射频微波混频器端口隔离度简略

射频混频器端口隔离度解析

影响射频微波混频器端口隔离度的因素有以下方面:

1、电路结构因素

       混频器的电路结构是影响端口隔离度的重要因素。不同结构的混频器对各个端口信号的隔离能力不同。例如文中提到的普通混频器,由于射频信号和本振信号直接相加,本振信号会馈通到射频信号通路上,导致射频信号和本振信号的隔离度不是很好;而专门针对高频性能和端口隔离进行优化设计的电路结构(如二极管环形混频器、吉尔伯特单元混频器),能够有更好的端口隔离性能,适用于射频和微波频率下的工作。

2、本振信号特性

       本振信号的特点也会对端口隔离度产生影响。本振信号通常是高电平信号,容易产生泄漏。当本振信号泄漏到其他端口时,就会降低端口之间的隔离度。一般仅定义本振(LO)口到射频(RF)口及本振(LO)口到中频(IF)口的隔离度,因为本振信号的高电平特性使其泄漏问题更为突出,而RF与IF口之间频率相差甚远,且RF功率电平又很低,相对来说本振信号泄漏对隔离度的影响更大。

3、工作频率范围

       工作频率范围会影响端口隔离度。双平衡混频器的工作频带极宽,最高频率与最低频率可达上千倍,但一般在中心频率附近各端口的指标最好。当实际工作频率偏离混频器的中心频率时,端口隔离度等性能指标可能会变差,因此其实际工作频率范围应尽可能位于混频器的中心频率附近,以保证较好的端口隔离度。

仅供参考!

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