SSD缩写对照表

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                    缩写全称描述
AICAdd-In-Card
M.2（NGFF）Next Generation Form Factor
FWFirmware（固件）调度各个硬件模块，完成数据从主机端到闪存端的写入和读取
SATASerial Advanced Technology Attachment（串口高级技术）
SASSerial Attached SCSI（串行连接SCSI）
PCIePeripheral Component Interconnect Express
QoSQuality of Service
FISFrame Information Structure（帧信息结构）
FTLFlash Translation Layer
I-RAM代码存储区
D-RAM数据存储区
SMP对称多处理
AMP非对称多处理
RAIDRedundant Arrays of Independent Disks(独立磁盘冗余阵列)
DMACDirect Memory Access Controller
AFA全闪存阵列
BBUBattery Backup Unit（备用电源）
CFSComputing Flash System（计算闪存系统）
SLCSingle Level Cell
TLCSingle Level Cell
TLCTriple Level Cell
BiCSBit Cost ScalableBiCS利用了多晶硅栅极，BiCS的编程/擦除窗口比较窄，擦除方法是GIDL
TCATTerabit Cell Array TransistorTCAT利用了金属栅极，TCAT的编程/擦除窗口比较宽，擦除方法是群擦除方法
CTCharge Trap（电阱）
CLECommand Latch EnableCLE有效时IOx发送命令
CEChip Enable选择当前数据传输的是哪个Target
WEWrite Enable
ALEAddress Latch Enable
IOx数据总线
tWPWE_n低电平脉冲的宽度
tWHWE_n高电平保持时间
tWCtWP与tWH合起来一个周期的时间
tDS数据建立时间
tDH数据稳定时间
DDRDouble Data Rate
DQSData Strobe
tCALSCLE、W/R_n和ALE的建立时间
tDQSS数据输入到第一个DQS跳变沿的时间
LDPCLow Density Parity Check Code
FTLFlash Translation Layer（闪存转换层）完成逻辑地址空间到物理地址空间的映射
FWFirmWare（固件）
GCGarbage Collection（垃圾回收）
PEProgram/EraseCount
LBALogical Block Address（逻辑块地址）
L2PLogical address To Physical address（逻辑地址到物理地址转换）
WAWrite Amplification（写放大）
OPOver Provisioning（预留空间）
HMBHost Memory Buffer（主机高速缓冲存储器）
HMSHost Managed SSD
VPBMValid Page Bit Map
VPCValid Page Count
ECErase Count（擦除次数）
SWL静态磨损平衡
DWL动态磨损平衡
OTPOne Time Programming
UECCUncorrectable Error Correction Code
RDRead Disturb
DRData Retention




                

缩写	全称	描述
AIC	Add-In-Card
M.2（NGFF）	Next Generation Form Factor
FW	Firmware（固件）	调度各个硬件模块，完成数据从主机端到闪存端的写入和读取
SATA	Serial Advanced Technology Attachment（串口高级技术）
SAS	Serial Attached SCSI（串行连接SCSI）
PCIe	Peripheral Component Interconnect Express
QoS	Quality of Service
FIS	Frame Information Structure（帧信息结构）
FTL	Flash Translation Layer
I-RAM	代码存储区
D-RAM	数据存储区
SMP	对称多处理
AMP	非对称多处理
RAID	Redundant Arrays of Independent Disks(独立磁盘冗余阵列)
DMAC	Direct Memory Access Controller
AFA	全闪存阵列
BBU	Battery Backup Unit（备用电源）
CFS	Computing Flash System（计算闪存系统）
SLC	Single Level Cell
TLC	Single Level Cell
TLC	Triple Level Cell
BiCS	Bit Cost Scalable	BiCS利用了多晶硅栅极，BiCS的编程/擦除窗口比较窄，擦除方法是GIDL
TCAT	Terabit Cell Array Transistor	TCAT利用了金属栅极，TCAT的编程/擦除窗口比较宽，擦除方法是群擦除方法
CT	Charge Trap（电阱）
CLE	Command Latch Enable	CLE有效时IOx发送命令
CE	Chip Enable	选择当前数据传输的是哪个Target
WE	Write Enable
ALE	Address Latch Enable
IOx	数据总线
tWP	WE_n低电平脉冲的宽度
tWH	WE_n高电平保持时间
tWC	tWP与tWH合起来一个周期的时间
tDS	数据建立时间
tDH	数据稳定时间
DDR	Double Data Rate
DQS	Data Strobe
tCALS	CLE、W/R_n和ALE的建立时间
tDQSS	数据输入到第一个DQS跳变沿的时间
LDPC	Low Density Parity Check Code
FTL	Flash Translation Layer（闪存转换层）	完成逻辑地址空间到物理地址空间的映射
FW	FirmWare（固件）
GC	Garbage Collection（垃圾回收）
PE	Program/EraseCount
LBA	Logical Block Address（逻辑块地址）
L2P	Logical address To Physical address（逻辑地址到物理地址转换）
WA	Write Amplification（写放大）
OP	Over Provisioning（预留空间）
HMB	Host Memory Buffer（主机高速缓冲存储器）
HMS	Host Managed SSD
VPBM	Valid Page Bit Map
VPC	Valid Page Count
EC	Erase Count（擦除次数）
SWL	静态磨损平衡
DWL	动态磨损平衡
OTP	One Time Programming
UECC	Uncorrectable Error Correction Code
RD	Read Disturb
DR	Data Retention