RC吸收电路的运用

HelloKQing

于 2025-02-27 19:23:11 发布

阅读量267

点赞数 4

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签：笔记

版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/data_i/article/details/145887318

问题背景

最近在调试开关电源的时候遇到了一些问题，电路的基本结构是推挽电源+LCC逆变。在后级LCC逆变选用半桥进行斩波，发现低端的MOS的Vds电压波形存在较大的振荡，如图1，故尝试使用吸收电路。

调试步骤

1.测出不加RC时候的振荡的频率 $f_{ring}$ ，我这里测得是 $f_{ring}=15.15MHz$

图1.未加RC电路

图2.未加RC电路测试振荡频率

2.并联一个测试电容 $C_t$ ，直到测得的频率是之前的一半，也就是 $\frac{1}{2}f_{ring}=7.57MHz$ 。记录此时的容值，这里最终的 $C_t=4.7nF$ 。

图3.并联电容直到振荡频率减半

3.计算出此时寄生电容 $C_p=\frac{1}{3}C_t=\frac{4.7nF}{3}=1.56nF$ ,也可以计算出此时寄生电感的值 $L_p=\frac{1}{C_p\times (2\pi f_{ring})^2}=70.7nH$ ,由此可以计算出吸收电阻的值 $R_{snub}=\sqrt{\frac{L_p}{C_p}}=6.73\Omega$ ,以及吸收电容 $C_{snub}=\frac{1}{2\pi \times R_{snub}\times f_{ring}}=1.57nF$

4.根据计算出的 $R_{snub}$ 和 $C_{snub}$ ，取 $R_{snub}=6.8\Omega$ , $C_{snub}=1.5nF$ ，测试效果如下图所示

参考

博客等级

码龄7年

11
原创

124
点赞

198
收藏

56
粉丝

关注

私信

热门文章

分类专栏

展开全部收起

上一篇：: 从零开始制作一个推挽开关电源

下一篇：: STM32WB55入门教程

最新评论

STM32WB55 OTA
HelloKQing: 工程文件是引用的，只能在固定的位置编译，其他的自己再看看
STM32WB55 OTA
2301_76611248: BLE_Ota那个下不了怎么办，编译报了一堆错误
TouchGFX指南
HelloKQing: 看起来是少字体相关的东西，一般自动生成的不会有问题的
TouchGFX指南
HelloKQing: 可以的。可以用vs只编gui部分，然后仿真gui
TouchGFX指南
小栗丶: 出现这个问题怎么办 fatal error: gui/common/FrontendHeap.hpp: No such file or directory texts/TypedTextDatabase.hpp: No such file or directory

最新文章

目录

展开全部

收起

评论

被折叠的条评论为什么被折叠?

到【灌水乐园】发言

查看更多评论

添加红包

成就一亿技术人!

hope_wisdom

发出的红包

实付元

使用余额支付

点击重新获取

扫码支付

钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。