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技术类型及功能IC 芯片需与封装基板或导线架完成电路联接才能实现电子讯号传递，主要连线技术有打线接合（Wire Bonding）、卷带自动接合（Automated Bonding，TAB）、覆晶接合（Flip Chip，FC）。不同技术在面积比例、重量比、厚度比、I/O 数、矩阵及环列接点间距等方面存在差异。

英文为 Chip，别称 IC（集成电路：Integrated Circuit 的缩写）。是在半导体晶体片上制造的电子元器件的总称，集成了晶体管、电阻、电容等多种基础器件，形成一个功能完整的电路，可实现复杂计算和控制功能。英文 Integrated Circuit，IC。一种微型电子器件或部件，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等组件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体芯片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。3。

封装材料在半导体器件中起着至关重要的作用，包括保护芯片、实现电气绝缘、散热、提供机械支撑以及防潮和防氧化等功能。主要的封装材料有陶瓷材料、固态封模材料（EMC）和液态封止材料（LE）。

依据 IC 芯片数目、封装材料、与电路板接合方式、引脚分布型态、封装形貌与内部结构等因素对 IC 元件进行分类命名。引脚插入型（PTH）：引脚插入电路板的孔中，通过焊锡固定，如传统的 DIP 封装。表面黏着型（SMT）：先将接脚黏贴于电路板上后再以焊接固定，包括海鸥翅型、钩型、J 型、直柄型等引脚类型。舍弃第一层级封装而直接将 IC 芯片黏结到基板上的裸晶型（Bare Chip）封装（也称为 DCA 封装）也属于 SMT 接合的一种。

（一）半导体公司常用部门HR（human resource）：人力资源部GA（general affairs）：总务部Accounting：会计部MFG（manufacturing）：制造部EE（equipment engineer）：工程部PE（process engineer）：制程部门PC（productin control）：生产控制PR（public relation）：公关部PIE/PDE（process integration）：工艺整合QE（qualit

C4NP 技术是 IBM 开发的全新焊锡凸点制作技术，弥补现有晶圆凸点制作技术局限性，已成功应用于 300mm 无铅焊锡凸点晶圆制造，节距 200µm 和 150µm 产品获质量认证并量产，有望扩展到 50µm 细节距微凸点，目标应用于 3D 芯片集成，促使存储器晶圆由引线键合向 C4 凸点转变。

先进之处：集成度高、尺寸小且轻量化、性能优异（连线技术先进、热管理良好）、多功能集成、制造灵活性高、多种材料应用广泛。封装架构：包括倒装芯片技术（Flip Chip）、系统级芯片（System on Chip）、芯粒（Chiplet）、多芯片模组（Multi Chip Module）、叠层技术（Package On Package & Package In Package）、系统级封装（System in Package）、晶圆级封装（Wafer Level Package）等。

由硅 - 氧四面体组合而成，有结晶型和无定型两种，氧化工艺生长成的是无定型的二氧化硅。性质：用密度、折射率、电阻率、介电强度、介电常数以及热膨胀系数等物理参量表征，不同氧化方法制备的二氧化硅物理性质有所差异。：是硅最稳定的化合物，不溶于水，只与氢氟酸反应，在生产中用于光刻扩散窗口和引线孔窗口等。用途：在半导体器件制作中，生长氧化膜后刻蚀形成掺杂窗口，离子注入时用作阻挡层。：在 MOS 技术中作绝缘栅介质，因其高电阻率和高介电强度，几乎无漏电流。

目录掺杂技术一、扩散原理与模型（一）扩散模型（二）扩散工艺二、离子注入（一）离子注入原理（二）离子注入参数（三）离子注入设备（四）离子注入工艺（一定是真空环境）（五）离子注入质量检测在半导体制造领域，掺杂技术是一项极为关键的工艺，其核心目的在于精准地将杂质引入 wafer 内部，进而对器件的电学性能进行有效的调控。通过掺杂，能够实现诸如 PN 结、欧姆接触区以及电阻等多种重要器件的制作。在实际应用中，掺入的杂质通常来自 IIIA 族和 VA 族元素，这些元素的引入能够显著改变半导体的电学特性，为半导体器件的

在现代半导体制造领域，光刻与刻蚀工艺犹如精密的雕刻大师，将复杂的电路设计精准地转移到硅片上，为芯片的诞生奠定了基石。这两项工艺的不断演进，是推动半导体技术朝着更小尺寸、更高性能和更强大功能发展的关键驱动力。光刻工艺负责在硅片表面构建微小的图形结构，而刻蚀工艺则将这些图形转化为实际的电路元件，二者相辅相成，共同塑造了半导体世界的微观奇迹。光刻工艺流程包含多个精细步骤，每个步骤都对最终的光刻质量起着至关重要的作用。在光刻工艺流程的起始阶段，使用稀释的氢氟酸（DHF）对硅片进行处理是至关重要的一步。硅片在存储和运

表示小心、注意或关心，如 “你 care 下这个参数设置” 意为 “你要注意这个参数设置”，“我不 care” 表示 “我不关心这些”。：pilot run，小批量生产，如 “pi run 一批 lot 去 etch 看 inline cd”。：可表示运行、执行或跑，如 “你去 run 这个 recipe”“你去把这些 wafer run 一下”。：设备运行的监控，确保设备可以正常工作，如 “注意一下设备的 pm monitor 结果”。：机器、设备，如 “这个 machine Down 掉了”。

设备包括电容耦合等离子体刻蚀机（CCP，提高电容耦合产生等离子体，用于各向异性刻蚀，提高选择性和精确的图形转移）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP，电感耦合产生更高密度等离子体，用于高效各向异性刻蚀，制造高深宽比结构）、反应离子刻蚀（RIE，电极间施加电压产生等离子体，用于各向异性刻蚀，能做出细微结构）、电子回旋共振刻蚀机（ECR，通过电子回旋共振产生等离子体，对压力要求低，适用于高选择比和低损伤刻蚀）、磁增强等离子体刻蚀机（MEP，施加磁场约束等离子体，提高等离子体密度和均匀性，实现更精确控制）。