蓝桥杯单片机组省赛客观题知识点总结

模电

KCL:流入电流等于流出电流

KVL：选取某个回路，电压升等于电压降。

都是适用于线性电路

叠加定理：在线性电路中，若含有多个独立电源，它们共同作用在某一支路中产生的电压或电流，必定等于各独立电源单独作用产生的电压或电流的代数和，这一定理称为叠加定理。

戴维南定理 ：一个含独立电源、线性电阻和受控源的一端口，对外可以等效成一个电压源和一个电阻串联，电压等于原电路端口两端的开路电压，电阻等于全部独立源置0时的等效电阻。

诺顿定理：等效成了一个电流源和一个电阻并联，电流大小等于原电路短路时端口流过的电流，电阻也是等于全部独立源置0时的等效电阻

诺顿定理和戴维南定理个人认为可以用叠加定理代替。

串联谐振：

电感上电压和电容上的反向（180），使阻抗最小，电流最大。w=1/(LC)*0.5

x=wL-1/wc

w大，就处于感性，w小，就处于容性。

并联谐振：

电感上电压和电容上的反向（180），电流最小。w=1/(LC)*0.5

w大，就处于容性，w小，就处于感性。

电容：

主要参数：

• 标称容量
• 允许误差（一般在+-10%）
• 额定耐压
• 漏电流
• 绝缘电阻
• 耗损因数
• 温度系数
• 频率特性

电阻：

• 标称阻值
• 允许偏差
• 额定功率
• 温度系数（50ppm/100ppm)
• 最高工作电压
• 噪声
• 老化系数

电感：

• 电感量
• 允许偏差
• 分布电容
• 额定电流
• 品质因数

二极管主要参数：

• 最大整流电流
• 最高反向工作电压
• 正向电压降
• 反向恢复时间
• 结电容（二极管的等效电容）
• 反向漏电流
• 最高工作频率
• 热阻（衡量二极管的散热能力）

三极管主要参数：

直流参数：

• 电流放大系数
• 穿透电流

交流参数：

• 交流放大系数
• 截止频率

极限参数：

• 集电极最大允许电流
• 集电极-发射极击穿电压
• 集电极最大耗散功率

运算放大器：

直流参数：

• 输入偏置电流
• 输入失调电流

交流参数：

• 开环增益
• 增益带宽积

输入/输出特性

• 输入阻抗
• 输出阻抗
• 静态损耗
• 温度范围
• 电源电压范围

二极管：

理想二极管：压降就是0

二极管的伏安特性曲线：温度升高，曲线向左移，温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。

稳压管：利用的是反向击穿特性，稳压管工作必须串联一个电阻

二极管的反向电流指的是二极管在规定的温度和最高反向电压下，流过二极管的反向电流，温度越高，反向电流越大。

晶体管的穿透电流能够体现晶体管的温度稳定性（穿透电流是指晶体管基极开路时，集电极到发射机之间的反向截至电流。该电流随温度的升高而变大，Iao大的晶体管电流损耗大，温度容易升高，工作不稳定）

晶体管的放大系数指的是信号经过晶体管放大后的输出信号增益，称为电流放大系数，衡量了晶体管的放大能力。

晶体管的集电极的最大容许电流表征晶体管电流特性好坏的一个重要参数。

三极管：

饱和区，放大区，截止区。

三极管做开关的时候利用的是截止区和饱和区。

温度上升，电流上升。

发射结正偏：

发射极电压(e)<基极电压(b)

集电极正偏：

集电极电压(c)<基极电压(b)

**截止区：**发射结小于开启电压，集电结反偏，发射结反偏

放大区：集电结反偏，发射结正偏

饱和区：集电结正偏，发射结正偏（类比放水的实际情况）

温度对输出特性的影响：

温度升高，基极电流升高，集电极电流升高。

晶体管类型和工作状态的判断：

若某级电位明显高于/低于其它点，则该极为集电极，居中的是基极，另一极是发射极。

储能元件：电感和电容

例题分析：

1.BJT构成的放大器主要利用了三极管电流控制电流的功能选择电阻：需要在范围以内，并且精度不能太高，否则太过昂贵。

压敏电阻：电压敏感传感器，电压超过临界值，阻值急剧减小，电流急剧增大。二极管导通的分析：