STM32L 晶振不起阵的可能原因

最新推荐文章于 2025-05-24 20:20:59 发布

baokaikai

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文章标签：晶振起振低功耗

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/baokaikai/article/details/84111007

本文深入探讨了STM32L低功耗单片机中低速晶振(LSE)不起振的问题，分析了晶振起振的原理，包括等效并联电容C0、负载电容CL与驱动能力之间的关系。强调了在低功耗设计中，选择合适晶振及匹配负载电容的重要性。

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最近看了几篇关于STM32L低速晶振不起阵的分析原因，分析的原因种类很多，在看过ST的手册Oscillator design guide for ST Microcontrollers后，说一下自己的想法。

首先STM32L是低功耗的单片机，它的实际初衷是用于低功耗产品中，因此ST关于推荐的LSE选择了等效并联电容C0低的晶振，晶振起振的前提是MCU内放大器的驱动力应大于晶振的负载阻力，根据公式或者经验，为了降低晶振的等效电阻ESR和电导Gmcirt，需要负载电容CL与晶振的C0相匹配选用较低的容值才能在低驱动能力下正常起振。因此LSE的驱动能力与晶振的等效并联电容、负载电容CL需要匹配，低驱动+低C0晶振+低负载电容CL=低功耗。

下面是ST手册中关于ESR和Gmcirt的公式，可以看出两个参数与Co和CL的关系

ESR=Rm*（1+C0/CL）*（1+C0/CL）；

Gmcirt=4*ESR*（2*pi*F）*（2*pi*F）*（C0+CL）*（C0+CL）

MCU的驱动能力可以通过手册查到，例如：