HM3400PR-VB_MOSFET产品应用与参数解析

型号 HM3400PR丝印 VBI1322品牌 VBsemi参数 N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V)；SOT89-3该产品具有以下详细参数说明 - 类型 N沟道功率场效应管- 最大耐压 30V- 最大漏极电流 6.8A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 33mΩ@10V, 45mΩ@4.5V- 栅极电压（Vgs）范围 ±20V- 阈值电压（Vth） 0.9V- 封装 SOT89-3

该产品适用于以下领域模块 - 电池管理 HM3400PR可用于电池管理模块中，实现电池的充放电控制和保护功能。- 电源开关 适用于电源开关模块中，用于电源的控制和转换。- 电压稳定 可用于电压稳定模块，提供稳定的输出电压和电路保护。- 电子设备接口 适用于各种电子设备接口模块中，如数据通信、控制和保护。综上所述，HM3400PR适用于电池管理、电源开关、电压稳定和电子设备接口等领域模块。