固态硬盘SSD Read Retry的测试方法

Read Retry的本质应该说是一种纠错机制，当page出现ECC不可纠正的读取错误时，通过尝试偏离正常阈值电压的方式找到最接近的阈值电压，试图正确读出数据。

Read Retry与P/E cycle密切相关，测试结果表明，随着P/E cycle的增加，阈值电压向右偏移，且电压分布的幅度更宽。通俗来讲，随着P/E cycle次数的增加，正确编程（Program）需要比阈值电压更高的电压，同时，编程时的电压精度变的更差了。

既然阈值电压已经发生了偏移，读取时仍然用正常的读取电压去读取，发生错误就在所难免，因此，读取时也需要将读取电压向右进行相应的偏移才能正确读取数据。

测试流程（参考某3D Nand Flash流程图，ReadRetry部分Parameter1的参数设定不一定完全依照datasheet）

Parameter的设定每个厂商不尽一致，请参考datasheet，一般来说，可以从01-07或者更多参数进行尝试。

测试方法：

1、在set features中，设置address为89h；

2、在sub-parameter中，将parameter1的参数从01开始进行多个参数的设定尝试，如：01，02，03，04……

3、对需要测试的Block进行一次Erase-Program操作，然后去读取写入的数据，获取在一定ECC条件下的误码率，直到相应参数对应的误码率为零。

用NFA100-E测试时，在对既定block进行program后，只需要用Read Only即可。