SI2302DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2024-09-09 17:59:13 发布
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#MOS管 #VBsemi #mosfet #MOS #SI2302DS-T1-GE3

本文详细介绍了SI2302DS-T1-GE3(VB1240)这款MOSFET的参数，包括20V耐压、6A电流、低导通电阻和可调阈值电压特性。它适用于低电压降和需要灵活性的场景，如电池管理、便携设备和LED驱动等。

SI2302DS-T1-GE3 （VB1240）
参数描述：
N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23


型号参数介绍：
SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。


应用简介：SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET，适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。


优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。

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SI2302CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
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SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。应用简介：SI2302CDS-T1-GE3适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
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SI2300DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
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SI2300DS-T1-GE3 参数：N沟道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V), 0.45~1Vth(V), SOT23。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；适用模块：SI2300DS-T1-GE3适用于移动设备和低电压应用的控制模块，如手机、平板电脑等。优势：适用于低电压逻辑驱动：低阈值电压特性适合低电压逻辑控制。适用于移动设备：适用于移动设备、低电压应用等领域。
Si2342DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
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Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；应用简介：Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低电压应用的N沟道MOSFET，适用于电源开关、LED驱动和电池管理等领域模块。
Si2399DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
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Si2399DS-T1-GE3 参数： P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V);P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；优势： Si2399DS-T1-GE3的主要优势包括：低导通电阻： 具有低的导通电阻，减少了功率损耗和热量产生。该型号的低导通电阻有助于减少转换损耗，提高充电效率，同时SOT23封装适合手机模块的小型设计要求。
SI2369DS-T1-GE3-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
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其最大耐压为-30V，最大电流为-5.6A，具有低导通电阻和高性能。总之，SI2369DS-T1-GE3适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和家用电器模块等。型号 SI2369DS-T1-GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 P沟道MOSFET- 最大耐压 -30V- 最大电流 -5.6A- 导通电阻 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 -1Vth- 封装 SOT23。
SI2301DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
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**SI2301DS-T1-GE3是一款由VBsemi生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23封装。** **主要参数及特性：** 1. **额定电压（Drain-Source Voltage, VDS）**：-20V，意味着在源极和漏极之间可以...
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