从零开始制作一个推挽开关电源

写在前面

笔者也是开关电源新手,第一次做电源,浅浅记录一下,方便后面查阅,也可给其他的新手提供一些帮助,如有不对的地方,还请指出。文中涉及的商家是本次买材料的商家,非广告,仅供参考。

设计目标

  • 输入电压:24V固定
  • 输出电压:数控可调,最大100V
  • 最大输出功率:50W@100Ω
  • 开关频率:30KHz

理论计算

变压器

目录

写在前面

设计目标

理论计算

变压器

磁芯的选择

初级匝数

次级匝数

初级线材

次级线材

绕制变压器

开关管选择

输入电容

输出电容

输出电感


磁芯的选择

询问了豆包给出的答案是选用PC40铁氧体材质的EE25磁芯,笔者这里选用了这款还有骨架

初级匝数N_p

根据法拉第电磁感应定律计算:

N_p = \frac{Vdc\times t_{on}}{A_{e}\Delta B}

其中:

  • V_{dc},单位取伏特(V),它是加在变压器两端的电压,由于我们的输入电压是固定的24V,所以V_{dc}= 24
  • t_{on},单位取微秒(us)是开关管导通的时间,我们的开关频率f=30KHz,因此T=\frac{1}{f}=\frac{1}{30KHz}=33.3us同时推挽拓扑的开关管是互补导通的,需要预留一定的死区时间,避免同时导通,所以我们取t_{on}=0.8\times \frac{T}{2}=0.8\times \frac{33.3us}{2}=13.32us
  • A_e ,单位取平方毫米(mm^2)是磁芯的磁通面积,可以在商品界面找到,因此A_e=38.4mm^2 
  • \Delta B单位取特斯拉(T),一般铁氧体的最大磁场感应强度取300mT,由于是推挽拓扑,可以取到反向的一边,因此\Delta B=2\times 300mT=600mT=0.6T
  • 因此可以计算出N_p = \frac{Vdc\times t_{on}}{A_{e}\Delta B}=\frac{24\times 13.32}{38.4\times 0.6}=13.875\approx 14,匝数向上取整。

次级匝数N_s

因为最大输出电压V_{omax}是100V,因为推挽电源是类似于buck的,输入输出电压比等于占空比,当取到最大电压的时候对应占空比最大约等于1,因此大概可以得到\frac{N_s}{N_p}=\frac{V_{omax}}{V_{in}}=\frac{100V}{24V}=4.17,所以N_s=4.17\times N_p=4.17\times 14=58.38\approx 59同样的向上取整。

初级线材

因为在理想清况下任意时刻都有P_{out}=P_{in},可以考虑一定的效率问题,即有P_{out}=0.8\times P_{in},由于输出的功率最大是50W,同时输入电压固定是24V,所以可以求出输入的电流的有效值I_{rms}=\frac{P_{in}}{V_{in}}=\frac{1.25P_{out}}{V_{in}}=\frac{1.25\times50W}{24V}=2.6A。按照经验,导线中的电流密度(J)取5A/mm^{2},所以可以求出需要的线材的总的截面积S_p=\frac{Irms}{J}=\frac{2.6A}{5A/mm^2}=0.52mm^2,此时的线径D=\sqrt{\frac{4\times S_p}{\pi}}=\sqrt{\frac{4\times 0.52}{3.14}}=0.814mm

由于我们是开关电源,电流在导线中是脉动的,要考虑趋肤效应,因此实际使用的导线的总的截面积是要大于算出的0.52mm^2的,也可以使用多股细导线绞成一根来绕制。这里需要考虑穿透深度(\Delta这个参数,可以直接查表获取穿透深度,一般是需要让单根线径小于两倍的穿透深度(\Delta为最佳,也就是说D< 2\Delta,上面我们计算出的线径为0.814mm 大于 2\Delta,是不满足要求的,所以要用多股细的导线绕制。

这里就用两股0.3mm^2的绕制初级绕组好了,那么总的线截面积就是2\times 0.3mm^2 = 0.6mm^2 > 0.52mm^2,那么0.3mm^2对应的线径为0.62mm。为了方便先用两股直径0.5mm试试看,应该问题不大。

次级线材

根据能量守恒,变压器前后功率不变,电压比等于匝比,电流则成反比,线截面积和电流成正比,所以,次级选取的线截面积可以是初级的\frac{1}{4.17},即为\frac{0.52mm^2}{4.17}=0.124mm^2,对应的线径为0.39mm,为了方便也直接用0.5mm的线绕制。

绕制变压器

使用三明治绕发,不多解释了,成品后面补充

开关管选择

由于是推挽拓扑,MOS的耐压至少是两倍的输入电源电压也就是48V,考虑到可能会有一定的漏感尖峰,就取3倍的电源电压好了,也就是取72V以上。至于Ids的话先往大的取好了,先取个20A以上的好了。逛了一圈淘宝,这颗IRFB4115PBF参数挺好的,150V的耐压,电流可达到恐怖的104A,错错有余了。

输入电容

输入电容按照1000uF/A的标准选取,输入的电流约为2.6A,那么电容就应该取1000uF/A\times 2.6A=2600uF,可以使用多个小容值并联来减小ESR,以降低输入的电源纹波。由于输入电压是24V,耐压35V以上也可以,可以选择固态电容,容量大,ESR还小,是个不错的选择。笔者就选两个1000uF的固态电容和一个680uF的固态电容好了,固态电容价格小贵。

输出电容

问了豆包,说选75uF以上即可,耐压选择150V以上。那就直接两个100uF 250V的电解电容给他整上去先试试看。由于固态电容的高耐压的似乎没找着,先电解电容凑合用用看看。

输出电感

在额定负载100Ω的时候功率最大为50W,此时的电流为Io=\sqrt{\frac{50W}{100\Omega}}=0.707A,输出的电压为70.7V,对于推挽电路其实和BUCK电路类似,所以选取电感和BUCK电源类似。由于电压是可调的,不好确定电感的工作模式是连续还是断续,那就全用断续模式好了,让最大电流的时候处于临界导通模式,那么此时的电感电流纹波\Delta I=2\times I_o=1.414A,同时此时的导通时间取到最大t_{on}=13.32us,根据电感电流公式,\Delta I =\frac{ \Delta U\times t_{on}}{L},其中\Delta U是电感两端的压差,\Delta t_{on}us得到的结果就是uH,所以L= \frac{ \Delta U\times t_{on}}{\Delta I}=\frac{(24\times 4.17-70.7)\times 13.32}{1.414}=276uH。额定电流在1A以上即可。笔者这里选了个330uH电流3A的电感,电感稍微大一些电流纹波会小一些,电流3A也是够用了。

控制芯片

电源芯片

电源控制芯片选择TI 的UC3846,这颗芯片具有电流模式,可以很好的保护电流过大。同时输出采用的是推挽结构,驱动电流可达到500mA可以说是非常好了,就是价格略贵。

DAC芯片

计划使用一颗DAC芯片来实现电压数字可调,就用个12位DAC好了,价格也还不贵。

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