CHY-02H薄膜测厚仪操作手册

一、前言

CHY-02H薄膜测厚仪是一款高效精准的测量设备,采用先进的机械接触式测量原理,适用于塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片等多种材料的厚度精确测量。本手册旨在为用户提供详细的操作步骤和注意事项,确保用户能够正确、安全地使用该设备。

二、设备检查与准备

  1. 设备检查

    • 确保测厚仪电量充足或已正确连接电源。
    • 检查设备外观是否完好,显示屏是否清晰可见。
    • 检查探头是否完好,无损坏或变形现象。
  2. 样品准备

    • 被测样品表面应平整、无污垢、油脂、氧化层或其他可能影响测量精度的杂质。
    • 确保样品表面干燥且无残留物。

三、开机与设置

  1. 开机

    • 按下电源开关,等待仪器启动。
    • 确认显示屏正常显示,无异常警报。
  2. 设置测量模式与参数

    • 根据被测材料的类型和特性,选择合适的测量模式。
    • 根据需要设置测量单位、测量范围等参数。

四、测量步骤

  1. 放置样品

    • 将被测样品平整地铺放于测厚仪的测试台上。
    • 调整样品位置,保证样品与探头接触良好。
  2. 开始测量

    • 按下测量按钮,开始测量薄膜的厚度。
    • 在测量过程中,避免对样品造成损伤或移动样品。
  3. 读取结果

    • 测量完成后,仪器会自动显示膜厚值。
    • 记录测量结果,包括测量点的位置、日期和时间,以及任何可能影响测量精度的因素。

五、高级功能与操作

  1. 多点测量

    • 为了提高测量的准确性和可靠性,建议在同一位置或多个位置重复测量几次,并取平均值作为最终结果。
    • 可以采用多点测量法,当测量值不稳定时,以一个测定点为中心,在直径约为30mm的圆内进行多次测量,取最小值为厚度值。
  2. 数据存储与分析

    • 本设备支持数据存储功能,可将测得的数据保存在指定的数据文件夹中。
    • 用户可对测得的数据进行分析和处理,生成测量报告。

六、维护与保养

  1. 日常清洁

    • 使用完毕后,请及时关闭电源,用清洁布擦拭仪器表面,保持仪器清洁。
    • 避免在潮湿、高温、强磁场等环境下使用和存放。
  2. 定期校验

    • 定期对仪器进行校验,确保测量精度。
    • 如发现仪器有故障或测量结果异常,应及时联系技术支持进行维修。

七、安全注意事项

  1. 操作安全

    • 请在专业人员的指导下操作。
    • 测量过程中应避免强烈冲击,防止仪器损坏。
  2. 防静电措施

    • 使用薄膜测厚仪时,必须穿戴防静电服装,并在防静电工作台上操作。
  3. 异常处理

    • 若发现异常情况,应立即停止使用,并通知相关维修人员进行处理。

本手册为用户提供了CHY-02H薄膜测厚仪的详细操作步骤和注意事项,请用户在使用过程中仔细阅读并按照手册要求操作,以保证测量的准确性和仪器的寿命。如有任何问题,欢迎随时联系山东泉科瑞达仪器的客服人员。

<think>我们正在分析一个嵌入式系统中的定时器捕获配置代码。用户提供的代码片段中,有一行操作: GTIM_TIMX_CAP->CCER &= ~(1 << (1 + 4 * (chy - 1))) 我们需要解释这行代码的作用。 首先,根据引用[1]和[2],我们知道: - 这里使用的是定时器TIM5,通道y(chy,范围1-4)。 - CCER是捕获/比较使能寄存器(Capture/Compare Enable Register)。 在STM32中,CCER寄存器用于控制每个通道的捕获和比较功能。每个通道占用4位中的2位(实际上每个通道占2位,但4个通道共16位,所以每个通道的配置在寄存器中是连续的)。 具体到每个通道,有两位控制: - 位0: CCyE,通道y捕获/比较使能(0:禁止;1:使能) - 位1: CCyP,通道y捕获/比较极性(0:上升沿/高电平;1:下降沿/低电平) 注意:在参考代码中,我们使用的是通道y(chy),所以需要定位到该通道在CCER寄存器中的位置。 根据引用[2]的提示,每个通道在CCER中占用2位。但是,实际上每个通道是连续的2位,通道1在[1:0],通道2在[3:2],通道3在[5:4],通道4在[7:6](注意:这是对于16位寄存器的低8位,高8位可能用于其他功能或保留)。 然而,用户提供的代码中,表达式为:1 << (1 + 4 * (chy - 1)) 这个表达式计算一个位掩码,用于操作通道y的特定位。 分解: 1. 首先,`chy - 1`:将通道号转换为0起始的索引(即通道1对应0,通道2对应1,通道3对应2,通道4对应3)。 2. 然后,`4 * (chy - 1)`:乘以4,因为每个通道占用4位?但是根据标准参考手册,每个通道只占用2位。这里乘以4,可能是因为寄存器中每个通道的配置位之间间隔了4位?这不太符合常规。 重新思考:在STM32中,CCER寄存器的布局如下(以16位寄存器为例): 位15:12 保留 位11:10 通道4的配置(CC4E和CC4P) 位9:8 通道3的配置(CC3E和CC3P) 位7:6 通道2的配置(CC2E和CC2P) 位5:4 通道1的配置(CC1E和CC1P)?不对,实际上通道1在[0:1]?不对,应该是: 实际上,标准布局是: 通道1: 位0(CC1E),位1(CC1P) 通道2: 位2(CC2E),位3(CC2P) 通道3: 位4(CC3E),位5(CC3P) 通道4: 位6(CC4E),位7(CC4P) 所以,每个通道的两位是连续的,并且通道号n的起始位是2*(n-1)。 但是,用户代码中使用了:1 + 4 * (chy-1) 例如,通道1:1 + 4*0 = 1 -> 第1位(从0开始计数) 通道2:1 + 4*1 = 5 -> 第5位 通道3:1 + 4*2 = 9 -> 第9位 通道4:1 + 4*3 = 13 -> 第13位 这显然与标准布局(通道1在0和1,通道2在2和3,等等)不一致。 因此,我们需要重新审视。可能用户代码中使用的不是标准定时器?或者有特殊的寄存器映射? 但是,引用[2]中提到了: CHy,CH1-2用CCMR1,CH3-4用CCMR2 以及OCxM设置等,但没有提到CCER的位分配。 另一种可能是,代码作者想同时清除通道y的两位(CCyE和CCyP),并且这两位的间隔是4?这不太可能。 或者,代码作者只想清除其中一位?注意表达式是1<<(1+4*(chy-1)),也就是只清除一个位。 我们再看代码:它清除的是CCER寄存器中一个特定的位,这个位的位置由(1 + 4*(chy-1))决定。 在标准STM32中,每个通道有两位,但这里乘以4,说明每个通道之间有4位的间隔?这不符合事实。 实际上,在STM32参考手册中,CCER寄存器的位分配如下(以TIM5为例,它是一个32位定时器,但CCER是16位): 位0: CC1E 位1: CC1P 位2: CC1NP(在高级定时器中存在,但在通用定时器中保留) 位3: 保留 位4: CC2E 位5: CC2P 位6: CC2NP(保留) 位7: 保留 位8: CC3E 位9: CC3P 位10: CC3NP(保留) 位11: 保留 位12: CC4E 位13: CC4P 位14: CC4NP(保留) 位15: 保留 所以,对于通用定时器(如TIM5),每个通道实际占用了4位,但只有前两位有效(E和P),后两位保留(必须保持为0)。 因此,每个通道的配置位在寄存器中占用4位,其中: 通道1:位0(CC1E),位1(CC1P) 通道2:位4(CC2E),位5(CC2P) 通道3:位8(CC3E),位9(CC3P) 通道4:位12(CC4E),位13(CC4P) 这样,表达式`1 + 4 * (chy - 1)`计算的是每个通道的“P”位的位置(即极性控制位): 通道1:1 + 4*0 = 1 -> 位1(CC1P) 通道2:1 + 4*1 = 5 -> 位5(CC2P) 通道3:1 + 4*2 = 9 -> 位9(CC3P) 通道4:1 + 4*3 = 13 -> 位13(CC4P) 因此,这行代码: GTIM_TIMX_CAP->CCER &= ~(1 << (1 + 4 * (chy - 1))) 的作用是:清除通道y的极性位(CCyP),即设置该位为0。 根据引用[2]:OCxM设置为PWM1模式或PWM2模式,区别是输出电平极性相反。在捕获模式下,极性位(CCyP)用于选择捕获边沿:0为上升沿,1为下降沿。 所以,这行代码将通道y的捕获边沿设置为上升沿(因为清除了CCyP位,即设为0)。 但是,注意:这行代码只清除了极性位,并没有改变使能位(CCyE)。而且,在清除极性位之前,可能已经设置了使能位,所以这行代码是在配置过程中修改捕获边沿。 另外,注意这里使用了“&= ~”操作,所以只清除指定的位,不影响其他位。 总结:这行代码的作用是将定时器TIM5的通道y的捕获极性设置为上升沿捕获。 但是,我们也要注意,在完整的代码上下文中,可能还有其他配置。例如,在引用[3]的中断回调函数中,我们看到了在捕获过程中动态改变捕获边沿(上升沿和下降沿切换)以实现高电平脉宽测量。 因此,这行代码可能是初始化过程中设置初始捕获边沿(上升沿)的一部分。 引用[4]提到,通过两次捕获(一次上升沿,一次下降沿)的差值来计算高电平脉冲宽度。所以,初始设置通常为上升沿捕获,然后在上升沿捕获后切换为下降沿捕获。 所以,这行代码在初始化时设置通道y为上升沿捕获。 注意:在参考代码中,通道y是通过宏`GTIM_TIMX_CAP_CHY`定义的(在引用[1]中定义为1),所以这里chy=1。 因此,对于通道1,计算:1 + 4*(1-1)=1,所以清除位1(即CC1P位)。 结论:该行代码将定时器TIM5的通道1的捕获极性设置为上升沿(清除CC1P位)。</think>### 解释代码:`GTIM_TIMX_CAP->CCER &= ~(1 << (1 + 4 * (chy - 1)))` 该代码用于配置定时器捕获通道的极性(触发边沿),具体作用如下: #### 1. **寄存器背景** - `CCER`(Capture/Compare Enable Register)是定时器的捕获/比较使能寄存器,控制各通道的使能和极性[^2]。 - 每个通道占用 4 位(实际仅用 2 位,保留 2 位): - **位 0**:使能位(`CCyE`,0=禁用,1=启用) - **位 1**:极性位(`CCyP`,0=上升沿/高电平,1=下降沿/低电平) - 位 2-3:保留(通常置 0) #### 2. **位运算解析** - **`(chy - 1)`**:将通道号转为 0 起始索引(通道 1→0,通道 2→1)。 - **`4 * (chy - 1)`**:计算通道的位偏移量(每个通道占 4 位)。 - 示例:通道 1 偏移 `0`,通道 2 偏移 `4`。 - **`1 + 4*(chy-1)`**:定位到**极性位(`CCyP`)的位置**: - 通道 1:位 1(`1 + 0 = 1`) - 通道 2:位 5(`1 + 4 = 5`) - 通道 3:位 9(`1 + 8 = 9`) - 通道 4:位 13(`1 + 12 = 13`) - **`1 << N`**:生成目标位掩码(如通道 1 的掩码为 `0x0002`)。 - **`&= ~(mask)`**:清除目标位(设为 0),其他位保持不变。 #### 3. **功能总结** - **作用**:将通道 `chy` 的捕获极性设置为 **上升沿触发**(因 `CCyP=0` 表示上升沿)[^2][^4]。 - **应用场景**:初始化捕获通道时,需指定首次触发的边沿(如高电平脉宽测量需先配置上升沿)[^3][^4]。 #### 示例计算(通道 1) ```c // 通道 chy=1 位位置 = 1 + 4*(1-1) = 1 掩码 = 1 << 1 = 0x0002 (二进制 0000 0010) CCER &= ~0x0002 // 清除位1(CC1P),保留其他位 ``` 结果:`CC1P=0`(上升沿捕获),使能位 `CC1E` 不变。 --- ### 相关问题 1. **如何动态切换捕获边沿(上升沿↔下降沿)?** (参考[^3]中通过`TIM_SET_CAPTUREPOLARITY`修改极性) 2. **捕获高电平脉宽时,如何处理定时器溢出?** (参考[^3]的溢出计数逻辑和[^4]的两次捕获值计算) 3. **`CCER`寄存器的保留位为什么要置0?** (分析STM32寄存器保留位的安全操作规范) 4. **多通道捕获时如何避免寄存器冲突?** (讨论通道间的位域隔离与配置顺序) [^1]: 定义定时器通道的GPIO和寄存器映射(如`TIM5->CCR1`)。 [^2]: 通道配置规则(CCMR寄存器选择、PWM模式设置)。 [^3]: 定时器中断中动态切换捕获边沿并处理溢出。 [^4]: 捕获原理(两次捕获值差计算脉宽)。
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