26、晶体管的使用与应用

晶体管的使用与应用

1. 晶体管规格解析

晶体管相较于电阻、电容、电感和二极管等元件更为复杂。那些元件只需关注少数规格，如电阻值和最大功率耗散，而晶体管则有众多规格。你可以通过在互联网上查找其数据手册来获取任何晶体管的完整规格，只需将零件编号输入你常用的搜索引擎即可。数据手册会为你提供关于你感兴趣的晶体管的大量有趣信息，还有只有火箭科学家才会喜欢的图表。

如果你正在设计自己的电路，那么需要关注以下几个重要规格：
- 电流增益（HFE） ：这是衡量晶体管放大能力的指标，指的是基极电流与集电极电流的比值。典型值范围为50至200，该数值越高，晶体管放大输入信号的能力越强。
- 集电极 - 发射极电压（VCEO） ：集电极和发射极之间的最大电压，通常为30V或更高，远高于大多数业余电路的工作电压。
- 发射极 - 基极电压（VBEO） ：发射极和基极之间的最大电压，通常是一个相对较小的数值，如6V。大多数电路设计只向基极施加小电压，因此这个限制通常不是问题。
- 集电极 - 基极电压（VCBO） ：集电极和基极之间的最大电压，通常为50V或更高。
- 集电极电流（ICE） ：可通过集电极 - 发射极路径的最大电流。大多数电路使用电阻来限制该电流，必须使用欧姆定律计算电阻值，以确保集电极电流低于该限制。如果长时间超过此限制，晶体管可能会损坏。
- 总功率耗散（PD） ：设备能够耗散的总功率。对于大多数小晶体管，功率额定值约为