STD35NF06LT4-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号: STD35NF06LT4-VB
丝印: VBE1615
品牌: VBsemi
参数: N沟道, 60V, 60A, RDS(ON) 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.87Vth (V)
封装: TO252

详细参数说明和应用简介：
1. 沟道类型：N沟道
   - 这表示这个场效应晶体管 (FET) 是一种N沟道MOSFET，通常用于负载开关和功率放大器。

2. 额定电压 (VDS)：60V
   - 这是沟道MOSFET能够承受的最大电压，超过这个电压可能导致器件损坏。

3. 额定电流 (ID)：60A
   - 这是沟道MOSFET的额定电流，表示它可以处理的最大电流负载。

4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：
   - RDS(ON)是沟道MOSFET的导通状态下的电阻。在10V的情况下，它的电阻为9mΩ，而在4.5V的情况下为11mΩ。这意味着在导通状态下，它的电阻非常低，使其在高电流负载中能够有效地减小功耗和热量。

5. 閘源阈值电压 (Vth)：1.87V
   - Vth是沟道MOSFET的阈值电压，即需要应用到栅极上的电压，以使器件开始导通。在这种情况下，阈值电压为1.87V。

6. 栅源电压额定值 (Vgs)：20V (±V)
   - 这表示栅源电压的额定范围为正负20V。这是用来控制沟道MOSFET的导通和截止状态。

应用简介：
这种型号的N沟道MOSFET通常用于各种电子和电源应用中，包括但不限于：
1. 电源开关：它可以用于电源开关模块，例如DC-DC转换器，以有效地管理和控制电能的流动。
2. 电机驱动：在电机控制和驱动系统中，这种MOSFET可以用来控制电机的速度和方向。
3. 电源放大器：它可以用作功率放大器，增强电信号的幅度，通常在音频放大器中使用。
4. 电源管理：用于电源管理系统中，以实现电压转换和稳定化。

总之，这种型号的MOSFET可用于多种领域的电子设备和模块，以满足功率开关和控制的需求。