SPU04N60C3-VB一种N沟道TO251封装MOS管

本文介绍了VBsemi的SPU04N60C3-VBMOSFET,包括其参数(如650V额定电压和4A额定电流),适用于电源逆变器、电机驱动、LED照明和电源管理模块,强调了电气参数、散热、ESD防护等使用注意事项。

详细参数说明:
- 型号: SPU04N60C3-VB
- 丝印: VBFB165R04
- 品牌: VBsemi
- 封装: TO251
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 650V
- 额定电流: 4A
- 导通电阻: RDS(ON) = 2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 3.5V

应用简介:
SPU04N60C3-VB适用于各种电源和开关电路,特别是在需要较高开关速度和功率效率的应用中发挥作用。常见领域包括电源逆变器、电机驱动、LED照明和电源管理模块。

使用领域及作用:
1. 电源逆变器:用于转换直流电源为交流电源,在可再生能源系统和工业应用中广泛应用。
2. 电机驱动:用于控制电机的速度和转向,可应用于工业自动化和电动汽车等领域。
3. LED照明:在LED驱动电路中,帮助实现高效能的光控制和调光功能。
4. 电源管理模块:用于提高电源系统的效率和稳定性,广泛应用于各种电子设备。

使用注意事项:
1. 严格遵循产品规格书中的电气参数和封装信息。
2. 在设计中考虑散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 注意输入和输出电压的匹配,防止超过器件的最大额定值。
4. 确保适当的电源和地连接,以确保正常工作和防止损坏。
5. 在使用过程中遵循相关的ESD(静电放电)防护措施,以防止损坏敏感器件。

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