最小损耗能量密度LLED算法综述

本文介绍了最小损耗能量密度(LLED)算法在能源意识的任务分区到异构多核平台的应用。LLED算法首先计算任务在不同处理器核心上的能量密度,然后根据能量密度差对任务进行排序并分配到最合适的核,目标是降低活跃能量消耗和优化静态功率消耗。文章探讨了LLED的两个阶段,以及与Max-min算法的比较,并考虑了高效和低效睡眠状态对能量的影响。

文献来源 Energy-Aware Partitioning of Tasks onto a Heterogeneous Multi-core Platform
Least Loss Energy Density Algorithm (LLED)最小损耗能量密度算法
先计算任务τi在m个处理器核心上的能量密度EDmi。能量密度是任务在各个核心上的单位时间的平均能耗。
再计算任务能量密度差DD,在处理器核心j能量密度差是任务τi在其他核心上能量密度比在核心j上稍大的能量密度减去在该核心上的能量密度,
该任务在该核心上的能量密度差=在其他核心上稍大的能量密度—在该核心上的能量密度。
再根据任务的能量密度差进行降序排列。
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
尝试将任务都分配给最适合的核心,可是每个核心的容量都是有限的,所以针对任务的能量密度差DD对任务进行排序,然后按顺序将任务分配给核心。(任务的能量密度ED是其在各自核心类型上的单位时间的平均能耗。)
当任务不能分配给最佳核心时,采用能量密度差进行分配。

分为两个阶段:
A、first phase of allocation :reduce active energy consumption
LLED、Max-min
B、second phase of optimization :trades tasks active energy consumption to enhance the ability of the processors to use efficient sleep states to reduce
static power consumption of the system.
LLED-SP、Max-min-SP
两种场景:1、高效的睡眠状态和低转换能耗。
2、低效睡 眠状态和高的转换能耗。
以FF算法归一化比较LLED和MM

<think>嗯,用户想用STM32寄存器控制LED,我得先理清楚步骤。首先,我需要确定用户使用的具体芯片型号,但根据提供的引用,好像是STM32F103系列的,比如R6或者类似的。不过用户可能没有明确说明,所以得保持通用性。 第一步应该是了解硬件连接。比如LED接在哪个GPIO端口和引脚,是PB8还是PB0?不同的引脚需要不同的寄存器配置。比如引用2提到PB8,引用3提到PB0,所以可能需要用户自己确认电路图,但回答里应该涵盖如何根据电路设置引脚状态。 接下来是地址映射和寄存器配置。STM32的寄存器需要先开启对应的GPIO端口的时钟,这涉及到RCC寄存器。比如,如果LED在GPIOB,就需要使能APB2总线上的GPIOB时钟,对应RCC_APB2ENR寄存器的位3。需要解释如何找到寄存器的地址,比如引用1和引用4提到的地址映射和寄存器映射原理。 然后是配置GPIO的模式,比如推挽输出,速度等。每个GPIO端口有CRL和CRH寄存器,控制不同引脚的配置。例如,PB8属于GPIOB的高8位,所以要用CRH寄存器。需要设置相应的位为输出模式,比如通用推挽输出,速度50MHz,即二进制0011,对应CRH的相应位。 接下来是控制输出,使用ODR寄存器或者BSRR来设置引脚电平。比如,设置PB8为低电平点亮LED,需要操作GPIOB_ODR的第8位,或者用BSRR的BR8位来清零。 还要考虑初始化的步骤顺序:开启时钟,配置模式,然后输出电平。可能需要给出具体的寄存器地址和位操作,比如使用或运算来设置时钟使能位,避免覆盖其他位。 用户可能需要代码示例,所以得用C语言写寄存器的操作。比如,使用指针访问寄存器地址,比如*(unsigned int*)0x40021018 |= 0x00000008; 来使能GPIOB的时钟。 需要提醒用户注意的地方,比如电路是低电平还是高电平驱动LED,这会影响ODR的设置。比如引用2和3都是低电平点亮,所以ODR相应位要置0。 最后,可能的问题包括相关引用中的知识点,比如地址映射、时钟配置、模式设置等。需要检查是否有遗漏的步骤,比如是否所有寄存器都正确配置,是否有需要延迟的地方,或者是否需要循环控制流水灯效果。</think># STM32寄存器控制LED完整实现指南 ## 一、硬件连接确认 1. 确认LED阳极通过限流电阻接3.3V电源 2. 确定LED阴极连接的GPIO引脚(示例使用PB8) 3. 验证开发板原理图确保电路正确[^3] ## 二、寄存器配置流程 ### 1. 开启GPIO时钟 通过RCC_APB2ENR寄存器第3位使能GPIOB时钟: ```c // APB2外设时钟使能寄存器地址:0x40021018 *(unsigned int*)0x40021018 |= 0x00000008; ``` ### 2. 配置GPIO模式 设置GPIOB_CRH寄存器配置PB8为推挽输出模式: ```c // GPIOB配置寄存器高地址:0x40010C04 *(unsigned int*)0x40010C04 &= 0xFFFFFF0F; // 清除原配置 *(unsigned int*)0x40010C04 |= 0x00000030; // 设置50MHz推挽输出 ``` ### 3. 控制输出电平 通过GPIOB_ODR寄存器控制引脚电平: ```c // GPIOB输出数据寄存器地址:0x40010C0C *(unsigned int*)0x40010C0C &= ~(1 << 8); // PB8输出低电平(点亮LED) *(unsigned int*)0x40010C0C |= (1 << 8); // PB8输出高电平(熄灭LED) ``` ## 三、完整示例代码 ```c #include "stm32f10x.h" int main(void) { // 1. 开启GPIOB时钟 RCC->APB2ENR |= RCC_APB2ENR_IOPBEN; // 2. 配置PB8为推挽输出 GPIOB->CRH &= ~GPIO_CRH_CNF8; GPIOB->CRH |= GPIO_CRH_MODE8_1 | GPIO_CRH_MODE8_0; // 3. 控制LED亮灭 while(1) { GPIOB->ODR &= ~GPIO_ODR_ODR8; // 亮灯 for(int i=0; i<0xFFFFF; i++); // 延时 GPIOB->ODR |= GPIO_ODR_ODR8; // 灭灯 for(int i=0; i<0xFFFFF; i++); } } ``` ## 四、关键注意事项 1. 不同型号STM32的寄存器地址可能不同,需核对芯片手册 2. 操作寄存器前必须确保已开启对应外设时钟[^4] 3. 使用位操作避免影响其他寄存器位 4. 高电平/低电平驱动需根据实际电路调整
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值