ds18b20 控制的实现

参考源码如下：

#include<reg52.h>
#define uint unsigned int
#define uchar unsigned char
sbit temp = P2^2;

// delayus(1);//7us
// delay(1);//24us
// delayms(1);//826ms

// delayus(10);//25us
// delay(10);//123us
// delayms(10);//8141ms

//delayus(15);//35us
//delayus(25);//55us
//delayus(3); //13us
//delayus(17);//39us
//delayus(18);//41us
void delayus(uchar i)
{
 while(--i);
}

void delayms(uint i)
{
 uint j;
 for(;i>0;i--)
  for(j=100;j>0;j--);
}

void delay(uint i)
{
 uint j;
 for(j;j<i;j++);
}

void ds18_reset()
{
 temp = 0;
 delayms(1);
 temp = 1;
 delayus(25);//55us
}
void ds18_ack()
{
 while(temp);
 while(!temp);

}
void ds18_writebit(char bitval)
{
 temp = 0;
 delayus(2);
 if(bitval)temp =1;
 delayus(15);
 temp =1;
}

void ds18_writechar(uchar uc)
{
 uint i = 0;
 uchar tempdata;
 for(i;i<8;i++)
 {
  tempdata = uc >> i;
  tempdata &= 0x01;
  ds18_writebit(tempdata);
  }
// delayus(25);
}//从8位数据的低位开始写

uchar ds18_readbit()
{
 temp =0;
 temp = 1;
 delayus(1);
 return temp;
}
uchar ds18_readchar()
{
 uchar returntemp = 0x00;
 uint i = 0;
 for(i;i<8;i++)
 {
  if(ds18_readbit())
  {
   returntemp |= 0x01<<i;
  }else{
   returntemp |= 0x00<<i;
  }
  delayus(18);//每读一个位，要延时40-40us//获取应该更小一点，因为前面一句貌似已经占用了一些时间了
  }
 return returntemp;
}//首先读到的也是低位字节

void main()
{
 uint mi = 0;
 uchar ds18data[9]= {0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00};
 ds18_reset();
 ds18_ack();
 ds18_writechar(0xcc);
 ds18_writechar(0x44);
 while(ds18_readchar()!=0xff);//单片机开始温度转换后，单总线会被其一直拉低直到总线上在八us时间内持续保持高电平说明转换完成
//测试ds18b20的供电模式（返回值是1）
/* ds18_writechar(0xB4);
 temp= 0;
 temp = 1;
 delayus(1);
 if(temp)
  {P1 = 0x00;}else{P1 = 0xf0;}
 while(1);*/
 ds18_reset();
 ds18_ack();
 ds18_writechar(0xcc);
 ds18_writechar(0xBE);
 delayus(1);
// P1 = 0xf0;
 for(mi = 0;mi < 9;mi++)
 {
  ds18data[mi] = ds18_readchar();
 }
  for(mi = 0;mi < 9;mi++)
 {
  P1=0xaa;
  delayms(1500);
  P1 = ~ds18data[mi];
  delayms(15000);//
 }
 P1 = 0x00;
 ds18_reset();
 while(1);
}

 

其中应注意一下几点：

     1.延时函数应该通过仿真确定实际延时时间，由于keil将c语言编译后会进行一些优化，所以某些写法的延时函数不会是与传入参数呈线性关系的

     2.串行向ds18b20写入数据时候，高地位的写入顺序是要注意的（之前因为读出来是从高位开始，写的时候也从高位开始，产生了问题，实际上写给18b20的时候是从低位开始传输的）

     3.给ds18b20 “Convert T"(0x44) 命令后，应该重新开始一次reset周期之后读取ds18b20的暂存器，若是在0x44后直接读取，则没成功，并且每次开机都应该先给ds18b20发送一个“Convert T"命令，否则会读出内部暂存器默认值的。

     4.参考一些资料重写后，发现数据读出来都是1，于是怀疑是读出数据的问题，检查并且debug了许久未得其原因，后来考虑到可能是芯片没有响应，所以每次读到都是总线的高电平。于是检查了写函数，发现ds18_writechar()中调用的是ds18_writebit(temp),那么写入的一直是1，ds18b20还会思考呢，给我都是1的命令，我命令表中没有啊

     5.单片机用于debug的方法不怎么多，在没有逻辑分析仪的情况下，实时通过led输出八位数据也是不错的选择

     6.单总线协议对时序和延时的要求确实比较高。

          附上读出rom和ram的数据

       rom：

0010 1000 //从数据手册中得知此八位为0x28 ， 为系列码
1110 1010
1100 0000
1011 1011
0000 0100
0000 0000
0000 0000
0100 0001

      ram：

1100 1001
0000 0001//1 1100 1001 = 1B9 * 0.0625 = 28.5625 //   完美！！！！！
0100 1011
0100 0110
0111 1111//第五六位为11，温度转换精度为12位
1111 1111
0000 0111
0001 0000
0110 0100

 

经过两天，各种读文档，各种参考程序，终于能正确的写出了这么一个单总线协议的函数了