ESP8266毫秒微秒延时测量

陈拓 chentuo@ms.xab.ac.cn 2020/06/19-2020/06/22

1. 概述

在实际工作中我们经常用到较为精确的延时，比如在读取温度传感器DS18B20时。

ESP8266 Non-OS SDK的延时函数os_delay_us的最大值是65535us，我们可以通过循环来增加延时。

我们用来测量的样品是ESP8266-01S，测试仪器是广州致远的LA1016逻辑分析仪。

2. 毫秒级延时

• 测试代码

#include "gpio.h"

LOCAL void ICACHE_FLASH_ATTR delay_ms(u32 x)
{
    for(;x>0;x--) {
        os_delay_us(1000);
    }
}

void user_init(void)
{
    PIN_FUNC_SELECT(PERIPHS_IO_MUX_GPIO2_U,FUNC_GPIO2);

	while(1) {
		GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 1);
		delay_ms(1);
		GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 0);
		delay_ms(1);
	}
}

代码写在文件user_main.c的void user_init(void)函数中。

• 逻辑分析仪设置

• 测试

ESP8266先上电，在逻辑分析仪界面上点击“启动(单次)”按钮

查看波形，测量时间。

高电平延时：

一个周期延时：

可以看到1ms的延时很准确。

3. 微秒级延时

• 1us测试代码

    while(1) {
        GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 1);
        os_delay_us(1);
        GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 0);
        os_delay_us(1);
    }

• 逻辑分析仪设置

• 波形和时间测量

高电平延时：

低电平延时：

可以看到1us延时实测超过2us，而且高低电平延时有差异。

一个周期的测量：

• 10us测试代码

 while(1) {

        GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 1);

        os_delay_us(10);

        GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 0);

        os_delay_us(10);

}

• 10us波形和测量

高电平延时：

一个周期延时：

由此可以看出微秒延时误差大约是+1us~+2us。时间越短误差越大。