MOSFET电容、缩放及SPICE模型解析
1. MOSFET电容概述
在实际的CMOS数字电路中,传播延迟比载流子渡越时间长约10倍,因此寄生电容限制了开关速度。大部分电容与MOS晶体管本身相关,包括驱动器件和负载器件,偶尔互连电容也很重要。
MOSFET中有两种重要的电容类型:
- 与栅极氧化物相关的电容。
- 与p - n结耗尽区相关的电容。
此外,栅极与源/漏接触之间的边缘电场会引入第三种寄生电容,在深亚微米MOS器件中,这种电容的作用越来越重要。
2. 氧化物电容
氧化物电容分布在整个器件中,且依赖于偏置,精确确定较为复杂。不过,基于特定物理图像可进行简单近似计算。
| 工作模式 | Cgs | Cgb | Cgd |
|---|---|---|---|
| 截止 | WLC OV ox | WLCox | WLC OV ox |
| 饱和 | 2/3WLCox + WLC OV ox | ≈0 | WLC OV ox |
| 线性 | 1/2WLC |
超级会员免费看
订阅专栏 解锁全文
476

被折叠的 条评论
为什么被折叠?



