LongRunning的博客

‌电平波动引发动态漏电流‌浮空输入状态下，IO引脚处于高阻态，其电平易受电磁干扰或寄生电容影响，导致内部MOS管栅极电压在0V至VDD间波动，形成动态充放电路径。这种波动会持续消耗约5-8μA电流‌34。‌内部保护二极管导通路径‌当浮空引脚因干扰产生高于VDD或低于GND的电压时，内部ESD保护二极管导通。例如，引脚电压>VDD时，电流路径为：引脚→VDD→电源→GND，典型漏电流约3-5μA‌68。‌输入缓冲器的静态功耗‌施密特触发器在浮空输入模式下处于激活状态。

4.PLL是一个耗电大户，如果做低功耗还是把PLL禁用，直接HSE/HSI/MSI到SYSCLK。要使停止模式下的功耗最低，内部 Flash 也进入低功耗模式。5.内核电压，根据不同的运行速度和VDD电压调节动态调压器，达到速度与功耗的平衡。0.3 μA 停机模式：无实时时钟运行，保存上下文，保留RAM内容。在停止模式下，所有 I/O 引脚的状态与运行模式下相同。调压器既可以配置为正常模式，也可以配置为低功耗模式。在停止模式下，VCORE 域中的所有时钟都会停止，6μA低功耗运行模式，32kHz运行频率。

1. SPI基础物理层片选线 ：选中拉低SCK: 时钟线MOSI:主出从入MISO:主入从出协议层CPOL:时钟极性：空闲电平高低CPHA:时钟相位：第一个还是第二个边沿采样

参考文档：野火STM32F103。

参考文档：野火STM32F103。

参考资料：野火电子F103文档参考资料：STM32F1XX数据手册（官方）