STM32L0内部EEPROM

MCU STM32L071RBT6

硬件资源

• 从J-FLASH中可以看到
• FLash地址：
• 0x0800_0000 - 0x0801_FFFF 1024 * 128 Bytes
• EEPROM地址
• 0x0808_0000 - 0x0808_17FF 6 * 1 KB

接入线超低功耗STM32L071RBT6微控制器包含以 32 MHz 频率运行的高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核、存储器保护单元 (MPU)、高速嵌入式存储器（高达 192 KB 的闪存程序存储器、6 KB 数据 EEPROM 和 20 KB RAM）以及广泛的增强型 I/O 和外设。

EEPROM

1. STM32L0内部的非易失空间区分为FLASH和EEPROM，主要体现在用ST-LINK等工具进行整片擦除时，只擦除FLASH的空间,EEPROM的部分不会被擦除

2. 写 EEPROM 的时候需要时间，这个时间是必须等待的，所以基本上确定出问题就是在写入的时候

3. 在程序有 EEPROM 写的位置加上临界区保护即可

链接1

https://blog.youkuaiyun.com/hwytree/article/details/103799910

链接2

https://shequ.stmicroelectronics.cn/thread-640495-1-1.html

链接3

https://blog.youkuaiyun.com/weixin_42328389/article/details/118790548

链接4

https://blog.youkuaiyun.com/wangsanhuai2010/article/details/7932867

//读写函数

#include "bsp_eeprom.h"

/*
 * 写入EEPROM
 */
void mcu_eeprom_write(uint16_t address, uint8_t *data, uint16_t len)
{
    rt_base_t level;
    level = rt_hw_interrupt_disable();

    HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;

    HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
    for(uint8_t i=0; i<len; i++)
    {
        status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+address+i, *data);
        data++;
    }
    HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();

    rt_hw_interrupt_enable(level);
    
    rt_thread_mdelay(10);
}

/*
 * 读取EEPROM
 */
void mcu_eeprom_read(uint16_t address, uint8_t *buffer, uint16_t len)
{
    uint8_t *read_address = 0;
    read_address = (uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+address);
    while(len--)
    {
        *buffer++ = *read_address++;
    }
}