术，可测试性，417e419
压铸锌，6
介电常数，45t
材料，31

介电吸收，电容器，120，132e133，132f
差分连接，板间接口信号，16e18
差分数据标准，36
差分运放配置，111，111f
数字电路，261
模数转换，311e317
模数转换器类型，317e320
现场可编程门阵列（FPGA），310e311
硬件平台，309e310
接口，272e289
逻辑集成电路，261e271
使用微控制器，289e297
微处理器，297e306
可编程逻辑器件，310
软件保护技术，306e309
数字串扰，34e36，35f，62e63，242，378e381。另见 串扰
“数字器件”，373
数字分频器，300
数字电子技术，261
数字设备，辐射，372e373
数字集成电路，36，160e161
数字输入，306e307
从模拟输入生成数字电平，274e276
开关输入去抖动，275e276，277f
慢速输入对逻辑门的影响，275f
数字信号处理器（DSP），291e292
数模转换器（DAC），112e117，290e291，295fe296f
ADC的数字化阶段，313e317，314f
双列直插封装（DIL）。另见 双列直插封装（DIL）
DIN 41612 H15连接器，351e352
二极管，161e175，161f
方程，161e162
正向偏置，161e164
高频性能，166e167，167f
漏电流，165e166
方法，151
反向偏置，165
肖特基二极管，169e170
开关时间，167e169，168f
齐纳二极管用作钳位，173e175，173f
齐纳二极管，170e173，170f
电压暂降，302e303，304f，324，345，367t。另见 欠压威胁
介电损耗松弛，141
放电特性，电池，353，354f，358e361
分立半导体器件，160e161

处置指南，电池，355e357
耗散，239
距离，268e269
DIX标准。参见 DEC‐Intel‐Xerox标准（DIX标准）
双重绝缘，404e405
双Eurocard，56
双面镀通孔印制电路板，53f，54e55
双面印制电路板，53f，54
停机时间（D），420e421
漏极栅极偏置电压，194
漏极栅极电压，194
漏源过电压，MOSFETs，202
钻孔工艺，板件构造阶段，57e59，58f
驱动电平电阻，振荡电路，154
DSP。参见数字信号处理器（DSP）
DTE。参见 数据终端设备（DTE）
DTMF，157
双封装，运算放大器，242
双晶体管，164
双列直插封装（DIL），55
双斜率型，291
模数转换器，319，319f
动态停机，299
负载，266e267
噪声抗扰度，264e265，264f
性能，256
随机存取存储器，270，270f

E

“艾伯斯‐莫尔方程”，161e162
欧洲委员会（EC）。参见欧洲委员会（EC）
边缘连接器系统，73
边缘振荡，细微效应，249
电可擦可编程只读存储器（EEPROM），301e302,304
效率，334
电池，334
功率损耗来源，334
电源，324,333f,334
电阻网络，110
功率损耗来源，334
EIA 198标准，123t
EIA‐232F经典数据接口标准，281e283,282t,283f,285f
EIA‐422经典数据接口标准，282t,283e284,285f
EIA‐449标准，283e284
EIA‐485标准，282t,285
EIA‐530标准，283e284

EIA/RS‐232F接口标准，398
电磁感应，380
电击，352，403，404t
电气特性
板型选择，54e56
印刷电路板的电气特性，55
电气等效，热管理，427e440，428t，432f
电气干扰，330e331
电气定律，传输线，36
电危害，403e407
安全防护设计考虑，405e406
火灾隐患，407
绝缘类型，405
安全等级，404e405
安全隐患，404t
电化学腐蚀，114
电解电容器，125
电解电容器，125e128，423
结构，125e126，125f
漏电流，126
纹波电流和等效串联电阻（ESR），126e127
尺寸和重量，128
温度和寿命，127e128
电磁兼容性（EMC），366
电缆和连接器，397e399
电路设计与布局，381e384
EMC原理的经典应用，21
设计检查清单，399e400
指令，373e375
协调标准与非协调标准，375
合规途径，374e375
范围和覆盖，374
发射，372e373
滤波，389e396
抗扰度，367e372
确定和规定干扰影响，370e372
静电放电，370，371f
雷达，368e369
无线电发射机，368
瞬态，369e370，370f
重要性，367
干扰耦合机制，378e381
法规和标准，373e378
澳大拉西亚，373
现有标准，375e378，376t
美国，373
现象，367t
屏蔽，384e389

F

“Failsafe”网络，285
误触发，177e178，177f
扇出和负载，265e267
动态负载，266e267
逻辑驱动器输出特性，265f
逻辑输出负载，265f
传播和转换延迟，266f
风扇，热行为，435
法拉第笼，384e385
快速以太网，288
“快速恢复”二极管，168，168f
故障条件，85，330，407
联邦通信委员会（FCC），373

反馈环不稳定性，226
穿心电容器，394e396，396fe397f
电路考虑，396
穿心电容，395e396
铁氧体磁珠，142，142f
铁氧体，136e137
场效应晶体管（FETs）。参见场效应晶体管（FETs）
光纤路径，288
玻璃纤维，78
现场可编程门阵列（FPGAs），261e262，310e311，313f
场效应晶体管（FETs），189
作为模拟开关，192
沟道电导gDS与栅源电压VGS的关系，190f
金属氧化物半导体场效应晶体管，194
场效应晶体管的优点，192
薄膜和纸质电容器，117e122，118te119t，120fe121f
滤波，273，290
电磁兼容性，389e396
穿心电容器和三端电容器，394e396
输入/输出滤波器，394
低通滤波器，390e392，390f
电源滤波器，392e394，393f
滤波器，400
“指状”图案，73
火灾隐患，407
“鱼珠”，72
阻燃材料，407
闪存，291
模数转换器，317，318f
柔性板，55e56
刚柔结合印制电路板，53f，54
柔性结构板类型，53f，54
闪烁噪声，231e232
触发器，271，307
调频波段发射机，368
箔，30
折返式限流技术，344，345f
强制风冷，434e435
强制对流冷却，82
正向波和反射波，39
正向偏置，161e164
正向电流，162
正向电压的温度依赖性，162e164，163fe164f
正向电流，162
正向恢复时间，167
4000B CMOS，263
“四象限”触发，176e177

四线以太网电缆，288
傅里叶变换，231
现场可编程门阵列（FPGAs）。参见 现场可编程门阵列（FPGAs）
“FR4”环氧玻璃布板材料的NEMA规范，51
频率，42，333，333f
频域，40e47
介电常数，45t
阻抗变换，42，45t
有损传输线，42e46
短路传输线脉冲生成，41f
驻波分布与频率的关系，42
沿传输线的驻波，41f
传输线阻抗的图形表示，46e47
功能测试，413e414
保险丝，327e328，328f
熔断型和安全电阻，110

G

双极型晶体管的增益，185e187，186fe187f
增益带宽积（GBW），211
增益‐带宽滚降，224e225，225f
氮化镓（GaN），206
气体电池，355
安全问题，355，404t，407
栅极，175
击穿，196
电流断点，194，195f
漏电流，193
保护，196e197，196f
栅极驱动阻抗，199e201，199f
栅源过压，200e201，200f
源极引线电感，201，201f
MOS或CMOS器件的栅氧击穿，410
栅源过压，200e201，200f
GBW。参见增益带宽积（GBW）
GCPrevue软件，90
通用产品设计
面向生产的设，407e411
电的危害，403e407
可靠性，419e427
安全性，402e403
可测试性，412e419
热管理，427e440
从模拟输入生成数字电平，274e276
开关输入去抖动，275e276，277f
慢速输入对逻辑门的影响，275f

“通用”布线，29
Gerber格式，90
德国ZVEI，369
千兆以太网，288
“粘合”逻辑，261e262
金，5e6，84f
分级，189
双极型晶体管的分级，189
网格化接地布局，67
接地和电源分配，66e70
网格化接地布局，67
接地平面，67e69，67fe68f
接地走线电感，66e67
多个接地平面，69e70
内层或外层，69，69f
信号与回流电流，66f
地弹，267
单元间的接地连接，18e20
断开接地连接，19e20
通过信号地和电源地形成的接地环路，20f
通过电源实现的单元间接地连接，19f
接地耦合，226，226f
接地环路，7e8，8f
接地噪声，272
接地平面，67e69，67fe68f
接地走线电感，66e67
接地，2e24，399
机壳接地，5
铝的导电性，5e6
单元间的接地连接，18e20
接地环路，7e8，8f
输入信号地，11e14
板间接口信号，16e18
单元内部布线方案，4f
在一个单元内部，4
输出信号地，14e15
电源返回路径，9e11，9f
具有多点接地的回流电流路径，5f
安全接地，23e24，23f
屏蔽，20e23
单点接地，18
防护，80，81f

H

半双工通信，285
半双工系统，285
硬磁材料，136
硬件延迟，276
硬件平台，309e310。另见 软件保护技术

梯形波形的谐波幅度，381e382，382f
梯形波的谐波频谱，381e382
协调标准与非协调标准，375
HCMOSeLSTTL接口，263
HCTMOS，263e264
热交换器，433
热路径分区，428e430
散热器，185，433e436
强制风冷，434e435
辐射，435e436
表面处理，436e437
热阻与风速的关系，435f
散热设计，352
热传导，427
从发热元件到环境，428f
在散热器上的功率器件，429f
薄膜电阻的螺旋结构，106，106f
“气密性”封装，240
高频天线馈线，30
高分断能力，328
高频，133
高性能数据接口标准，284e289。另见 经典数据接口标准
CAN，286
EIA‐485，285
以太网，287e289，289f
通用串行总线（USB），286e287
高压差分小型计算机系统接口（HVD‐SCSI），285
高频性能双极型晶体管，187e189，188f
二极管，166e167，167f
开关噪声，272
高阻抗电路，193e194
阻抗降低Zin，194，195f
栅极电流转折点，194，195f
高输入阻抗放大器，193，195e196
高介电常数介质，124e125
高级语言，297
高可靠性/质量保证组件，可靠性因素，422
耐高温、耐热油、阻燃（HOFR），27
橡胶，27，27t
“保持时间”，345
通孔，用于板装配，74e85
孔和焊盘直径，60
孔和焊盘尺寸，63e64

通孔焊盘，64，65f
过孔，64
表面贴装焊盘，64
主机控制器，286
热风整平，70
集线器，286，288
湿度电平，静电放电危险，409e410
100BaseT 标准，288e289
HVD‐SCSI。参见高压差分小型计算机系统接口（HVD‐SCSI）
迟滞，135，248e251，248f
环路，139，139f
参数，139e141，140f，140t
最小化杂散反馈，249
边缘振荡的细微效应，249

I

I/O滤波器。参见输入/输出滤波器（I/O滤波器）
I/O端口，重新初始化保护技术，308e309
集成电路，160e161，415e416
IEC 60063标准，104，104t
IEC 60127标准，327
IEC 60227标准，347e348
IEC 60245标准，347e348
IEC 60431标准，430
IEC 60536标准，404e405
IEC 60617标准，163f
IEC 60950e1，352e353
IEC 61547标准，376t
IEC出版物60065标准，403
IEC出版物60536标准，404e405
IEEE 802.3标准，123e124。另见以太网
IEEE标准1149.1e1990，414
IEEE标准389e1979，143，145
IEEE Std 1149.1兼容设备，416
IEEE Std 1149.1b‐1994，414
IGBTs。参见绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
抗扰度，367e372，377e378
确定和规定干扰影响，370e372
静电放电，370，371f
雷达，368e369
无线电发射机，368
瞬态，369e370，370f
阻抗，394
避免共阻抗，15
比率，126e127
变换，42，45t
在线测试，412e413，412f
Inconel电池，355

接地不当，226
感应电动势，8
感应开关噪声，267e268，267fe268f
同步开关，268
电感，106e107，106f
感性耦合，串扰，33e36，34fe35f
感性瞬态，危险性，148e151
交流电路，151
对负向瞬态的保护，150
继电器线圈，149e150，149f
串联电感开关电路，148f
瞬态保护，150，150f
电感器，134e151。另见 无源器件
应用，141e144
特殊绕组结构相关问题，144
漏感，142，143f
测量方法，143
数值方法，143
功率电路，141
抑制，142，142f
调谐电路，141
感性瞬态的危险，148e151
等效电路，134f
磁性材料和参数，138e141
渗透率，135e138
自电容，144e145
绕组损耗，145e148
行业标准，241e242
内层，板件构造阶段，57e59
输入偏置电流，153，216，251e252
步骤，252f
输入电路，323
输入数据验证与平均，306e307
数字输入，306e307
中断，307
输入失调电压，212e213
输入过程，290e291
输入整流器，332e333
输入信号地，11e14，13f
与印制电路板其他位置的0V连接，12
与设备内部0V连接，12
外部接地连接，12e14
输入瞬态，345e347
中断，345e347，346f
尖峰和浪涌，347
输入电压，251e252
从输出推导输入电压，334e336，336f
高输入电压下的功率损耗，336
限值，251e252
范围，219

输入电压（续）
绝对最大输入，219
输入/输出滤波器（I/O滤波器），390，392，394
浪涌电流，110，328e330，329f
插入和拔出力规格，73
插入损耗，394
内层，69，69f
安装检查表，通用产品设计，409
指令周期时间，292e293
绝缘栅双极型晶体管（IGBTs），161，203e206。另见 双极型晶体管
相比MOSFET和双极型晶体管的优势，204e205
缺点，205e206，205f
结构，203e204，204f
尾电流，205e206，205f
VMOS比较，198，198t
绝缘套管，5e6
绝缘垫圈，437e438
绝缘电阻，120
类型，405
集成ADC，294
板间接口信号，16e18
板间地噪声，17f
信号回路分割，16e18
通过板间连接的电源回流电流，17f
分离地回路，18f
互换性，253e255，254t
导体间电容，28
接口设计，284
接口，272e289
经典数据接口标准，280e284
从模拟输入生成数字电平，274e276
高性能数据接口标准，284e289
隔离，278e280，279f
光耦替代方案，280
耦合电容，280
光耦权衡，279

J

结型场效应晶体管（JFET）。参见 结型场效应晶体管（JFET）
JMP复位，308
约翰逊噪声。参见 热噪声
联合测试行动组（JTAG），414e417
设备，416
联合测试行动组，414e417
JTAG。参见 联合测试行动组（JTAG）
结型场效应晶体管（JFET），189e194，190fe191f，216。另见 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
应用，191e193
模拟开关，192，192f
电流调节器，193，193f
射频电路，192e193
高阻抗电路，193e194
夹断，191
结温，352，429，431

K

“开尔文”连接，108e109，109f
基尔霍夫，36
曲线的“拐点”，171
聚偏氟乙烯绝缘，26，26t

L

层压板，56，407，440
大信号带宽，222e223，223f
延迟，微控制器，293e294
定律精度，电位器，116
电感器，148e151
布局，228
LCCs。参见 无引线芯片载体(LCCs)
引线弯曲，437
源，201，201f

锆钛酸铅，155
铅酸电池，358e359
充电，362e363，362f
无引线芯片载体(LCCs)，78
漏电流双极型晶体管，181e183
添加基极‐发射极电阻，183
简单漏电，182e183，182f
电流，120
二极管，165e166
漏电流变异性，165e166，166f
齐纳二极管，171
磁通量，142
电感，142，143f
最低有效位(LSB)，294，295f，312
最小二乘法，139，140f
发光二极管（LED）。参见 发光二极管（LED）
电磁兼容性法规和标准，373e378
澳大拉西亚，373
电磁兼容性指令，373e375
现有标准，375e378，376t
CISPR 16‐1 准峰值测量接收机，377t
传导发射限值，376f
抗扰度，377e378
辐射发射限值，377f
美国，373
楞次定律，7
限压元件电压（LEV）。参见 限压元件电压（LEV）
锂离子电池（Li‐ion）。参见 锂离子电池（Li‐ion）
发光二极管（LED），163f,343,408e409
电流传输比（CTR），279
光耦合器，278
看门狗输出，302
限压元件电压（LEV），108
线路阻抗稳定网络（LISN），375e377
线路调整率，255，339e340
负载检测，340，340f
热调节，339
线性电路，110
线性电位器，116
线性电源，334，343
线性稳压器，334，345
线性电源效率，334
LISN。参见 线路阻抗稳定网络（LISN）
升每分钟（lpm），82
锂，358
离子，364
锂离子电池（Li‐ion），361
放电特性，361f

锂离子电池芯，360e361，361fe362f
二氧化锰锂（LiMnO2），358
二氧化硫锂（LieSO2），358
氯化亚硫酰锂（LieSOCl2），358
“石蕊测试”，211
LM324 运算放大器，224e225，252
LM324 范围，219，241e242
LM339/393，245
LM346，223
LM399，253
LM4250，223
负载电容，156
电池负载放电特性曲线，354，354f
负载突降，369e370
负载阻抗，220e221，221f，246，246f
负载调整率，255，339e340
最小负载要求，337e338
负载检测，340，340f
对数电位器，116
逻辑选择，381e383
时钟频率，382e383
噪声容限，382e383
电源噪声，382e383
逻辑门I/O保护，277，278f
逻辑集成电路（Logic ICs）。参见 逻辑集成电路（Logic ICs）
逻辑输入，262
逻辑集成电路（Logic ICs），261e271。另见 数字电路
去耦，268e271，269fe270f
扇出和负载，265e267，265fe266f
感应开关噪声，267e268，267fe268f
噪声免疫与阈值，262e265
未使用门输入，271
逻辑接口上拉电阻，264f
长期稳定性，255e256
查找表（LUT），311
环路，电感器，138，139fe140f，140t
有损线路，频域，42e46，43t，45t
低分断能力，328
低电压指令，402e403
低压差稳压器，336
低频去耦，270
滤波，389e396
屏蔽，20e23
低介电常数介质，124e125
低负载条件，337e338
最大稳压器功耗，337，337f
最小负载要求，337e338
低噪声电缆，30

低通滤波器，390e392，390f，394
组件和布局，391e392，392f
阻抗，391
低功耗MOSFET，195e197
栅极击穿，196
MOSFET权衡，197
栅极保护，196e197，196f
低Q值电感，106
低速模式，287
低压电路，423
升/分钟（lpm）。参见升每分钟（lpm）
最低有效位（LSB）。参见最低有效位（LSB）
LSTTL逻辑输入，244e245
查找表（LUT）。参见查找表（LUT）
LVT，262

M

镁，137t
磁场，7，137，138f
感应，8
磁感应，380
磁性材料和参数，138e141
磁滞回线，139，139f
参数，139e141
毫安时（mAh）。参见 毫安时（mAh）
电源滤波器，392e394
电路，393f
插入损耗与阻抗和电流的关系，394
安全要求，393
电源安全接地，23e24，23f，57
电源布线，19fe20f，392
可维护性，55
锰锌铁氧体，136，137t
制造商最佳能力，60e73，61t
电容器，118te119t
运算放大器温度等级，239e240
电位器，116e117
电阻器，96t
采购电路板和设计文件，88e91
屏蔽，294
材料
电池，353e364
印制板类型，51e59，52t
散热器，431t，433e436
绝缘衬套，439
绝缘垫圈，437e438，438t
最大稳压器功耗，337，337f
平均平方值，230
平均故障间隔时间（MTBF），420
数值，425e426
平均失效前时间（MTTF），420

平均修复时间（MTTR），421
均值，100,102f
测量方法，143
绕组电容的测量方法，145,145f
绕组损耗，147
机械和热应力，99
印刷电路板的机械特性，55
机械设计，355,356t
机械参数，324
机械要求
外壳尺寸和结构，350e352
封装单元，351
封闭式单元，351
开放式框架电源，351
机架安装模块或盒式组件，351e352
散热设计，352
安全认证，352e353
“记忆效应”，359
金属膜，98
金属栅4000B CMOS逻辑系列，263
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），189,194e203。另见 结型场效应晶体管（JFET）
相比MOSFET和双极型晶体管的优势，204e205
双扩散结构，195e196
栅极驱动阻抗，199e201,199f
栅源过压，200e201,200f
源极引线电感，201,201f
低功耗MOSFET，195e197
栅极击穿，196
MOSFET权衡，197
栅极保护，196e197,196f
导通状态电阻，202e203
P沟道VMOS，203
开关速度，201e202,202f
VMOS功率场效应晶体管，197e199,197f,198t
金属化薄膜，117e122
薄膜电容器结构，120f
聚碳酸酯，121
聚酯，120e121
聚丙烯和聚苯乙烯，121e122
金属化纸，117e122
薄膜电容器结构，120f
聚碳酸酯，121
聚酯，120e121
聚丙烯和聚苯乙烯，121e122
云母，437e438,438t
微控制器，289e297,290f。另见 逻辑集成电路
输入过程，290e291

指令和内部处理，291e292
输出过程，292
编程约束，297
时序和量化约束，292e297
微音效应，29e30
微处理器控制的数字等效电路，112
微处理器，297e306
单板系统，419
控制，215e216
电源轨监控，298e299
监控器设计，302e306
腐败威胁，297e299
影响数据传输的瞬态，298f
看门狗设计，299e302
微波，36，367e368
MIL‐HDBK‐217，425e426
软钢，6
军用级连接器，398
毫安时（mAh），354
最小负载要求，337e338
最小供电电流，256
不匹配的应用，40
混合模拟与数字，272e274
滤波，273
接地噪声，272
模拟和数字地分离的布局，274f
多板系统，274
隔离，273
单板系统，273e274
分布建模，103e104
现代仿真器，257
单片稳压器IC，339
“单片”电容器，122
蒙特卡洛技术，257
MOSFETs。参见 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
摩托罗拉68HC11，299
摩托罗拉74HC157，287
安装硬件，438e439
MTBFs。参见 平均故障间隔时间（MTBF）
MTTF。参见 平均失效前时间（MTTF）
MTTR。参见 平均修复时间（MTTR）
多板系统，274
多芯电缆，28e30
数据传输电缆特性，28t
数据通信电缆，28
屏蔽与微音效应，29e30
结构化数据电缆，29
多功能封装，65

多层板，57e59
层间键合，58f
钻孔层，58f
最终镀层，58f
孔和外表面镀层，58f
初始层堆叠，57f
使用光成像遮蔽外层，58f
移除光成像膜并蚀刻未镀区域的层，59f
去除锡层，最终铜图案准备进行表面处理和阻焊层，59f
多层陶瓷，122e124，123f，123t。另见单层陶瓷
COG，123
X5R 和 X7R，123e124
Y5V 和 Z5U，124
多层印刷电路板，53f，54
多个接地平面，69e70
多个发射机，285
多路复用器，273e274，311，419，419f
多圈微调电阻器，113，115，116f
多线绕组，144

N

n型半导体，161，190f，194，196e197，203，271
国家半导体，219，241
美国国家电气制造商协会（NEMA），51
National Semiconductor的LM2930系列，336
自然对流冷却，82
NE529，251
负栅极偏压，179
负瞬态，防护措施，150
负温度系数热敏电阻（NTC热敏电阻），330
NEMA。参见美国国家电气制造商协会（NEMA）
镀镍钢，355
镍镉电池（NiCad），357，359e360，360f，363
镍铬合金，96t，98
镍金属氢化物电池（NiMH电池），357e358，360，361f，363
镍锌铁氧体，136
五氧化二铌，128
无操作（NOP），308
噪声，178，229e230，340e342
带宽，237
抗扰度和阈值，262e265，263f
电流抗扰度，263
动态抗噪能力，264e265

噪声（续）逻辑接口上拉电阻，264f
使用上拉，263e264
噪声敏感性，262
通过逻辑阈值的转换，262f
裕量，382e383
功率密度，231
功率谱密度，231
开关，341
类型，231e232
放大器，235e237
建模与仿真，237e238
热，232e235
齐纳，173
非通孔镀覆板，55
非协调标准，375
同相放大器，212