行人再识别 + 行人对齐

文章链接:[1707.00408] Pedestrian Alignment Network for Large-scale Person Re-identification
代码链接:layumi/Pedestrian_Alignment
发表于 IEEE Transactions on Circuits and Systems for Video Technology

1.Motivation
近年来,对行人再识别(person re-ID)问题的研究也越来越多了。类比于自然语言处理(nlp)的话,大家或者集中于语义层面的设计(比如设计loss,triplet loss,identi+verif loss),或者集中于语法层面上(利用人体的内在结构,比如水平切割,pose预测)。
这篇文章集中于语法层面上,也就是利用人体结构来增强识别能力。现阶段行人重识别的发展一部分是归因于大数据集和深度学习方法的出现。现有大数据集往往采用自动检测的方法,比如DPM 来检测行人,把行人从背景中切割出来。或者花钱,邀请很多标注者一起来抠人,标注数据。
但是 自动检测会包含错误,影响下一阶段的学习和识别; 人为抠的行人图像 虽然明显错误较少,但包含不同的bias,也同样未必适合下阶段 深度学习方法的学习。 所以一个直接的想法: 让深度学习方法自己来矫正输入,学习一个二维的变换,把行人对齐好以后,再做下一步的识别。
那么我们如何定义什么样的二维变换是好的变换呢? 需要额外的监督信息来学习么,比如行人pose的groundtruth?
不需要额外的信息标注。 本文提出一个想法,直接用我们识别人这个信息就好了。 因为 行人对齐和行人识别是可以互利互惠的两个问题。 当我们做行人识别的时候,行人人体是高亮的(可以见如下的热度图),背景中不含重要信息,自然就区分出来了。所以我们可以依此来把人体抠出来,预测输入的变换方式。 而反过来,当行人数据

<think>嗯,用户想了解Buck电路自举电容的工作原理设计方法。首先,我需要回忆一下之前的相关知识。自举电容在Buck电路中主要用于驱动高侧MOSFET,尤其是在同步Buck转换器中。异步Buck使用二极管,而同步Buck用MOSFET代替二极管,所以驱动方式不同。根据用户提供的引用,特别是引用[3][4],当高侧MOSFET的源极连接到SW节点时,在导通时SW的电压会升高,导致驱动电压不足。这时候自举电容的作用就体现出来了。当低侧MOS导通时,SW被拉到地,自举电容通过电源充电。当高侧需要导通时,电容的电压叠在SW上,提供足够的Vgs电压。设计方法方面,需要考虑电容的容值、耐压ESR。引用[4]提到充电回路电压需求,所以电容值要足够存储所需电荷,同时耐压要高于Vin自举电压。ESR会影响充放电速度,所以低ESR的电容更好。此外,布局布线也很重要,要减少寄生电感的影响,避免电压尖峰。用户可能的问题可能涉及自举电容的选择、计算参数的方法,或者常见问题排查。比如如何计算所需电容值,或者如果自举电容失效会有什么现象。需要确保回答覆盖这些方面,并引用合适的资料支持。</think>### Buck电路自举电容工作原理及设计方法 #### 一、自举电容的作用 在同步Buck电路中,自举电容的核心功能是为高侧MOSFET(Q1)提供足够且稳定的栅极驱动电压$V_{GS}$。当Q1导通时,其源极(S极)与SW节点相连,此时SW点电压接近输入电压$V_{IN}$,导致驱动电路无法直接通过常规电源提供$V_{GS}$。自举电容通过储能电压叠,使$V_{GS}$始终满足$V_{GS} > V_{th}$(阈值电压)[^3][^4]。 #### 二、工作原理分阶段解析 1. **低侧MOS导通阶段(Q2导通)** - SW节点被拉低至GND,自举电容$C_{boot}$通过充电回路(通常为$V_{CC}$→二极管→$C_{boot}$→GND)充电。 - 此时$C_{boot}$两端电压稳定在$V_{CC}$(例如5V),即$V_{boot} = V_{CC}$[^4]。 2. **高侧MOS导通阶段(Q1导通)** - Q2关断后,SW节点电压迅速升至$V_{IN}$。由于电容两端电压不能突变,$C_{boot}$下极板(SW侧)电压变为$V_{IN}$,上极板电压则升至$V_{IN} + V_{CC}$。 - 该电压作为Q1的栅极驱动电压,保证$V_{GS} = V_{CC} > V_{th}$,使Q1可靠导通[^4]。 $$V_{GS} = V_{boot} + V_{SW} = V_{CC} + V_{IN} - V_{IN} = V_{CC}$$ #### 三、设计方法及关键参数 1. **电容容值选择** - 需满足$Q = C \cdot \Delta V$,其中$Q$为驱动电路单周期消耗的电荷量(可从MOSFET数据手册获取)。 - 典型值范围:0.1μF~1μF,需结合开关频率调整。高频应用需更小容值以减少充放电时间[^4]。 2. **耐压与ESR要求** - 耐压需高于$V_{IN} + V_{CC}$(例如$V_{IN}=12V$时选择16V耐压电容)。 - 优先选择低ESR(等效串联电阻电容,以减少驱动回路的压降损耗。 3. **布局优化** - 将$C_{boot}$尽量靠近驱动芯片的BOOTSW引脚,缩短充放电路径。 - 避免长走线引入寄生电感,否则可能导致电压尖峰损坏器件[^1][^2]。 #### 四、典型故障分析 | 现象 | 可能原因 | 解决方案 | |------|---------|---------| | 高侧MOS无法导通 | $C_{boot}$容值不足或漏电 | 增大容值或更换低漏电电容 | | 驱动电压波动 | 布线寄生电感过大 | 优化PCB布局,缩短走线 |
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