AliOS things的 KV组件阅读笔记

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于 2024-03-15 20:35:50 首次发布

本文解析了AliOS Things中的KV组件工作原理，介绍了Flash的基础知识、NorFlash与NandFlash的区别，并详细探讨了KV组件如何实现初始化、写入、读取、删除及垃圾回收等功能。

FLASH分层结构为块（Block）>扇区（Sector）>页（Page）, 以LPC55S69-EVK为例，其包含一个块（Block），块大小为640K，每个块包含20个扇区（Sector），扇区大小为32K，每个扇区包含64个页（Page），页大小为512B
FLASH写入，先判断如果不是FF就要先擦除. 写入只能把数据(bit)从1改为0；擦除只能把所有数据(bit)从0改为1. 所以某些数据更新的时候有备份、再写入这个步骤
原来flash芯片不支持覆盖写，只能在擦除过的区域进行写操作，想要重写数据，必须进行擦除，而且擦除一般是按照扇区或者是块进行擦除。根本原因其实是flash芯片的写操作只能将1变为0，而不能将0变为1，擦除之后，flash中是全1的状态，若想将0变为1则只能通过擦除操作。所以严格来说不是不支持覆盖写，因为对于特定的数据（只要不涉及0变1）也可以进行覆盖写。

使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash一旦损坏便无法再用
结构：Nor Flash和Nand Flash的存储单元结构不同。Nor Flash采用并行结构，每个存储单元都有自己的地址，数据可直接读取。而Nand Flash采用串行结构，数据必须通过多级地址转换才能读取。
读写速度：Nor Flash的读写速度比Nand Flash快，因为它可以直接访问每个存储单元，而Nand Flash需要多级地址转换，因此读写速度较慢。
寿命：Nor Flash的寿命比Nand Flash长，因为它可以进行单个存储单元的擦写和读取，而Nand Flash只能进行整块擦写和读取，容易出现坏块，缩短寿命。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflas