FDN357N-NL-VB_MOSFET产品应用与参数解析

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#MOS管 #VBsemi #MOSFET #MOS

本文介绍了VBsemi品牌的FDN357N-NL MOSFET，其为N沟道类型，额定电压30V、电流6.5A，开通电阻低。适用于低电压和中等电流场景，可用于电源管理、电机控制、照明、汽车电子和通信设备等模块，能提供高效电流控制和功率转换。

型号: FDN357N-NL丝印: VB1330品牌: VBsemi参数说明:- MOSFET类型: N沟道- 额定电压(VDS): 30V - 额定电流(ID): 6.5A - 开通电阻(RDS(ON)): 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V - 阈值电压范围(Vth): 1.2~2.2V - 封装类型: SOT23

应用简介:这款FDN357N-NL MOSFET是一款N沟道类型的MOSFET，适用于低电压和中等电流的应用场景。它具有低开通电阻和较高的额定电流能力，适用于需要高效电流开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：- 电源管理模块：用于开关电源、DC-DC变换器、逆变器等功率转换模块。- 电机控制模块：用于直流电机驱动、步进电机驱动等。- 照明模块：用于LED驱动、照明开关和控制电路等。- 汽车电子模块：用于汽车照明、电池管理、电动车控制等。- 通信设备模块：用于移动通信设备、网络设备中的功率管理和开关电源。总之，FDN357N-NL MOSFET适用于需要N沟道MOSFET进行功率开关和电源管理的各种应用场景，提供高效的电流控制和功率转换功能。

FDN357N-NL-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-26
FDN357N-NL是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由VBsemi公司生产。这款MOSFET设计用于低电压、高电流的应用，具有良好的开关性能和低电阻特性。以下是该产品的详细解析： 1. **技术规格**： - **...
FDN337N-NL-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-06
FDN337N-NL MOSFET是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，主要用于直流到直流转换器等应用。这款器件的特点包括采用TrenchFET®技术，这意味着它利用了沟槽结构来优化电荷存储和降低导通电阻，从而提供更高的...
FDN337N-NL-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
11-06 221
总之，FDN337N-NL MOSFET适用于中低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能。型号 FDN337N-NL丝印 VB1330品牌 VBsemi参数说明 - MOSFET类型 N沟道- 额定电压(VDS) 30V - 额定电流(ID) 6.5A - 开通电阻(RDS(ON)) 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth) 1.2~2.2V - 封装类型 SOT23。
FDN339AN-NL-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-27 96
总之，FDN339AN-NL MOSFET适用于低压低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。型号: FDN339AN-NL丝印: VB1240品牌: VBsemi参数说明:- MOSFET类型: N沟道- 额定电压(VDS): 20V - 额定电流(ID): 6A - 开通电阻(RDS(ON)): 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V - 阈值电压(Vth): 0.45~1V - 封装类型: SOT23。
FDN5630-NL-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-27 123
主要参数包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)为85mΩ @ 10V，96mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为1V~3V，封装类型为SOT23。型号：FDN5630-NL丝印：VB1695品牌：VBsemi参数：- 频道类型：N沟道- 额定电压：60V- 额定电流：4A- RDS(ON)：85mΩ @ 10V，96mΩ @ 4.5V- 门源电压范围：±20V- 门源阈值电压范围：1V~3V- 封装类型：SOT23。
FDN304P-NL-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-25 146
以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：FDN304P-NL是一款P沟道功率MOSFET，具有低电导压降和高电流承载能力。型号：FDN304P-NL丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 频道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 额定电流：-5.6A- RDS(ON)：47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V- 门源电压范围：±20V- 门源阈值电压：-1V- 封装类型：SOT23应用简介：FDN304P-NL（丝印：VB2355）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。
FDN302P-NL-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-10 147
FDN302P-NL (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；适用领域与模块：适用于电源开关、稳压和逆变器等领域模块，特别适合中等功率要求的场景。应用简介：FDN302P-NL适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。其中等功率特性使其在中高功率应用中表现出色。
FDN335N-NL-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
VBsemi的博客
12-15 181
FDN335N-NL-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于低功率电子应用。- 静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)1. 电源开关模块：FDN335N-NL-VB可用于低功率电源开关应用，如便携式电子设备和电池供电设备。2. 信号开关：适用于低功率信号开关和控制电路，如小型开关电路和信号切换器。这些特性使FDN335N-NL-VB在小型低功率电子应用中有广泛的应用。型号：FDN335N-NL-VB。- 最大耐压：20V。- 封装：SOT23。
FDN339N-NL-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
04-25 204
FDN339N-NL-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装。其主要参数包括20V的额定电压，6A的额定电流，以及在不同门源电压下的开启电阻 \(R_{DS(ON)}\)。阈值电压 \(V_{th}\) 在0.45~1V范围内。- 开启电阻 \(R_{DS(ON)}\): 24mΩ @ \(V_{GS}=4.5V, V_{GS}=8V\)- 阈值电压 \(V_{th}\): 0.45~1V。产品型号: FDN339N-NL-VB。- 类型: N-Channel沟道。
FDN340P-NL-VB一款SOT23封装MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-20 232
通过控制12Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。总之，FDN340P-NL是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于电源开关、电机驱动器等需要控制和开关负电压的领域。FDN340P-NL详细参数说明：- 极性：P沟道- 额定电压：-20V- 额定电流：-4A- 导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V- 门源电压：12Vgs (±V)- 阈值电压：-0.81Vth (V)- 封装类型：SOT23。
FDN306P-NL_SOT23-3封装MOSFET参数应用-VBsemi
VBsemi的博客
09-20 151
采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在4.5V下）和83mΩ（在2.5V下），以及12Vgs(±V)的较高电压限制和-0.81Vth的阈值电压。对于需要使用FDN306P-NL的模块，可以根据其性能特点选择适当的模块。其中，电源管理模块、功率转换模块和电源开关模块是常见的使用FDN306P-NL的模块。根据具体应用需求，选择适当的模块是使用FDN306P-NL的关键。在电子领域，它可用于电源管理、功率转换、电机控制和电源开关等应用中。
FDN339AN-NL-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-27
FDN339AN-NL是一款N沟道MOSFET，由VBsemi公司制造，设计用于直流/直流转换器和便携式应用中的负载开关。这款MOSFET采用TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，可以提供更低的导通电阻（RDS(on)）和更好的热性能。 ...
FDN304P-NL-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-25
FDN304P-NL是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi公司制造。这款MOSFET设计为适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及直流到直流转换器等应用。它的主要特性包括TrenchFET技术...
FDN5630-NL-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-27
FDN5630-NL是一款N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，设计用于电池开关和DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有TrenchFET技术，提供高效的电源管理解决方案。以下是该产品的关键参数和特性的详细解析： 1. **电压和电流...
sharding-jdbc示例代码
12-19
sharding-jdbc示例代码
ENVI+Deep+Learning+V1.0深度学习操作教程
12-19
内容概要：本文介绍了ENVI Deep Learning V1.0的操作教程，重点讲解了如何利用ENVI软件进行深度学习模型的训练与应用，以实现遥感图像中特定目标（如集装箱）的自动提取。教程涵盖了从数据准备、标签图像创建、模型初始化与训练，到执行分类及结果优化的完整流程，并介绍了精度评价与通过ENVI Modeler实现一键化建模的方法。系统基于TensorFlow框架，采用ENVINet5（U-Net变体）架构，支持通过点、线、面ROI或分类图生成标签数据，适用于多/高光谱影像的单一类别特征提取。; 适合人群：具备遥感图像处理基础，熟悉ENVI软件操作，从事地理信息、测绘、环境监测等相关领域的技术人员或研究人员，尤其是希望将深度学习技术应用于遥感目标识别的初学者与实践者。; 使用场景及目标：①在遥感影像中自动识别和提取特定地物目标（如车辆、建筑、道路、集装箱等）；②掌握ENVI环境下深度学习模型的训练流程与关键参数设置（如Patch Size、Epochs、Class Weight等）；③通过模型调优与结果反馈提升分类精度，实现高效自动化信息提取。; 阅读建议：建议结合实际遥感项目边学边练，重点关注标签数据制作、模型参数配置与结果后处理环节，充分利用ENVI Modeler进行自动化建模与参数优化，同时注意软硬件环境（特别是NVIDIA GPU）的配置要求以保障训练效率。
QPdfiumDemo
12-19
QPdfiumDemo
【网络安全竞赛】基于DVWA的代码级攻防技术：SQL注入至RCE利用链的实战设计与自动化防御方案研究
最新发布
12-19
内容概要：本文通过改造DVWA漏洞靶场，构建了一条从SQL注入到文件上传再到远程命令执行（RCE）的完整攻击链，重点展示代码级攻防技术。文中详细解析了二次注入、图片马精制、竞争上传和LD_PRELOAD沙箱逃逸等高阶技巧，并提供了完整的Python利用脚本与官方修复补丁，强调在真实竞赛场景下的实战应用与防御策略。同时展望了自动化Patch评估、微服务漏洞链和合规审计等未来发展方向。; 适合人群：具备一定Web安全基础，参加CTF竞赛或从事渗透测试工作的安全从业者，以及蓝队防守人员和安全培训讲师。; 使用场景及目标：①在高校CTF比赛中作为高难度Web题型，检验选手综合攻防能力；②用于企业招聘中考察候选人实战编码与应急响应能力；③辅助安全培训中进行攻击复现与防御规则编写。; 阅读建议：学习者应结合DVWA环境动手实践每个攻击环节，深入理解Payload构造原理与系统底层机制，同时对比官方Patch掌握安全编码规范，提升攻防双向能力。
量子信息科学入门
12-19
本书全面介绍量子信息科学的核心概念，涵盖量子计算、量子通信与退相干机制。从基本的量子比特出发，深入探讨纠缠、量子门、测量及错误校正等关键技术。结合理论与实验视角，解析量子隐形传态、量子密码学与量子算法的实现原理。书中融合多位领域专家的讲义，兼顾初学者与研究前沿，是进入量子信息技术领域的理想指南。
FDN357N-NL-VB MOSFET：30V N沟道功率MOSFET详细解析
"FDN357N-NL-VB是一款N沟道的MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。该器件具有30V的耐压能力，低导通电阻（RDS(ON)）在10V栅极电压下为30mΩ，在4.5V栅极电压下为33mΩ。此外，它还符合无卤素（IEC61249-2-21定义）和...
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