STM32H743XX/STM32H563XX芯片烧录一次后,再次上电无法烧录

本文讲述了在使用STM32H563ZIT6芯片时遇到烧录问题,需从BOOT0接地、NRST上拉、VCAP处理、使用正版ST-LINK以及代码中供电方式配置等方面进行分析。解决方法包括确保供电模式正确和直接连接VCAP至3.3V电源。

近期在使用STM32H563ZIT6这款芯片在开发板上使用正常,烧录到自己打的板子就遇到了芯片烧录一次后,再次上电无法烧录的问题。

遇到问题需要从以下5点进行分析。

首先看下开发板的原理图

1.BOOT0需要拉地。

 2.NRST脚在开发板上是悬空的。这里我建议大家搞个3.3V上拉10k电阻。防止出现烧录问题。

3.注意VCAP脚也是悬空的。VCAP是为核心供电的滤波电容引脚,当ldo关闭时候核心电压直接从Vcap引脚进入。或者也可以打开内部LDO,从VDDLDO引脚接入,采用混合模式供电,dcdc+ldo的模式。

 4.要使用正版ST-LINK进行烧录。

判断ST-LINK是否是正版的方法如下:

打开STM32CubeProgrammer识别ST-LINK。

注意ST-LINK的Serial number,如果是一串很长的序列号则是正版ST-LINK。否则是盗版 ST-LINK。正版如下图所示。

<think> 我们正在处理STM32H563VIT6单片机烧录一次无法再次烧录的问题。根据之前的讨论,这个问题通常与BOOT0引脚的配置和VCAP容的设计有关。我们将详细分析问题原因并提供解决方案。 问题分析: 1. 无法再次烧录:首次烧录后,可能由于程序错误地禁用了SWD(Serial Wire Debug)接口,导致后续无法通过调试器连接。 2. 另一个常见原因是源配置问题,特别是VCAP容未正确连接或容量不足,导致芯片无法正常启动。 解决方案步骤: 步骤1:检查BOOT0引脚配置 - 确保BOOT0引脚(在LQFP176封装中为PH3)通过10kΩ阻接地。这样芯片每次上都会从主闪存启动(即运行用户程序)。但是,如果用户程序禁用了SWD接口,则需要通过BOOT0引脚进入系统存储器启动模式(DFU模式)来重新烧录。 - 当需要重新烧录时,可以将BOOT0引脚拉高(接3.3V)再复位,从而进入系统存储器启动模式,此时SWD接口会被重新启用(前提是用户程序没有永久禁用SWD)。 步骤2:检查VCAP容 - STM32H563有两个VCAP引脚(VCAP1和VCAP2),每个引脚都需要连接一个2.2μF的陶瓷容到地(容位置必须靠近芯片容容值必须足够)。 - 如果VCAP容未接或容值不足,会导致内核供不稳定,芯片无法正常工作,表现为无法连接调试器。 步骤3:强制进入DFU模式重新烧录 如果因为用户程序禁用了SWD而无法连接,可以尝试以下步骤强制进入DFU模式: 1. 将BOOT0引脚通过10kΩ阻接3.3V(高平)。 2. 将NRST引脚短暂接地(约1秒)进行复位。 3. 此时芯片会从系统存储器启动(DFU模式),此时SWD接口应该可用。 4. 使用ST-Link等工具重新烧录程序(注意:程序应确保不永久禁用SWD,或者至少保留重新烧录的手段)。 5. 烧录完成后,将BOOT0重新接地,复位后即可运行新程序。 步骤4:修改用户程序 为了避免烧录再次出现无法调试的情况,需要检查用户程序中是否执行了禁用SWD接口的操作。例如,在STM32中,以下操作会导致SWD被禁用: - 将SWD引脚(PA13/SWDIO, PA14/SWCLK)重新配置为GPIO或其他功能。 - 设置选项字节(Option Bytes)禁用SWD。 建议在用户程序中避免禁用SWD,或者至少保留一个重新启用SWD的方法(如通过某个按键触发重新启用SWD的代码)。 步骤5:检查复位路 - 确保NRST引脚有正确的复位路(通常为10kΩ上拉阻和100nF容到地),保证复位信号稳定。 硬件路示例: - BOOT0连接:`BOOT0引脚 → 10kΩ阻 → 开关 → 3.3V`,同时该阻另一端通过另一个10kΩ阻接地(这样当开关断开时BOOT0被拉低,闭合时拉高)。 - VCAP1和VCAP2:每个引脚分别接2.2μF陶瓷容到地,容尽可能靠近芯片引脚。 调试步骤: 1. 测量VCAP引脚上的压是否稳定(应为1.0V左右)。 2. 测量BOOT0引脚压:正常运行时应为0V,进入DFU模式时应为3.3V。 3. 用示波器观察NRST复位信号,确保复位脉冲宽度符合要求(>100ms)。 注意事项: - 如果VCAP容问题导致芯片无法启动,那么即使BOOT0设置正确也无法进入DFU模式。因此,VCAP容是优先需要排查的。 - 如果用户程序错误地修改了时钟配置(例如将HSI关闭而HSE又没有起振),也可能导致芯片无法运行,但这种情况不影响进入DFU模式,因为DFU使用的是内部HSI。 相关问题: 1. 如何通过STM32CubeProgrammer在DFU模式下烧录STM32H563? 2. STM32H563的选项字节配置如何影响SWD接口? 3. 除了VCAP容,还有哪些源设计问题会导致STM32H563无法启动? 4. 如何通过软件方法重新启用被禁用的SWD接口? 引用说明: [^1]: RM0468 (STM32H5系列参考手册) 第7.6节(启动配置)和第8.4节(源配置)。 [^2]: AN4899(STM32H5系列应用笔记)关于源设计和调试接口的说明。 </think> 针对 STM32H563VIT6 烧录一次无法再次烧录的问题,根本原因通常是 **SWD 调试接口被用户程序禁用**或 **VCAP 容配置错误**。以下是系统级解决方案: --- ### 一、强制进入 DFU 模式恢复烧录 当 SWD 被禁用时,通过 BOOT0 引脚激活系统启动模式: 1. **硬件连接** - 断开目标板源 - 将 `BOOT0(PH3)` 通过 10kΩ 阻接 **3.3V** - 将 `NRST` 引脚短暂接地触发复位 ```mermaid graph LR A[BOOT0_PH3] -->|10kΩ| B[3.3V] C[NRST] -->|短接| D[GND] ``` 2. **操作时序** - 保持 BOOT0=1 状态下重新上 → 进入系统存储器启动模式 - 使用 STM32CubeProgrammer 连接 USB DFU 接口重新烧录 > ⚠️ 此模式不依赖 SWD,可绕过被禁用的调试接口[^1] --- ### 二、修复 VCAP 源配置 若首次烧录芯片彻底无响应,检查源设计: 1. **VCAP 容规范** - VCAP1/VCAP2 各接 **2.2μF 陶瓷容**(X7R/X5R 材质) - 容距芯片 **< 5mm**,避免源噪声 ```c // 启动代码中配置源模式 (system_stm32h5xx.c) __HAL_PWR_VOLTAGESCALING_CONFIG(PWR_REGULATOR_VOLTAGE_SCALE0); ``` 2. **测量验证** - 上后测量 VCAP 压:正常值 $ V_{CAP} \approx 1.0V \pm 0.05V $ - 若压异常或振荡,立即断检查容 --- ### 三、永久解决方案:修改用户程序 烧录成功后,修改代码防止再次锁死: 1. **解除 SWD 锁定** 在 `main()` 开头添加解锁代码: ```c // 释放SWD接口锁定 (core_cm33.h) __HAL_DBGMCU_FREEZE_TIMER(); // 暂停外设调试 __HAL_DBGMCU_EnableDBGSleepMode(); // 启用睡眠调试 HAL_DBGMCU_EnableDBGStopMode(); // 启用停机调试 HAL_DBGMCU_EnableDBGStandbyMode(); // 启用待机调试 ``` 2. **避免错误配置** - 禁止重编程 SWD 引脚 (PA13/SWDI0, PA14/SWCLK) - 关闭选项字节中的 SWD 禁用位 --- ### 四、调试验证步骤 1. **示波器检查** - BOOT0 平:烧录时 $ V_{BOOT0} > 2.0V $ - NRST 复位脉冲:宽度 $ t_{RST} \geq 100ms $ 2. **流检测** - 正常启动流:约 20mA @3.3V - 若流 <5mA 说明未启动,检查 VCAP > 📌 **关键提示**:首次烧录后立即用 STM32CubeProgrammer **读取选项字节**,确认 `DBG_SWD_ENABLE` 位未清零[^2] --- ### 相关问题 1. STM32H563 的选项字节如何配置才能防止 SWD 被永久禁用? 2. VCAP 容使用容替代陶瓷容会导致什么问题? 3. 如何通过 WWDG 窗口看门狗实现 SWD 接口的自动恢复? 4. STM32H563 的 DUAL BANK 特性如何用于安全固件更新? [^1]: RM0468 Rev 3, Section 8.4.1 (Boot Configuration) [^2]: AN5367: STM32H5 Series Debug Management
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