[半导体] pn结，三极管，MOS基本知识

PN结：

       形成：两硅块结合时，由于它们存在载流子浓度梯度，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散。N区电子离开后，留下不可动的带正电的电离施主，形成正电荷区，同理在P区形成一个负电荷区，它们所在的区域称为空间电荷区 ，产生了从N区到P区的内建电场，少数载流子在其作用下做漂移运动，阻碍多数载流子扩散运动，随着扩散运动的进行，空间电荷区越来越大，漂移运动加强，无外加电场时，最终两者达到动态平衡，形成PN结。

      

      接正向电压：P区接正电压，N区接负电压，与PN结电场方向相反，削弱PN结的内电场，少子漂移运动减弱，扩散电流加大，电流主要由扩散电流决定，呈低阻性。

     

      接反向电压：P区接负电压，N区接正电压，与PN结电场方向相同，加强内电场，少子漂移运动加强，扩散电流减小到可忽略，电流主要由漂移电流决定，但又由于在一定温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本与所加反向电压的大小无关。

  

     PN结正偏电容：势垒电容+扩散电容

双极型晶体管(BJT)：

    

     为双极型：电流由两种载流子形成

     掺杂浓度: 发射区掺杂浓度大，基区掺杂浓度中等，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大