存储系统-半导体存储原理及芯片

TTL（晶体管-晶体管逻辑电路，Transistor-Transistor Logic),
ECL（射极耦合逻辑电路，Emitter Couple Logic），一种使晶体管工作在非饱和状态的电流开关电路。
MOS金属氧化物半导体(场效应管)
CMOS互补对称金属氧化物半导体（Complementary symmetry metal oxide semiconductor）

半导体存储器

存储芯片

双极型，特点：速度快，功耗大，容量小。

分为TTL型和ECL型；

MOS型，特点：功耗小，容量大。

按照工作方式分类：静态MOS，动态MOS
按照电路结构分类：P-MOS ,N-MOS , CMOS(PN两者互补而成)

存储信息原理

静态存储器SRAM（双极型，静态MOS型）

依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。
功耗较大,速度快,作Cache。

动态存储器DRAM（动态MOS型）

依靠电容存储电荷的原理存储信息。
功耗较小,容量大,速度较快,作主存。

双极型存储单元

静态MOS存储单元

动态MOS存储单元与芯片

半导体只读存储器

1.MROM(掩模型只读存储器):

掩膜工艺直接制作。只能读出，不能再进行改变。
可靠性高，集成度高，价格便宜；不能重写。

2.PROM：可一次编程只读存储器

3.EPROM：可擦除可编程只读存储器

用紫外光擦除，并可重复编程的ROM。

4.EEPROM：电擦除可重写只读存储器

5.Flash Memory（闪速存储器）

新型的电擦除可编程ROM，可快速擦除整片或数据块闪速存储器是在EPROM功能基础上增加了芯片的电擦除和重新编程能力。
闪速存储器特点：
1、廉价的高密度
2、可直接执行
3、具有RAM存储器的读写功能。