蓝桥杯单片机组省赛客观题知识点总结

模电

KCL:流入电流等于流出电流

KVL：选取某个回路，电压升等于电压降。

都是适用于线性电路

叠加定理：在线性电路中，若含有多个独立电源，它们共同作用在某一支路中产生的电压或电流，必定等于各独立电源单独作用产生的电压或电流的代数和，这一定理称为叠加定理。

戴维南定理 ：一个含独立电源、线性电阻和受控源的一端口，对外可以等效成一个电压源和一个电阻串联，电压等于原电路端口两端的开路电压，电阻等于全部独立源置0时的等效电阻。

诺顿定理：等效成了一个电流源和一个电阻并联，电流大小等于原电路短路时端口流过的电流，电阻也是等于全部独立源置0时的等效电阻

诺顿定理和戴维南定理个人认为可以用叠加定理代替。

串联谐振：

电感上电压和电容上的反向（180），使阻抗最小，电流最大。w=1/(LC)*0.5

x=wL-1/wc

w大，就处于感性，w小，就处于容性。

并联谐振：

电感上电压和电容上的反向（180），电流最小。w=1/(LC)*0.5

w大，就处于容性，w小，就处于感性。

电容：

主要参数：

• 标称容量
• 允许误差（一般在+-10%）
• 额定耐压
• 漏电流
• 绝缘电阻
• 耗损因数
• 温度系数
• 频率特性

电阻：

• 标称阻值
• 允许偏差
• 额定功率
• 温度系数（50ppm/100ppm)
• 最高工作电压
• 噪声
• 老化系数

电感：

• 电感量
• 允许偏差
• 分布电容
• 额定电流
• 品质因数

二极管主要参数：

• 最大整流电流
• 最高反向工作电压
• 正向电压降
• 反向恢复时间
• 结电容（二极管的等效电容）
• 反向漏电流
• 最高工作频率
• 热阻（衡量二极管的散热能力）

三极管主要参数：

直流参数：

• 电流放大系数
• 穿透电流

交流参数：

• 交流放大系数
• 截止频率

极限参数：

• 集电极最大允许电流
• 集电极-发射极击穿电压
• 集电极最大耗散功率

运算放大器：

直流参数：

• 输入偏置电流
• 输入失调电流

交流参数：

• 开环增益
• 增益带宽积

输入/输出特性

• 输入阻抗
• 输出阻抗
• 静态损耗
• 温度范围
• 电源电压范围

二极管：

理想二极管：压降就是0

二极管的伏安特性曲线：温度升高，曲线向左移，温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。

稳压管：利用的是反向击穿特性，稳压管工作必须串联一个电阻

二极管的反向电流指的是二极管在规定的温度和最高反向电压下，流过二极管的反向电流，温度越高，反向电流越大。

晶体管的穿透电流能够体现晶体管的温度稳定性（穿透电流是指晶体管基极开路时，集电极到发射机之间的反向截至电流。该电流随温度的升高而变大，Iao大的晶体管电流损耗大，温度容易升高，工作不稳定）

晶体管的放大系数指的是信号经过晶体管放大后的输出信号增益，称为电流放大系数，衡量了晶体管的放大能力。

晶体管的集电极的最大容许电流表征晶体管电流特性好坏的一个重要参数。

三极管：

饱和区，放大区，截止区。

三极管做开关的时候利用的是截止区和饱和区。

温度上升，电流上升。

发射结正偏：

发射极电压(e)<基极电压(b)

集电极正偏：

集电极电压(c)<基极电压(b)

**截止区：**发射结小于开启电压，集电结反偏，发射结反偏

放大区：集电结反偏，发射结正偏

饱和区：集电结正偏，发射结正偏（类比放水的实际情况）

温度对输出特性的影响：

温度升高，基极电流升高，集电极电流升高。

晶体管类型和工作状态的判断：

若某级电位明显高于/低于其它点，则该极为集电极，居中的是基极，另一极是发射极。

储能元件：电感和电容

例题分析：

1.BJT构成的放大器主要利用了三极管电流控制电流的功能选择电阻：需要在范围以内，并且精度不能太高，否则太过昂贵。

压敏电阻：电压敏感传感器，电压超过临界值，阻值急剧减小，电流急剧增大。二极管导通的分析：

放大电路：

• 放大倍数
• 输入电阻Ri，输入电阻越大，获取的输入电压越大
• 输出电阻R0：输出电阻越小，分压越小，RL分压越大

优秀的放大电路：输入电阻尽可能大，输出电阻尽可能小

电压增益：

基础公式：

电压增益（Av）的基本定义为输出电压与输入电压的比值： Av=Vout/Vin

分贝表示法：

Av(dB)=20log⁡10(Vout/Vin)，这种表示法常用于评估放大器性能的线性范围。

通频带：

由于放大电路中有电容，电阻，会形成滤波器对某些频率信号进行过滤，对于放大倍数大于0.707最大倍数值的频率范围，称为通频带

共射放大电路：

Vce=Vcc（固定的）-IcRc（输入电压）,Vce大的话，Ic就小，是此消彼长的关系，相位差相位相差180度

波形失真及解决方案：

放大电路的静态工作点：基极电流Ib，集电极电流Ic，集电极发射极电压Uce

偏置电阻

上偏置电阻:电流先经过电阻再流向基极

下偏置电阻：电流先经过基极再流向电阻

截止失真：(Ic是纵轴，Uce是横轴，信号无法通过）

Q点低，位于截止区，Ube=Vbb-IbRb, Uce=Vce-IcRc,那就要增大Ib,

• 减小偏置电阻
• 增大基极电压

饱和失真：(失真和效率降低）

• 增大偏置电阻
• 减小输出电阻Rc

电压电压波动，元件老化，**温度（影响最大）**都对静态工作点有影响。

温度升高，静态工作点向饱和区运动，反之，向截止区运动

多级放大电路：

• 直接耦合
• 阻容耦合
• 变压器耦合
• 光电耦合

输入电阻：第一级放大电路的输入电阻

输出电阻：最后一级放大电路的输出电阻

多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益提高，通频带变窄

既能放大直流信号，又能放大交流信号的是直接耦合

运算放大器

两类基本特性：虚短，虚断

负反馈对电路的影响：

1.稳定放大倍数 2.展宽频带 3.减小非线性失真

工作在线性区域的运算放大器处于负反馈状态

放大电路的开环是指无负反馈电路,开路指的是无负载

运算放大器的理想特性：

• 无限大的开环增益
• 无限大的输入阻抗
• 零输出阻抗

基本运算电路：

• 电压跟随器：

求和运算电路

其它运算电路：

• 加减法运算（含电阻）
• 积分运算（含电容）
• 微分运算（含电阻）
• 对数运算（含二极管）
• 指数运算（含电阻）
• 乘法器
• 除法运算（乘法器）

滤波电路：

f=1/2ΠRC

有源滤波器：有电源，无增益，用于信号处理，不适合高电压大电流

无源滤波器：无电源，有增益。

• 低通滤波器（低频信号可通过）
• 高通滤波器（高频信号可通过）
• 带通滤波器（中间部分可通过)
• 带阻滤波器（两边部分可通过）
• 全通滤波器（可全通过）

比较器电路：

• 单限比较器：很灵敏，抗干扰能力差
• 过零比较器
• 滞回比较器：有惯性，抗干扰能力强
• 窗口比较器

电源电路：

变压器 — 整流电路 — 滤波电路 — 稳压电路

半波整流：

桥式整流（全波整流）：

AD：直流电

AC：交流电

DC：直流电

boost升压电路（DC/DC）：包含二极管，开关，电阻，电感，电容

buck降压电路（DC/DC）:包含二极管，开关（一般都用晶体管，如三极管，MOS管）电阻，电感，电容

LDO:低压线性稳定器，输出压降比较低

三段线性稳定器：一种常见的电压稳定器

在电路板上，信号传输过程中产生信号反射的原因是线路阻抗不连续

数电：

逻辑代数基础

表达式计算：

A*B 是A与B，A+B是A或B

头上有横杠是非运算，然后直接赋值法就行

门电路：

• MOS型：CMOS（与非门）,NMOS,PMOS
• 双极型：TTL（或非门）,ECL
• 混合型：BiCMOS,IGBT

在门电路中，可以作为开关器件的有三极管，MOS管

输出端可以直接相连实现线与的是：OC门，OD门

译码器：输入地址线有n条，则输出线位有2^N条

触发器在触发脉冲消失后，输出状态保持现状态

N个触发器构成的计数器中，有效状态最多有2^N

BCD码

是指用4位二进制表示1位十进制

最常用的就是8421BCD码，至少要4个触发器

组合逻辑电路

任意时刻的输出只取决于该时刻的输入，与电路原来的状态无关

时序逻辑电路

在任意时刻的输出信号不仅与当时的输入信号有关，而且与电路原来的状态有关，包含触发器，计数器，寄存器，分频器

竞争冒险关系：逻辑表达式中，若某个变量同时以原变量和反变量两种形式出现，就具备了竞争条件

三态门：高电平，低电平，高阻态

同步电路和异步电路的区别是电路中是否存在统一的时钟信号

漏极开路：CMOS门电路只有NMOS管，并且它的漏极是开路的

施密特触发器常用于对脉冲波形的整形和变换

TTL电路中，若输入端悬空，其状态等效于输入了高电平

贴片电阻，如100 2=100*10^2,精度是1%（一般10%的电阻很少见，几乎没有）

103=10 *10^3,但是精度是5%

电容也是一样的，但基础单位是pF

C语言：

一．字符型char

对于signed char，它用于定义带符号字节数据，其字节的最高位为符号位，“0”表示正数，“1”表示负数，补码表示，所能表示的数值范围是-128~+127；

对于unsigned char，它用于定义无符号字节数据或字符，可以存放一个字节的无符号数，其取值范围为0~255。

二．int整型

分singed int和unsigned int。默认为signed int。它们的长度均为两个字节，用于存放一个双字节数据。对于signed int，用于存放两字节带符号数，补码表示，数的范畴为-32768~+32767。对于unsigned int，用于存放两字节无符号数，数的范围为0~65535。

三．long长整型

分singed long和unsigned long。默认为signed long。它们的长度均为四个字节，用于存放一个四字节数据。对于signed long，用于存放四字节带符号数，补码表示，数的范畴为-2147483648~+2147483647。对于unsigned long，用于存放四字节无符号数，数的范围为0~4294967295。

四．float浮点型

float型数据的长度为四个字节，格式符合IEEE-754标准的单精度浮点型数据，包含指数和尾数两部分，最高位为符号位，“1”表示负数，“0”表示正数，其次的8位为阶码

五． 指针型

占据三个字节

六．特殊功能寄存器型

sfr为字节型特殊功能寄存器类型，占一个内存单元，利用它可以访问51内部的所有特殊功能寄存器；

sfr16为双字节型特殊功能寄存器类型，占用两个字节单元，利用它可以访问51内部的所有两个字节的特殊功能寄存器。

七．位类型

这也是C51中扩充的数据类型，用于访问51单片机中的可寻址的位单元。在C51中，支持两种位类型：bit型和sbit型。它们在内存中都只占一个二进制位，其值可以是“1”或“0”。

用bit定义的位变量在C51编译器编译时，在不同的时候位地址是可以变化的，

而sbit定义的位变量必须与51单片机的一个可以寻址位单元或可位寻址的字节单元中的某一位联系在一起，在C51编译器编译时，其对应的位地址是不可变化的。

（2）关键字

EEPROM和FLASH都属于ROM（只读存储器），数据不易丢失

RAM，放的是一些运行的时候的变量，（包括SRAM（静态）和DRAM（动态），断电时数据易丢失

CPU：执行各种指令

code 访问程序存储器ROM，即我们常说的代码段，用来存放可执行代码，空间可达64K（0x0000~0xffff），该存储空间的代码段是只读的。data 访问可直接寻址的片内存储器，即内部RAM，即我们常说的DATA区或数据段，在整个RAM块中只占前128 字节（0x00~0x7f），因为它采用直接寻址方式，对变量最高速的访问最快，通常我们把使用比较频繁的变量或局部变量存储在DATA 段中，但是次数必须节省，因为它的空间毕竟有限。

DATA数据段中分为两个子段，第一个子段包含四组寄存器组，每组寄存器组包含八个寄存器，共32 个寄存器；另外一个子段叫做位寻址段BDATA， 大小16 个字节，共128 位，每一位都可单独寻址：

bdata 访问位寻址的片内存储器，即访问内部RAM，在其中从20H开始的16字节（0x20~0x2f）。

xdata（第三快) 访问外部数据存储器，即外部RAM，大小64K（0x0000~0xffff），16 位地址寻，称作外部数，据区简称XDATA 区，访问XDATA 须采用间接寻址，如果要将一个变量放到外部RAM里面，要用xdata.

Idata 间接寻址片内数据存储区（256字节）（速度第二快）

Pdata(第四快） : 访问当前页面内的外部RAM中的XDATA，每一页256字节，按页访问。PDATA 段只有256 个字节，而XDATA段可达65536 个字节（64K嘛），对PDATA 和XDATA 的操作是相似的，但是对PDATA 段寻址比对XDATA 段寻址要快，因为对PDATA 段寻址只需要装入8 位地址，而对XDATA 段寻址需装入16 位地址，所以尽量把外部数据存储在PDATA 段中。

sfr 用于定义8位特殊功能寄存器

sfr16 用于定义16位特殊功能寄存器

sbit 用于定义可位寻址对象

interruptC51使用interrupt m修饰符可将函数转化为中断函数m为中断向量优先级。

using定义函数时用来选择函数使用寄存器的分组

通常情况下，C51的功能不能被嵌套调用。因为，函数参数和局部变量都存储在固定的内存位置。函数的递归调用使用相同的内存位置。而且，在这种情况下，参数和数据得到损坏。

(1)auto：声明自动变量一般不使用

(2)extern：声明变量是在其他文件正声明（也可以看做是引用变量）(3)register：声明积存器变量

(4)static：声明静态变量 (4)volatile：说明变量在程序执行中可被隐含地改变

程序是以二进制编码的形式存放在程序存储器中

Keil—>hex文件—>bin文件

对于异或：相同为0，不同为1

USB是差分传输

蓝桥杯一般就用data,idata就够用了

可位寻址指的是可以对某个位单独赋值，不可位寻址指的是必须整体赋值，无法单独赋值，也可以在stc.15头文件中找，**每个IO口（P4等）**肯定能位寻址

float能表达的数值最大

字节寻址：8位赋值

位寻址：单独一位赋值

BCD码的读数：

8421BCD码是用4位二进制数来表示1位十进制数，且这4位二进制数的权从高到低分别是8、4、2、1 ，其取值范围是0000（表示十进制0）到1001（表示十进制9）。

2. 然后将十进制数94拆分为个位和十位分别转换：

• 对于十位数字9：
• 根据8421BCD码规则，要表示9，因为8 + 1=9，所以用4位二进制数表示为1001（8对应的位为1，4对应的位为0，2对应的位为0，1对应的位为1）。
• 对于个位数字4：
• 因为4本身就是4位二进制数中4所对应的位的值，所以用4位二进制数表示为0100（8对应的位为0，4对应的位为1，2对应的位为0，1对应的位为0）。

3. 最后将十位和个位的8421BCD码组合起来：

把表示十位的1001和表示个位的0100组合，得到1001 0100。

单片机外围电路：

全双工串行通信是指发送和接收互不干扰

半双工：一段时间内只能发送或者接收，不能同时进行

单工：只能发送或者接收

差分传输：

1.抗干扰能力强 

2.信号完整性好

3.长距离传输

常见的差分传输方式：RS422，RS485，USB

串口通信波特率表示数据的传输速度，波特率表示的是位/秒（bps)，1K字节表示1024字节

32.768KHz通常为RTC时钟单元提供时钟信号

超声波基于压电效应（将电能←→机械能)

热电效应：电能转换成热能

霍尔效应：磁场和电场的转换

PWM技术可以用于LED调光，电机调速，电源转换

通过单片机和3.3V外设通信时，可以采用三极管电路，专用集成电路

降低MCU的功耗：1.降低主频 2.空闲的时候进入空闲/掉电模式

单片机的寄存器PC中存储的是下一条要执行的指令地址。

IAP15F2K60S2单片机通常是5v供电的（datasheet)

外部中断的请求标志位一般都是IE（interrupt）

波特率发生器是STC12系列才有的。

有源滤波器里可能有运放（需要供电）

单片机只能通过UART进行在线调试

计算机系统管理内存的大小是由地址总线决定的（因为它的宽度决定了CPU能够访问的内存地址数量）

放大器带负载能力强，一般是引入了电压反馈

IAP15F2K60S2单片机只能下降沿触发外部中断的引脚是P3.0

放大电路的静态是指输入端短路

放大电路的动态是指在静态的基础上，加入交流输入信号的状态

单片机的在线调试功能会占用P30，P31

单片机通过UART实现程序烧写功能

I2C协议中常见的地址模式有7位和10位

当晶振为12Mhz时，定时器最大的为2的16次65536us

在访问外部程序存储器时，P0输出低八位地址信息后，将变为数据总线，高八位地址由P2提供，8位数据还是由P0提供

单片机复位后，P0~P3口状态为高电平，1个机器周期为12个时钟周期

.串口数据发送和接收缓冲器均为SBUF，不能够同时发送和接收数据❌

在MCS-51单片机中，串行口中有两个缓冲寄存器SBUF，一个是发送寄存器，一个是接收寄存器，字节地址均为99H，但在物理结构上是完全独立的，可以同时发送和接收数据。

蓝桥杯历届省赛题例题

桥式整流

目的是让电阻正弦的，有正有负的电压变成全是正的（在x轴的上面）

换算成十六进制，因为一共有8位，所以30H，要向左移两位，变成0xC3,十进制是195，因为一共有8位，所以195/1024 *5=0.95

hex:十六进制

dec:十进制

bin:二进制

DAC转换器的转换公式：

1LSB产生的输出电压增量，即DAC的分辨率。分辨率=参考电压/(2*-1)。

就本题而言，分辨率= 2.4V/ 255 = 0.0094V。

减法计数器的初始状态为00000000,

经过1个输入脉冲后，为1111，即256-1=255;

经过2个输入脉冲后，为1111110，即256-2=254;

经过256个输入脉冲后，为0000000，即256-256=0。

300 - 256=44，256-44=212， 其二进制表示为: 1101 0100。

一个 10 位逐次逼近型 ADC的分辨率是多少（ B ）。

A. 1% B. 0.1%

C. 0.01% D. 0.001%

解析：

ADC的分辨率是指其能够区分的最小输入电压变化量。对于一个N位的ADC，其分辨率（Vres）通常可以通过以下公式计算：

Vres = Vref / (2^N - 1)

其中，Vref是ADC的参考电压，N是ADC的位数。

对于10位ADC：N=10,假设Vref为1V（这个值可以根据实际应用的ADC参考电压来确定）：

Vres = 1V / (2^10 - 1) = 1V / 1023 ≈ 0.001mV。

所以答案选：B。

PWM 技术通常应用于哪些场合（ ABCD ）。

A. LED 调光 B. 电机调速

C. 电源转换 D. AD 转换

解析：

PWM技术通过改变脉冲的宽度来控制LED灯的亮度。

PWM技术应用于电机控制领域，通过调整PWM信号的占空比，可以实现对电机转速的精确控制。

PWM技术应用于电源转换领域，通过调整PWM信号的占空比和频率，可以实现对输出电压和电流的精确控制。PWM整流技术是一种将交流电转换成直流电的方法。

PWM技术可以用于某些特定的A/D转换电路设计。

所以答案选：ABCD。

在单片机系统中，堆和栈的大小是由什么决定的（ D ）。

A. 内核架构 B. 操作系统

C. 芯片的 FLASH 空间 D. 程序设计者

解析：

堆主要用于动态内存分配，其大小可以根据程序需求进行动态调整，堆的分配和释放通常是由程序员手动控制的；而栈则主要用于存储函数调用和局部变量，函数的嵌套深度会直接影响栈的大小。如果程序中存在深层的函数调用，那么就需要更大的栈空间来存储这些函数的参数、返回地址和局部变量等信息，其大小在编译时确定，且通常较小。综上堆和栈的大小都是由程序设计者决定的。

所以答案选：D。

同向加法电路的题目，要会计算

郑重说明：本文是自己看了优快云另一个博主（@柳离风）的博客，再加上自己做蓝桥杯客观题搜集和总结的资料写的，在此说明。

文章创作不易，可以请博主喝杯奶茶支持一下嘛，非常感激。