C# 模拟半导体中的电子运动
在半导体中，电子运动受电场、扩散和散射效应影响。一个简化的模型是漂移-扩散模型，它将电子运动分解为漂移（由电场驱动）和扩散（由浓度梯度驱动）。漂移速度由迁移率和电场决定： v d = μ E v_d = \mu E vd=μE，其中 μ \mu μ是迁移率， E E E是电场强度。扩散部分则用扩散系数 D D D描述，满足爱因斯坦关系 D = μ k T q D = \mu \frac{kT}{q} D=μqkT，其中 k k k是玻尔兹曼常数， T T T是温度， q q q是电子电荷。
在数值模拟中，我们可以使用随机行走方法来近似电子位置随时间的变化：
- 漂移分量： Δ x drift = v d Δ t \Delta x_{\text{drift}} = v_d \Delta t Δxdrift=vd
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