存储器件是用于存储数据和程序的电子器件，广泛应用于计算机、嵌入式系统和其他数字系统中

存储器件是用于存储数据和程序的电子器件，广泛应用于计算机、嵌入式系统和其他数字系统中。根据是否需要持续供电来保持数据，存储器件可分为两大类：

1. 易失性存储器（Volatile Memory）：

   • 断电后数据丢失。
   • 常见类型：SRAM（静态随机存取存储器）、DRAM（动态随机存取存储器）。
   • 特点：读写速度快，常用于主存（如内存条）。

2. 非易失性存储器（Non-volatile Memory）：

   • 断电后数据不丢失。
   • 常见类型：ROM（只读存储器）、PROM（可编程只读存储器）、EPROM（可擦除可编程只读存储器）、EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）、Flash 存储器（闪存）。
   • 广泛用于固件存储、U盘、SSD、存储卡等。

---

可编程逻辑器件（Programmable Logic Devices, PLD） 是一类可以由用户通过编程方式定义其逻辑功能的集成电路。与固定功能的逻辑电路不同，PLD 提供了高度的灵活性，适用于原型设计、小批量生产和定制逻辑实现。

常见的可编程逻辑器件包括：

1. PAL（Programmable Array Logic）：可编程与阵列，固定或阵列。
2. GAL（Generic Array Logic）：可重复编程的 PAL，使用 EEPROM 技术。
3. CPLD（Complex Programmable Logic Device）：复杂可编程逻辑器件，由多个 PAL 结构组合而成，具有较高的集成度和非易失性。
4. FPGA（Field-Programmable Gate Array）：现场可编程门阵列，由大量可配置逻辑块（CLB）、可编程互连资源和 I/O 块组成，支持非常复杂的数字系统设计，常用于高性能计算、通信和人工智能领域。

FPGA 通常基于 SRAM 架构，因此配置信息在断电后会丢失，每次上电需从外部非易失性存储器加载配置数据。

---

关键区别：

特性	存储器件	可编程逻辑器件
主要功能	存储数据	实现逻辑功能
数据保持	有易失与非易失之分	多数为配置后运行，部分需外置配置存储
应用场景	内存、存储介质	数字系统设计、逻辑实现
可编程性	写入数据可编程	逻辑结构可编程

SRAM（静态随机存取存储器）和 DRAM（动态随机存取存储器）是两种主要的易失性存储器，广泛用于计算机系统中，但它们在结构、性能和应用场景上有显著区别：

比较项	SRAM	DRAM
基本结构	使用触发器（6个晶体管组成1位存储单元）	使用一个晶体管+一个电容组成1位存储单元
是否需要刷新	不需要刷新，只要通电即可保持数据	需要定期刷新（通常每几毫秒一次），否则电容漏电导致数据丢失
速度	快，访问时间短（纳秒级）	相对较慢，因需刷新且读写过程复杂
集成度	低（每个存储单元占用面积大）	高（结构简单，单位面积可容纳更多存储单元）
功耗	较低（无刷新操作时）	较高（需持续刷新电路）
成本	高（晶体管多）	低（结构简单）
应用场景	高速缓存（Cache，如 L1/L2/L3 缓存）	主存储器（内存条，即系统内存）

工作原理简述：

• SRAM：利用双稳态触发器保存信息，只要不断电，状态稳定，无需额外维护。
• DRAM：通过电容充放电表示0和1，但由于电容会自然漏电，必须周期性地“刷新”以维持数据。

因此，SRAM 更适合对速度要求极高的场合，而 DRAM 因其高密度和低成本成为大容量主存的首选。