SQ4917EY-T1-GE3-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

产品型号：SQ4917EY-T1-GE3-VB  
丝印：VBA4658  
品牌：VBsemi  
参数：
- 2个P—Channel沟道
- -60V
- -5.3A
- RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- Vth=-1~-3V
封装：SOP8  

详细参数说明：
SQ4917EY-T1-GE3-VB是一款具有2个P—Channel沟道的功率MOSFET，工作电压为-60V，最大漏极电流为-5.3A。其漏源电阻(RDS(ON))在VGS=10V和VGS=20V时分别为58mΩ。门阈电压(Vth)范围为-1V至-3V。该产品采用SOP8封装。

应用简介：
SQ4917EY-T1-GE3-VB适用于多种领域的功率电路和模块，例如：
1. 电动车辆和电动机械：可用于电动车辆的电机驱动器、电动机械的功率控制模块等。
2. 工业自动化：适用于工业控制系统中的功率开关模块、电机驱动器等。
3. 电源管理模块：可用于DC-DC转换器、开关稳压器（Buck Converter）等功率电源模块。
4. LED照明：适用于LED驱动电源模块、LED照明控制器等。

举例说明：
在电动车辆领域，SQ4917EY-T1-GE3-VB可用作电动车辆的电机驱动器中的功率开关元件，通过控制电机的速度和转向，实现电动车辆的灵活驾驶和高效运行。