笔记-一些MOS管和栅驱

简介:目前收集到的一些MOS管和栅极驱动(NVIC)的重要参数,主要是AO和IR两个牌子。当作一个笔记以供以后参考(但不限于从这里选)。


Nmos管型号Vds(V)Id(A)Rds_on(mΩ)(10V)续流二极管电流(A)备注
AO4248604.556-
AO461630820-
AO4806209.4--
AON650830323.248高续流,电阻小
SI9410DY-t130730-
SIR442DP40406.640
NDS9410A307.328
irf832302043.1
irf873630184.8-电阻小
irf81133017.25.63.1
irf872130148.53.1
irf74133013103.1
irf7458301482.3
irf7493809.3159.3
irf7341304.7502双Nmos
FDS6990307.5181.3双Nmos
FDS6294301311.32.1
FDS6930B305.5381.3双Nmos

栅区型号Io+(mA)Io-(mA)死区(ns)Ton(ns)Toff(ns)备注
ir2104130270520680150半桥
ir2101130270-160150上下桥
ir2117200420-125105单mos
ir2106120250-220200上下桥
ir2108120250540220200半桥
ir2109120250540750200半桥
ir2111200420650750150半桥
ir2112200420-125105上下桥

使用要点:
  1. 不严格区分“半桥驱动”和“上下桥驱动”(因为我不知道他们的区别 - -)。
  2. 输入的PWM信号有占比空的范围限制:
    • 上限一般不能到100%(即稳定的高电平)。比如ir2104的HIN端最高可以去到98%。再高的话会看到对应的HO端电压从自举电压(18V供电+1uF自举电容=44V自举电压)慢慢下降到0。(这应该是自举电容放电的过程。又因为失去了足够的充电时间导致不能输出波形。)
    • 下限一般不能到0%。比如ir2104的HIN端最低能去到1.4%。再低的话会看到HO端的输出波形不完整(峰值达不到自举电压44V)。
  3. MOS管击穿后,电流流过时好像可以听到一点声音。
  4. HVIC的工作原理可以参考Fairchild的手册:AN-6076(中文,自行下载~)(我没仔细看~)
  5. MOS管电路设计的深入探究可以看IR的应用笔记:AN-936(英文)(我没看~另外还有许多IR的文档可以从这里查看并下载)
    AN936:The_Do's_and_Don'ts_of_Using_MOS-Gated_Transistors

    AN6076:高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南

<think>好的,我现在要处理用户关于MOS动电路的问题。首先,用户明确提到需要查找相关的电路图、设计方案,并且引用了两篇关于MOS场效应管原理动电路的文章。我需要确保回答符合系统级指令,同时满足用户的具体需求。 首先,用户要求回答结构清晰,逐步解决问题,并且保证真实可靠。需要引用提供的参考资料,并在引用处添加标识。根据系统指令,所有行内数学公式要用$...$,独立公式用$$...$$,但用户的问题主要涉及电路设计,可能数学公式较少,不过如果有的话需要注意格式。 接下来,我需要分析用户的需求。用户可能正在设计MOS动电路,需要具体的电路图实例设计方案,可能涉及高边/低边动、加速开关、隔离动等。根据提供的引用内容,引用[1]提到了NMOSPMOS的高边、低边动控制以及电源隔离仿真电路,还有信号切换。引用[2]则讨论了7种动电路,特别是加速二极管的使用关断电流优化。 我需要整理这些信息,给出几种常见的动电路设计方案,并附上说明可能的电路图关键部分。同时,根据用户的需求,生成相关问题,如设计注意事项、高边动的挑战、加速二极管的作用等。 需要注意的是,用户可能需要实际的电路图,但由于文本回答的限制,无法直接提供图片,只能通过文字描述或ASCII绘图,但更实际的是描述电路结构,并解释各部分的功能。例如,低边动电路可能包括MOSFET、动IC、极电阻、加速二极管等元件。 另外,要确保引用的正确性,每提到引用内容时在末尾添加[^1]或[^2]。例如,当提到高边低边动时,引用[1];当提到加速二极管时,引用[2]。 最后,生成的相关问题应围绕用户可能进一步关心的点,如设计时的关键参数、不同应用场景的选择、常见问题的解决方法等。</think>[系统级回答] 根据您的需求,以下是几种典型的MOS动电路设计方案及说明(由于文本限制无法直接展示图纸,但会详细描述关键电路结构): 1. **基本低边动电路** ``` 电源正极 │ R(极电阻) │ MOSFET极───┐ │ 动信号输入───二极管(加速用) │ 地───────────源极 ``` 特点:适用于负载接在漏极与电源之间,需注意$R_{g}$阻值对开关速度的影响[^1] 2. **高边动自举电路** ``` 自举二极管 动IC ─┬─▶───┬─极 │ │ C MOSFET │ │ 负载─漏极─┘ │ 电源正极─┘ ``` 关键参数:自举电容$C_{boot}≥\frac{Q_g}{ΔV}$,需满足电荷需求[^1] 3. **带加速二极管的改进电路** ``` 动芯片输出─┬─10Ω电阻─┬─极 │ │ 快恢复二极管◀─┘ │ Zener(源保护) │ 地 ``` 此设计通过二极管加速关断过程,可减少30%关断损耗[^2] 4. **隔离动方案** ``` PWM信号─→光耦/隔离器─→动IC─→极 │ 隔离电源供电 ``` 适用于笔记本电脑等需要电源隔离的场景
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值