充电IC-NVDC架构(以BQS24259为例子）

BQS24259采用NVDC（窄电压直流）的架构，利用BATFET将system和电池分开，最小的系统电压由REG01[3:1]进行设置，即使是完全耗尽的电池，系统也被调节设置在最小的系统电压之上（默认3.5V）。

       当电池电压低于设置的最小的系统电压之后，那么BATFET将会运行在线性模式下（LDO mode），此时系统将会比设置的系统电压高150mv，当电池电压上升到比最小的系统电压高时，BATFET将完全打开，且系统和电池之间的电压差即为BATFET的Rds，当系统电压为调节的最低电压时，状态寄存器REG08[0]将会变高。

     当电池充电截止或者结束的时候以及电池高于最小的系统设置电压时，系统电压总是被调节在高于电池电压70mv，具体如下图所示。