CMOS集成门电路

本文深入探讨了CMOS集成门电路的原理,包括由N沟道和P沟道MOSFET组成的互补对称金属氧化物半导体器件,以及其在静态功耗、电源电压范围和输入端噪声容限方面的优势。同时介绍了特殊门电路如漏极开路门和三态输出门,以及CMOS传输门在双向模拟开关中的应用。

CMOS集成门电路:mos管构成的集成门电路

CMOS:互补对称金属氧化物半导体器件

CMOS反相器电路是由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET互补而成;特点静态功耗近视为0,电源电压可在很宽的范围内选取。输入端噪声容限很大

CMOS的静态输入特性:没有负载特性(TTL有负载特性)

CMOS的特殊门电路:漏极开路门,三态输出门

CMOS传输(TG)门:主要用途:构成双向模拟开关,用于连续跟踪模拟信号

转载于:https://www.cnblogs.com/wanjn/p/7732312.html

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