STM32F103RCT6的FLASH读写操作

最新推荐文章于 2025-02-14 12:00:00 发布

UplKubernetes

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文章标签： stm32 嵌入式硬件单片机

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本文介绍了如何进行STM32F103RCT6的FLASH读写操作，包括解锁FLASH、初始化编程模式、写入和读取数据的步骤，并提供了源代码示例。在实际应用中，还强调了异常处理和错误检测的重要性。

STM32F103RCT6是一款常用的32位微控制器，它具有内置的FLASH存储器，可以用于存储程序代码和数据。在本文中，我们将详细介绍如何进行STM32F103RCT6的FLASH读写操作，并提供相应的源代码。

首先，我们需要包含适当的头文件和定义相关的宏和变量，以便在代码中使用FLASH API。以下是一个基本的示例：

#include "stm32f103xx.h"

#define FLASH_START_ADDRESS ((uint32_t)

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stm32F103RCT6 FLASH模拟EEPROM 读写32位数据

sam的博客

03-30

201

【代码】stm32F103RCT6 FLASH模拟EEPROM 读写32位数据。

STM32F103：内部Flash模拟EEPROM

MQ0522的博客

08-22

3610

内部Flash模拟EEPROM 一、原因由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。我决定利用单片机的内部Flash模拟EEPROM，实现可以多次擦写，掉电又可以保存数据的功能。二、原理 1. STM32F103系列芯片按内部Flash的容量大小，分类如下：型号容量(字节) 页(字节) 启动程序 stm32f103X6(小容量) 32K 1K startup_stm32f10x_l.

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3，标准例程-HAL库版本_hal库_HAL_stm32f103rct6正点原子例程_STM32hal例程_

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STM32正点原子Mini板例程源码，标准库例程源码。

（纯干货）基于STM32F103RCT6的BootLoader和OTA升级之内部flash的分区（三）

一只小小的学习进步龙

02-14

1236

本文介绍了基于STM32F103RCT6的BootLoader和OTA升级功能，重点在于内部Flash分区的设计与实现。通过合理规划Flash空间，将BootLoader和应用程序分别存储在不同区域，实现安全可靠的固件更新。具体而言，Flash被划分为BootLoader区（如0x08000000起始地址）和应用程序区（如0x08020000起始地址），并预留部分空间用于存储OTA标志和版本信息。该分区策略支持双区备份，确保升级失败时可回退，保障设备的稳定运行

STM32F103 FLASH数据存储实验

南林夕的博客

06-05

5131

实验目的学习STM32的IAP（在应用编程功能），可以把没有用到的片上的FLASH用作数据存储。数据手册请参看第2章/ 实验简介不同型号的STM32，其FLASH容量也有所不同，最小的只有16k字节，最大的则达到1024k字节，星光的枭龙STM32开发板选择的是STM32F103VET6的FLASH容量为512K字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），其闪存结构图如下：编程和擦除闪存闪存编程一次可以写入16位（半字）。闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除（全擦除）。全擦除不影响信息块

基于STM32F103RCT6的内部FLASH模拟为EEPROM的读写使用

weixin_43813255的博客

05-09

3863

基于STM32F103RCT6的内部FLASH模拟为EEPROM的读写使用前言代码前言 STM32单片机都带有ROM和RAM，其中STM32根据自身的ROM(Flash)可以分为小容量产品、中容量产品、大容量产品。根据FLASH容量可以分为： 1.小容量：0-32K 2.中容量：64-128K 3.大容量：256K以上（包含256K）代码 /** * 函数功能: 读取指定地址的半字(16位数据) * 输入参数: faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!) * 返回值: 返回值:对

c语言指针flash,STM32F103RCT6之FLASH读写操作

weixin_40005887的博客

05-19

2842

一、STM32F103的FLASH简介1、如图所示，STM32F103内部FLASH存储区分为三个区域：主存储区、信信息块和闪存存储器接口寄存器。储存储区是我们读写FLASH的主要的存储区，MCU程序以及一些需要掉电保存的数据都是存储在这个区域的。信息快：程序启动代码被存储在这部分。最后的寄存器则是FLASH读写需要配置的一些寄存器位置。主存储器的起始位置0x08000000，除去程序占用的空间，...

基于STM32F103RCT6的BootLoader和OTA升级源码

02-13

在嵌入式系统开发中，STM32F103RCT6是一款广泛使用的高性能ARM Cortex-M3微控制器，适用于各种工业控制、医疗设备以及消费电子等领域。BootLoader作为一种特殊的引导程序，用于在设备启动时初始化硬件设备，建立内存...

stm32f103rct6串口DMA空闲中断接收不定长数据

09-19

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STM32F103RCT6+W25Q128存取(寄存器操作).zip

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STM32F103RCT6是一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。它具有丰富的外设集，包括多个串行通信接口，如SPI，适用于与外部存储器如W25Q128进行通信。W25Q128是一款串行闪存...

STM32F103RCT6+0.99寸TFT圆屏硬件SPI+DMA显示（中级）(新驱动)

最新发布

05-06

在电子工程领域，特别是嵌入式系统开发中，STM32F103RCT6微控制器因其高性能和丰富的外设接口而广泛应用于各种产品和项目中。当搭配0.99英寸圆形TFT显示屏时，可以构建出许多视觉效果丰富且响应迅速的用户界面。为了...

STM32基于HAL库的读写FLASH

昊月光华的博客

09-26

9763

FLASH，也就是闪存，在stm32里通常被用来放程序代码，而剩余的空间就可以被用户手动去读和写。基于STM32F103ZET6 正点原子的大容量产品，512K的FLASH,共256页，每页2K,比起以前用过的51不知道高了多少倍。以下摘抄自正点原子团队的文档STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。

STM32F103 内部FLASH读写擦操作

weixin_63889667的博客

01-20

8992

STM32F103 内部FLASH读写擦操作

（纯干货）基于STM32F103RCT6的BootLoader和OTA升级之内部flash的擦除与写入（二）

一只小小的学习进步龙

02-13

702

本文介绍了基于STM32F103RCT6的BootLoader和OTA升级功能，重点在于内部Flash的擦除与写入操作。STM32F103RCT6的内部Flash分为多个页，每页大小为2KB。在进行固件更新时，首先需要通过解锁Flash、擦除目标页（如使用FLASH_TYPEERASE_PAGES）来准备存储区域。随后，通过写入操作将新固件数据逐页写入Flash，确保数据完整性和存储稳定性。该技术广泛应用于BootLoader和OTA升级场景，支持远程固件更新，提升设备的可维护性和用户体验

STM32学习笔记（STM32F103RCT6）

weixin_59613755的博客

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学习STM32，以F103RCT6这款芯片做的一些实验

【STM32】Rover核心-STM32F103RCT6简介

qq_74099543的博客

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4076

STM32F103RCT6 是 STMicroelectronics 生产的高性能 32 位微控制器，属于 Cortex-M3 内核的 STM32F1 系列，广泛应用于嵌入式系统和工业控制等领域。

基于HAL库的程序（stm32f103rct6）移植到stm32f103r6t6(r8t6同理)

m0_69400113的博客

07-12

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移植程序

（超详细）STM32芯片Flash读写操作讲解和代码（寄存器版本）

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luoxianfadde的博客

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超详细的通过寄存器完成对Flash的读写操作。

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江南烟浓雨的博客

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本次实验主要内容：Flash地址空间的数据读取。stm32f103c8t6只有20KB 内存（RAM）供程序代码和数组变量存放，因此，针对内部Flash的总计64KB存储空间(地址从0x08000000开始），将数据写入Flash 一、创建STM32CubeMX工程首先打开STM32CubeMX软件，选择芯片为STM32F103C8T6 图 1-1 这里选择PC13引脚为GPIO口，可以使实验效果更明显。创建STM32CubeMX工程文件可以参考博客： STM32CubeMX的安装与简单应用_江南烟.

STM32F103RCT6 flash读写

01-15

### STM32F103RCT6 Flash读写操作 STM32F103RCT6 的 FLASH 存储器支持多种类型的编程和擦除操作，包括字节、半字以及全页编程。为了执行这些操作，需要遵循特定的序列来解锁 FLASH 控制寄存器并配置相应的参数。 #### 解锁 FLASH 访问权限在进行任何 FLASH 编程之前，必须先解锁访问权限： ```c // Unlock the Flash to enable the flash control register access HAL_FLASH_Unlock(); ``` #### 设置 FLASH 寄存器接下来设置必要的 FLASH 寄存器以准备编程或擦除命令： ```c // Fill EraseInit structure: FLASH_EraseInitStruct.TypeErase = TYPEERASE_PAGES; FLASH_EraseInitStruct.PageAddress = StartPage_Address; FLASH_EraseInitStruct.NbPages = Number_of_Pages_to_erase; if (HAL_FLASHEx_Erase(&FLASH_EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) { // Error occurred while page erase. } ``` #### 执行页面擦除上述代码会初始化一个结构体 `FLASH_EraseInitStruct` 来指定要擦除的页面范围，并调用函数 `HAL_FLASHEx_Erase()` 实际执行擦除过程[^1]。 #### 数据编程到 FLASH 中一旦页面被清空，则可以通过下面的方式向其中写入新数据： ```c uint32_t address = Address_in_FLASH_memory; for(i=0 ; i<Size_of_data ;i+=4){ if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,address,*((uint32_t*)data+i))!= HAL_OK){ // An error occurred during programming process } address += 4; } ``` 这段循环语句展示了如何逐个单词（即每次四个字节）地将数据写入到指定位置处的 FLASH 地址上。 #### 锁定 FLASH 配置防止意外修改完成所有所需的操作之后应当重新锁定 FLASH 控制寄存器以防后续误操作引起的数据损坏: ```c // Lock the Flash to disable the flash control register access HAL_FLASH_Lock(); ``` 通过以上步骤就可以实现对 STM32F103RCT6 内部 FLASH 进行安全可靠的读取与写入了。