电子邮箱市场盈利模式

电子邮箱市场盈利模式

电子邮箱市场强烈依赖广告的模式,终于到了不得不做出改变的地步。 近日,搜索巨头百度发力邮箱市场。不过它没有选择自己做,而是收购了一家与腾讯此前收购的Foxmail功能类似的Koomail邮件客户端。这固然体现出了百度收购切入点的高明,但收购这家毫无名气的终端厂商背后,其对于目前邮箱市场白热化竞争的无奈也暴露无遗。

就在三四年前,人们还在为能拥有网易20M的邮箱而欢呼雀跃,因为当时邮箱普遍只有5M,甚至在2003年左右时,邮箱提供商们还一度企图进一步限制邮箱的用户量,为邮箱收费做准备。但Google的1G免费邮箱迅速葬送了国内所有邮箱提供商的美梦,Gmail也因此在世界范围内树立了自己的地位。国内邮箱提供商们被一棒打回现实,不得不跟上Gmail的步伐,终结了限制容量,甚至企图收费的美梦,以网易、新浪、雅虎中国等门户主导的邮箱战国局面形成。

然而,如果说Google的免费打开了邮箱的潘多拉盒子的话,那么2007年下半年hotmail的5G升级则是让邮箱市场走向了无穷容量的不归路。因为无穷的容量,意味着邮件服务提供商们要付出更高的成本来满足于更多免费用户的苛刻需求。这包括更多的技术投入,对系统稳定性和系统维护的更多开支,对于大量存储空间的需求等等。而在成本增加的基础上,收入却并不一定会得到明显的提升。

邮箱占有的网页空间毕竟是有限的,而扩大广告投放面积又很容易招致用户的反感,不扩大面积广告量就无法实现突破。即使实现了精准营销,投放面积的问题也不能得到根本有效的解决。企业邮箱和VIP邮箱目前增长潜力也并不明显。而百度新收购的Koomail和腾讯的Foxmail等邮件客户端更直接把邮件下载到了本地,直接屏蔽了门户网站们页面上的大多数广告,这也对门户网站们的邮箱收入造成了巨大冲击。

而每年新增加的众多用户虽然会对邮箱提供商有所选择,但并不能弥补整个邮箱市场的造血功能。广告收入与免费服务实际上付出的成本相抵,邮箱提供商几无所得。如此的恶性循环也导致厂商与投资者将更多的精力与资本投向了游戏等高产出的服务。

以广告收入主导的邮箱市场已经走向了饱和。但为什么几乎所有的门户网站都还在这一领域激烈抢夺呢?作为一项基础性服务,邮箱始终是所有网络应用中最具有黏性的业务之一。目前,世界第一大门户网站雅虎中来自邮箱的入口占据了整站的46%,是其第二大入口搜索的3倍。微软live.com的所有入口中邮箱竟然占到了79%,msn.com中hotmail也占到了40%.国内门户中,网易和中国雅虎的邮箱也分别吸引了10%和19%的流量。在流量为王的世界里,所有网站自然不会放弃邮箱这块宝地。

除了具有黏性的特性以外,门户们正在针对邮箱的入口功能进行深入挖掘。目前,网易、新浪、中国雅虎等都已经在邮箱内集成了多种应用。新闻、博客、股票、招聘、即时通讯工具等几乎所有的互联网应用,都正在被集成进邮箱,以把收入匮乏的邮箱领域的流量尽可能地导向其高附加值领域。门户不愿意放弃邮箱的另一个重要原因则是对邮箱未来的潜力仍抱有信心,不愿意放弃对未来赢利新模式的探索。此次百度收购的Koomail和此前腾讯收购的Foxmail就是对邮件价值的二次开发。但这种开发,只是邮箱市场价值的转移,牺牲的是其他门户网站的广告收益,并没有带来整个邮箱市场的大幅扩容。

不过随着移动互联融合趋势的出现,邮箱市场饱和的现状有可能得到缓解。跳出广告的瓶颈,通过移动增值业务来为邮箱市场植入活力,从短期来看是个不错的选择。然而随着即时通信工具、Twitter、Blog等新的Web2.0模式的兴起,这些业务的互动和沟通功能都空前强大,极大地替代了邮箱的信息传递功能。而网络存储的兴起更让邮箱的存储功能相形见绌,邮箱的优势已经丧失殆尽。刚刚兴起的移动邮箱业务也受到了这些业务在移动领域的强大压力。
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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