9、Pspice高级特性与电路分析

Pspice高级特性与电路分析

1. 电流偏置共发射极放大器的最坏情况和灵敏度分析

在电子电路设计中，了解电路在不同条件下的性能至关重要。以电流偏置共发射极放大器为例，其电路参数如下：
|参数|数值|
| ---- | ---- |
|R1|50 Ω|
|R2|1 KΩ|
|R3|10 KΩ|
|R4|1 KΩ|
|R5|16 KΩ|
|R6|20 KΩ|
|R7（RL）|10 KΩ|
|VCC|5 V|
|VEE|-5 V|
|CC1、CC2|20 µF|
|CE|100 µF|
|晶体管Q1、Q2|Q2N2222|

电阻的容差为5%，电容的容差为5%，晶体管的增益BF为100，器件变化为30%（均匀分布）。

以下是PSPICE程序来分析该放大器：

COMMON-EMITTER AMPLIFIER
.OPTIONS
RELTOL = 0.05; 
VIN 1 0 AC 1E-3; AC INPUT SIGNAL
*RESISTORS WITH MODEL
R1 1 2 RMOD2 50
R2 3 0 RMOD2 1K
R3 3 4 RMOD2 10K
R4 6 5 RMOD2 1K
R5 9 0 RMOD2 16K
R6 9 11 RMOD2 20K
R7 10 11 RMOD2 10K
RL 7 0 RMOD2 10K
.MODEL RMOD2 RES(R = 1 DEV = 5%); 5% RESISTORS 
*
*CAPACITORS WITH