STM32L051测试（四、Flash和EEPROM的读写）_stm32l 操作内部eeprom(1)

最新推荐文章于 2025-04-04 09:16:03 发布

2401_84563933

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文章标签：单元测试功能测试学习

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/2401_84563933/article/details/138981057

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1、STM32L051内部存储模块地址范围

开始找到F103的FLASH图复习了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash，然后我惊奇的发现还有2KB的EEPROM。

发现L051系列的地址与F103完全不同，F103的flash每页的长度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各种资料，
查了2个小时，

还是不知道L051的flash 每页长度是 128Byte 还是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？

还是请教了一下大佬，发现直接在J-Flash中可以找到答案，先上个F103的图：

在这里插入图片描述

然后来看个L051的图：

在这里插入图片描述

图中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明显的看出地址，flash 512页，每页128bytes，EEPROM只有4页，每页512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起来了。

最后还需要确定的一点事，最小擦除单元是128bytes，还是256bytes，按以前的认知，删除是按照一个Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些网上的例子和资料，有的是说256bytes，所以后面需要自己确定一下。

其实在HAL库的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有过 FLASH_PAGE_SIZE 的定义，就是128bytes ：

#define FLASH\_SIZE (uint32\_t)((\*((uint32\_t \*)FLASHSIZE\_BASE)&0xFFFF) \* 1024U)
#define FLASH\_PAGE\_SIZE ((uint32\_t)128U) /\*!< FLASH Page Size in bytes \*/

对于flash的操作，有一些基础知识补充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area
• Programming in the Flash memory performed by word or half-page
• Programming in the Option bytes area performed by word
• Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte
• Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option
bytes)

STM32L051写Flash必须字，读字节、半字、字都支持。（这句话也是错误的，这是以前哪里看到的，实际测试写可以根据字，半字，字节来写）。

一些基本概念：

定义字是根据处理器的特性决定的。

首先ARM是32bit处理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；
字节不论在哪个CPU上都是8bit。

1 Byte = 8 bits（即 1B=8b）
1 KB = 1024 Bytes

Bit意为“位”或“比特”，是计算机运算的基础，属于二进制的范畴；

Byte意为“字节”，是计算机文件大小的基本计算单位；

2、读写函数的设计

HAL库中肯定是有对flash和EEPROM进行操作的函数，我们这里新建一个stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函数分别放在对应位置，进行自己的函数设计。

库中Flash与EEPROM的函数看样子是分别放在
stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我们先使用EEPROM，因为提供EEPROM，就是让用户可以保存一些掉电后的数据的嘛。

测试完EEPROM，再去测试下flash，因为怕有时候数据不够放……

2.1 读取函数

//读取指定地址的半字(16位数据)
uint16\_t FLASH\_ReadHalfWord(uint32\_t address)
{
  return \*(__IO uint16\_t\*)address; 
}

//读取指定地址的全字(32位数据)
uint32\_t FLASH\_ReadWord(uint32\_t address)
{
  return \*(__IO uint32\_t\*)address;
}

简单测试一下：

u32 read_data1=0XFFFFFFFF;
u32 read_data2=0XFFFFFFFF;
...
read_data1 = FLASH\_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);
printf("the DATA\_EEPROM\_START\_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);
read_data2 = FLASH\_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE);
printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

没有写入数据读取的值应该都是0。

2.2 EEPROM写函数

对EEPROM的写函数：
stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函数如下：

HAL_StatusTypeDef HAL\_FLASHEx\_DATAEEPROM\_Unlock(void);
HAL_StatusTypeDef HAL\_FLASHEx\_DATAEEPROM\_Lock(void);

HAL_StatusTypeDef HAL\_FLASHEx\_DATAEEPROM\_Erase(uint32\_t Address);
HAL_StatusTypeDef HAL\_FLASHEx\_DATAEEPROM\_Program(uint32\_t TypeProgram, uint32\_t Address, uint32\_t Data);

通过函数看来，可以直接用，但是这里有一个问题

需要测试一下，擦除是否会擦除整个扇区